「etching resist」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Other regions than a source region are covered with resist 31, and etching is performed by using the control gate electrode 12 as a mask.例文帳に追加

レジスト３１でソース領域以外の部分を覆い、コントロールゲート電極１２をマスクとしてエッチングする。 - 特許庁

Then, according to RIE etching using the remaining resist 3 as a mask, a pinhole 5 is also formed on the SiN thin film 2 (f).例文帳に追加

そして、残ったレジスト３をマスクとしてＲＩＥエッチングにより、SiＮ薄膜２にもピンホール５を形成する（ｆ）。 - 特許庁

To provide a technology for selectively etching or almost completely peeling a carbon film against a resist film.例文帳に追加

カーボン膜をレジスト膜に対して選択性良くエッチングする技術、及びほぼ完全に剥離する技術を提供する。 - 特許庁

By using plasma dry etching treatment which uses only oxygen gas, production of a cured film of the resist 24 for the pad window aperture is reduced.例文帳に追加

また、酸素ガスのみを用いたプラズマドライエッチング処理によって、パッド窓開口用レジスト２４の硬化膜の生成を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which it is possible to etch a processing target film with favorable controllability using a resist having high etching resistance.例文帳に追加

エッチング耐性の高いレジストを用いて、被加工膜を制御性良くエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Etching processing is performed using the resist pattern as a mask to form a pattern with the predetermined dimensions in the film to be processed (a step S6).例文帳に追加

レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する（ステップＳ６）。 - 特許庁

With a resist pattern 7b as a mask, the etching of the storage node interlayer insulating film 9 is performed to the stopper film 10.例文帳に追加

レジストパターン７ｂをマスクとして、まず、ストレージノード層間絶縁膜９のエッチングをエッチングストッパ膜１０まで行う。 - 特許庁

A resist formed in an island state and a reflection film other than a region piled on a protection layer 120 in the flat plane are etched by etching liquid.例文帳に追加

島状に形成されたレジストと、保護層１２０と平面的に重なる領域以外の反射膜とを、エッチング液でエッチングする。 - 特許庁

To enhance productivity and flexural strength of a device by eliminating the need for stripping a resist film in dicing by etching.例文帳に追加

エッチングによるダイシングにおいて、レジスト膜の剥離を不要とし、生産性を向上させると共に、デバイスの抗折強度を向上させる。 - 特許庁

Next, a resist film by a line/space pattern of a horizontal direction is formed to perform second etching.例文帳に追加

次に今度は横方向のライン／スペースパターンによるレジスト膜を形成し第２のエッチングを行う。 - 特許庁

A method for transferring the pattern comprises the steps of selectively modifying the resist film after the rugged mold is pressed by emitting an ultraviolet ray, and then wet etching the film.例文帳に追加

凹凸型をプレスした後のレジスト膜を紫外線照射によって選択的に変性させた後、ウェットエッチングを行う。 - 特許庁

The photosensitive layer is printed and developed to make holes, and the insulation layer is etched using the developed layer as an etching resist to make the holes.例文帳に追加

感光層を焼付し現像で穴加工を施しこれをエッチングレジストとして絶縁層をエッチングして穴を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of improving the etching resistance of a resist film while suppressing throughput from reducing.例文帳に追加

スループットの低下を抑えつつ、レジスト膜のエッチング耐性を向上させることの可能な半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

By using the resist for processing such as etching, regions having different film thicknesses can be formed in a self-aligned matter.例文帳に追加

このレジストを用いてエッチング等の加工を行うことにより、自己整合的に膜厚の異なる領域を形成することができる。 - 特許庁

Thus, the interface of the base material of a base and the resist of its surface can be separated, and etching of the base material is prevented.例文帳に追加

これによって、下地の基材とその表面のレジストとの界面を分離できるとともに、基材がエッチングされないようにすることができる。 - 特許庁

Subsequently, an exposed silicon oxide film is removed by etching and the resist remaining at the bottom of the trench is removed.例文帳に追加

次に露出した前記シリコン酸化膜をエッチングして除去し、続いてトレンチ底部に残ったレジストを除去する。 - 特許庁

After that, by using isotropic wet-etching, a protrusive part of the metal layer 2 for the emitter is fabricated, and the resist 3 is peeled off.例文帳に追加

その後、等方性のウエットエッチングを用いて、エミッタ用金属層２の突起状部分を作製し、レジスト３を剥離する。 - 特許庁

The resist pattern film 19 and the plating seed film 18 are removed by ashing and wet etching.例文帳に追加

レジストパターン膜１９とめっきシード膜１８とはアッシングとウエットエッチングとによって除去される。 - 特許庁

The resist film 11 is removed and then an inner wiring circuit pattern is formed by selective etching.例文帳に追加

上記レジスト膜１１を除去し、続いて、選択エッチングすることにより、内層配線回路パターンを形成する。 - 特許庁

Thereafter, the resist mask is removed, and furthermore the sacrificial layer is removed with one part left by an etching processing.例文帳に追加

その後、レジストマスクを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層の一部を残して該犠牲層を除去する。 - 特許庁

The formation position of the resist pattern 4a for the mark for exposure position confirmation is confirmed and a wiring pattern 3b is formed through wet etching.例文帳に追加

露光位置確認マーク用レジストパターン４ａの形成位置を確認し、ウェットエッチングにて配線パターン３ｂを形成する。 - 特許庁

Next, by anisotropic dry-etching, it is scraped from an opening part 3a of the resist 3 to the middle of the metal layer 2 for the emitter, and a recessed part is formed.例文帳に追加

次に、異方性のドライエッチングにより、レジスト３の開口部３ａからエミッタ用金属層２の途中まで削り、凹部を形成する。 - 特許庁

The hard mask 320 is patterned after resist processing and the etching stop layer 380 is removed after the polymer layer 330 is etched.例文帳に追加

レジストプロセスをした後、ハードマスク３２０をパターニングし、ポリマー層３３０をエッチングした後、エッチング停止層３８０を除去する。 - 特許庁

Then the shape of the resist pattern is transferred into an intermediate glass layer 5 by etching, and the recesses are filled with a UV-curing resin having a high refractive index.例文帳に追加

その後、エッチングを行って、中間ガラス層５にレジストパターンを形状転写し、凹部を高屈折率の紫外線硬化樹脂で埋める。 - 特許庁

The time point when the plasma emission intensity becomes substantially constant is assumed to be a final point of the etching of the resist 42 and the metal layer 41 by the RIE.例文帳に追加

プラズマ発光強度が略一定となった時点を、レジスト42および金属層41のＲＩＥによるエッチングの終点とする。 - 特許庁

The resist pattern is transferred to the mask material layer 142 by processing the mask material layer using reactive dry etching.例文帳に追加

反応性ドライエッチングによってマスク材料を加工することにより、レジストパターンをマスク材料１４２に転写する。 - 特許庁

When a Pt film 53 deposited on a semiconductor substrate 50 is subjected to dry-etching, a resist mask 54 is used with head of a rounded outer circumference.例文帳に追加

半導体基板５０上に堆積したＰｔ膜５３をドライエッチングする際、頭部の外周部が丸みを帯びたレジストマスク５４を使用する。 - 特許庁

The resist pattern is used as a mask for a dry etching method to transfer the figure onto a substrate material.例文帳に追加

このレジストパターンをマスクとしてドライエッチング法を用いることで、基板材料に形状転写する。 - 特許庁

When resist exposure or control during the etching of the via opening is improved, a treatment margin can be increased.例文帳に追加

レジスト露光またはビア開口部エッチング中の制御が改善されると、処理マージンを大きくすることができる。 - 特許庁

Further, contrary to the above means, a processing method and a processing apparatus for alternatingly performing resist modification and etching is applied.例文帳に追加

さらに、上記手段とは別に、レジスト改質とエッチングを交互に行なうプロセス方法及びプロセス装置を適用した。 - 特許庁

In the etching process 100, a resist film is exposed/etched in a photoengraving process (S101).例文帳に追加

本実施の形態におけるエッチング工程１００は、写真製版工程により、レジスト膜の露光・エッチングが行なわれる（Ｓ１０１）。 - 特許庁

A surface of poly-Si 2 is flattened by dry etching from the surface of a resist 3.例文帳に追加

レジスト３の表面からドライエッチングをおこなうことによりｐｏｌｙ−Ｓｉ２の表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a method and a device for etching, which is stable, and has less re-sticking matters to a resist side wall.例文帳に追加

本発明は、安定にエッチングができ、かつ、レジスト側壁への再付着が少ないエッチング方法及び装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

Thereafter, the resist film 25 for blast is removed, chemical etching is executed to form the recessed part 13 and the through-hole 22a.例文帳に追加

その後、ブラスト用レジスト膜２５を除去し、化学的エッチングを施し、凹部１３とスルーホール２２ａを形成する。 - 特許庁

The thin film pattern is formed using the resist pattern 10 by an etching method, a lift-off method or a method using these in combination.例文帳に追加

薄膜パターンは、レジストパターン１０を用いて、エッチング法、リフトオフ法、またはこれらを併用した方法によって形成される。 - 特許庁

The exposed molding surface 11 of the mold is etched by soaking with an etching solution to remove the resist 52.例文帳に追加

そして、エッチング液を浸すことにより、露出している成形面１１をエッチングし、その後レジスト５２を除去する。 - 特許庁

In this manufacturing method, opening parts OP3 penetrating at least an interlayer insulating film 5 are formed by anisotropic dry etching using a resist mask RM2.例文帳に追加

レジストマスクＲＭ２を用いて異方性ドライエッチングを施し、少なくとも層間絶縁膜５を貫通する開口部ＯＰ３を形成する。 - 特許庁

An SF_6/C_4F_8 gas is introduced as an etching gas to generate a plasma gas and etch a part that is exposed from a resist mask 23 on the layer to be etched 22.例文帳に追加

エッチングガスとしてSF_6/C_4F_8ガスを導入してプラズマを発生させ、被エッチング層２２のレジストマスク２３から露呈する部分をエッチングする。 - 特許庁

To obtain a resist pattern having a good pattern shape with a rectangular section and good etching resistance.例文帳に追加

矩形状の断面を持つ良好なパターン形状と良好なエッチング耐性とを有するレジストパターンが得られるようにする。 - 特許庁

RADIATION-CURABLE RESIST RESIN COMPOSITION FOR GLASS ETCHING AND METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE USING THE SAME例文帳に追加

ガラスエッチング用放射線硬化性レジスト樹脂組成物およびこれを用いたガラス基板の製造方法 - 特許庁

To obtain a pattern forming method which can form a detailed hole pattern while increasing dry etching endurance of resist.例文帳に追加

レジストのドライエッチング耐性を向上させつつ、微細なホールパターンを形成することができるパターン形成方法を得る。 - 特許庁

Deposit 18 is formed on a side surface of the resist 16 by using secondary product which is generated following the etching of the film 14.例文帳に追加

強誘電体材料膜１４のエッチングに伴って生じた二次生成物によって、レジスト１６の側面に堆積物１８を形成する。 - 特許庁

Through etching treatment, deposition of deposit 52 proceeds on the coating film (resist film) of the coating agent 51 spread on the chamber internal component 50.例文帳に追加

チャンバ内部品５０に塗布さたれた被覆剤５１の被覆膜（レジスト膜）にはエッチング処理に起因してデポ５２が堆積してくる。 - 特許庁

To process a metal film with superior dimensional accuracy without damaging a base gate insulating film by wet etching using a resist mask.例文帳に追加

レジストマスクを用いたウエットエッチングにより、下地のゲート絶縁膜にダメージを与えることなく、寸法精度良く金属膜を加工する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified resist composition high in transparency to light of 220 nm or lower and excellent in etching resistance and adhesiveness to a substrate.例文帳に追加

２２０ｎｍ以下の光に対する透明性が高く、エッチング耐性、基板密着性ともに優れた化学増幅レジスト組成物を提供する。 - 特許庁