「etching resist」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

After removal of the resist 8, the anti-reflective film 6, second etching stopper film 4 and first etching stopper film 2, which are exposed by the entire-surface etching, are removed.例文帳に追加

レジスト８を除去し、全面エッチングにより露出している無機反射防止膜６、第２エッチングストッパ膜４、第１エッチングストッパ膜２を除去する。 - 特許庁

For this, a prescribed relation is obtained between the depth of etching and the thickness of a residual resist and a high-accuracy etching eliminated a change in a state of the inner wall, which is generated with an elapse of an etching time, can be realized.例文帳に追加

このため、エッチング深さと残留レジスト厚みに所定の関係が得られ、エッチング時間経過と共に生じる内壁状態の変化を排除した高精度のエッチングが実現できる。 - 特許庁

To provide a dry etching method of an interlayer insulating film whereby high etching precision can be obtained by suppressing the generation of a striation in the case of applying dry etching to the interlayer insulating film covered with a resist mask formed by the ArF photolithography.例文帳に追加

ＡｒＦフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする際に、ストリエーションの発生を抑制して高いエッチング加工精度が得られるようにする。 - 特許庁

Then, when an etching rate of the silicon wafer 52 is defined as R1, and the etching rate of the resist pattern 64 is defined as R2, a selection ratio (R1/R2) is 0. 5 to 1. 5, and etching is performed on condition that R1 is 5 to 40 nm/minute.例文帳に追加

このとき、シリコンウエハ５２のエッチングレートをＲ１、レジストパターン６４のエッチングレートをＲ２としたとき、選択比（Ｒ１／Ｒ２）が０．５〜１．５であって、且つ、Ｒ１が５〜４０ｎｍ／分の条件でエッチングを行う。 - 特許庁

To obtain an etching shape without a side-wall deposition film as a reattached etching film to a sidewall of a resist, without disturbing minute patterning in a non-reactive sputtering etching step.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、微細化を妨げることなく被エッチング膜のレジスト側壁への再付着による側壁析出膜のないエッチング形状を得る。 - 特許庁

To provide an etching method of a conductor layer which enables formation of a conductor circuit with almost rectangular cross sectional contour without etching so far as a lower part of etching resist excessively.例文帳に追加

エッチングレジストの下部にまで余計にエッチングすることがなく、略矩形状の断面形状を有する導体回路を形成することができる導体層のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that etching stop occurs when pressure in a treatment container is relatively high and plasma is not stable when the pressure is relatively low, when an etching gas such as C_4F_8 is used when performing a plasma etching of an SiO_2 film via a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンを介してＳｉＯ_２膜をプラズマエッチングする際、Ｃ_４Ｆ_８等のエッチングガスを用いると、処理容器内圧力が比較的高ければエッチングストップが起こり、比較的低ければプラズマが安定しない。 - 特許庁

To provide a negative resist material, in particular, a chemically amplified negative resist material that can exhibit higher resolution than conventional hydroxy styrene or novolac negative resist materials, that provides excellent pattern profiles after being exposed and that exhibits excellent etching resistance; and a patterning process that uses the resist material.例文帳に追加

従来のヒドロキシスチレン系、ノボラック系のネガ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymeric compound as a resist material, especially a chemically amplified positive-type resist material, having high resolution tendency greater than that of conventional positive-type resist materials, good in the in-plane size uniformity on a substrate(e.g. mask blanks) of a resist pattern after developed, and having high etching resistance as well.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度性を有し、現像後のレジストパターンの基板（たとえばマスクブランクス）上面内サイズ均一性が良好であり、さらに高いエッチング耐性を有する高分子化合物、レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern thickening material, which can utilize ArF laser light, which can thicken a resist pattern regardless of the size by only applying the material on the ArF resist pattern or the like, which is excellent in etching durability and capable of easily and inexpensively forming a fine resist space pattern or the like exceeding an exposure limit.例文帳に追加

ＡｒＦレーザー光を利用でき、ＡｒＦレジストパターン等上に塗布等するだけで、そのサイズ依存性なく厚肉化可能で、エッチング耐性に優れ、露光限界を超えて微細なレジスト抜きパターン等を低コストで簡便に形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。 - 特許庁

After an etching process is carried out as the first resist pattern is used as a mask, the residual resist layer 3 is successively subjected to exposure, developing, and post baking again to form a second resist pattern 3b, and the oxide film 2 is etched through the second resist pattern 3b as a mask.例文帳に追加

第１レジストパターンによるエッチング処理の後、残存するレジスト層３に対して露光、現像及びポストベークを再度行うことで第２レジストパターン３ｂを形成し、この第２レジストパターン３ｂを用いて酸化膜２に対するエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide a photo-polymerizable resin composition which has especially excellent high resolution and high adhesion as a resist material of an etching resist, a plating resist and so on in fields such as manufacturing of a printed wire board, a lead frame, and a semiconductor package, and metal precise working, and further which also has an excellent resist peeling property.例文帳に追加

印刷配線板、リードフレーム、半導体パッケージ等の製造、金属の精密加工等の分野において、エッチングレジスト、めっきレジスト等のレジスト材料として特に優れた高解像性と高密着性を有し、更にレジスト剥離性にも優れた光重合性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a pattern substrate includes a step of exposing a resist through the halftone mask and developing the resist to form resist patterns 81, 82, 83 in different film thicknesses, and etching films 6, 7 on the substrate through the resist patterns 81, 82, 83.例文帳に追加

また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 - 特許庁

To obtain a silicon-containing photosensitive resin capable of exhibiting excellent performances as a resist material for a multi-layered resist method or a resist material for forming plasma display panel(PDP) ribs, especially a resist material excellent in plasma resistance [O2-reactive ion etching(RIE) resistance] and capable of providing a high aspect ratio when forming a pattern.例文帳に追加

多層レジスト法用のレジスト材やＰＤＰ障壁形成用レジスト材として優れた性能を示すケイ素含有感光性樹脂を提供すること、特に、耐プラズマ性（耐Ｏ_2−ＲＩＥ）性に優れると共に、パターンを形成したとき、高いアスペクト比を得ることができるレジスト材を提供すること。 - 特許庁

This etching is carried out by using a resist pattern 40a having bridge-like resist films 42a to connect neighboring stripe type resist films 41 corresponding to stripe strips 6 across resist non-forming regions 43 to form slit-like openings 5.例文帳に追加

スリット状開口５を形成するためのレジスト非形成領域４３を横切って、ストライプ片６に対応する隣接するストライプ状レジスト膜４１を接続するブリッジ状レジスト膜４２ａを有するレジストパターン４０ａを用いて、エッチングを行う。 - 特許庁

Then processing using a pattern on the resist film as a mask (e.g. etching processing using the pattern on the resist film as the mask and an ion injection processing using the pattern on the resist film as the mask) is applied to the wafer on which the resist film having the rugged surface is formed.例文帳に追加

その後、レジスト膜の表面に凹凸が形成されたウエハは、レジスト膜のパターンをマスクとした処理（たとえば、レジスト膜のパターンをマスクとするエッチング処理、レジスト膜のパターンをマスクとするイオン注入処理）を受ける。 - 特許庁

The removing step is a step to apply a resist film 150 to the substrate 1, to expose the resist film 150 using a photomask with a desired pattern, subsequently to remove the resist film 150 in the recessed part 21 by developing and remove the coating film 22 using the remaining resist film 150 as an etching mask.例文帳に追加

除去工程は、基板１上にレジスト膜１５０を塗布し、所望のパターンのフォトマスクを用いてレジスト膜１５０を露光した後、現像することにより、凹部２１のレジスト膜１５０を除去し、残ったレジスト膜１５０をエッチングマスクとして被膜２２を除去する工程である。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for dry etching that can improve etching efficiency at the time when dry etching of resist is performed, can improve working efficiency by shortening an etching time, and can prevent the damage of a processing object and the deterioration of its properties.例文帳に追加

レジストをドライエッチングする際のエッチング効率を向上させることができ、エッチング時間を短縮して作業効率を向上させ、被処理物が損傷したり特性が劣化することを抑制することができるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

To provide an etching component produced by wet etching after forming an etching resist pattern on a metal material, which prevents progress of side etch, that is, to provide an etching component of high aspect ratio and to provide a method for manufacturing the component.例文帳に追加

金属材料上にエッチングレジストのパターンを形成し、ウエットエッチングによって製造したエッチング部品であって、サイドエッチの進行を防いだ、即ち、高アスペクト比のエッチング部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The hole 12a is formed by dry etching treatment for masking a resist layer, and after dry etching is performed in a condition that an undercut occurs under the resist layer in the treatment, the hole 12a is formed so that a diameter is increased in an opening part outward by performing the dry etching in a condition that the undercut does not occur under the resist layer.例文帳に追加

孔１２ａは、レジスト層をマスクとするドライエッチング処理により形成し、この処理ではレジスト層の下にアンダーカットが生ずるような条件でドライエッチングを行なった後、レジスト層の下にアンダーカットが生じないような条件でドライエッチングを行なうことにより孔１２ａを開口部で外方にいくにつれて直径が増大するように形成する。 - 特許庁

The method further includes the steps of then, removing the plated resist layer 3, thereafter forming an etching resist layer 7 of the thickness capable of coating the bump 4 and the register mark 5, aligning and exposure developing a predetermined wiring pattern on the etching resist layer 7 to the register mark 5, and etching to form circuit wiring 9.例文帳に追加

次いで、めっきレジスト層３を除去した後、バンプ４および位置合わせ用ターゲット５を被覆できる厚さのエッチングレジスト層７を形成し、エッチングレジスト層７に所定の配線パターンを位置合わせ用ターゲット５に対して位置合わせをして露光現像し、エッチングして回路配線９を形成する。 - 特許庁

A method of forming the through holes comprises processes of (a) forming a resist pattern on the insulation film by photolithography, (b) forming the through holes by dry-etching the insulation film according to the resist pattern, (c) removing the resist pattern by dry-etching, and (d) removing a polymer residue in the through holes by dry-etching.例文帳に追加

（ａ）フォトリソグラフィーにより絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）レジストパターンに基づいて絶縁膜をドライエッチングすることによりスルーホールを形成する工程と、（ｃ）ドライエッチングによりレジストパターンを除去する工程と、（ｄ）ドライエッチングによりスルーホール内のポリマー残留物を除去する工程とを含むスルーホールの形成方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the surface to be processed and then applying the thickening material for a resist pattern to cover the surface of the resist pattern to thereby thicken the resist pattern; and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.例文帳に追加

レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a polymer which has dry etching resistance, is high in sensitivity, resolution and light transmittance, when used for resist compositions for DUV excimer laser lithography or the like, has small line edge roughness of resist patterns and can resist to thin resist films, to provide a resist composition, and to provide a method for producing a substrate on which a resist pattern is formed.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等のレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、光線透過率が高く、レジストパターンのラインエッジラフネスが小さく、レジスト膜の薄膜化に耐えることができるドライエッチング耐性を有する重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist film from the resist composition on a surface to be processed, and exposing and developing the resist to form a resist pattern, and a patterning step of patterning the object surface by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes; a resist pattern forming step of forming a resist pattern by forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition, exposing and developing the resist film; and a patterning step of patterning the surface to be processed, by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

Also, the method includes a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, or a step of irradiating the resist pattern with light in a photosensitive wavelength range of the photosensitizer via a photomask, a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern on the workpiece.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

The initial resist pattern 22 in the lattice shape is anisotropically etched by using a method for plasma etching etc., to form a lattice-shaped resist pattern 23 which is reduced in line width and further the plasma etching is carried on to form a resist pattern 24 in a pillar shape and a pillar-shaped resist pattern 25 of desired shape at an intersection part.例文帳に追加

プラズマエッチングなどの手法を用いて、格子状の初期レジストパターン２２を等方的にエッチングし、線幅が縮小された格子状レジストパターン２３を、さらに、プラズマエッチングをさらに進め、交点部にピラー形状のレジストパターン２４及び所望の寸法のピラー形状レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 21 is etched while a surface electrode 23 and a resist pattern 24 are used as a mask, and etching for expanding the resist opening 24a of the resist pattern 24 and polymerization for forming a polymer film 26 on the surface of the semiconductor substrate 21, the surface electrode 23, and the resist pattern 24 that is exposed after etching, are repeated to form a hole 25 in the semiconductor substrate 21.例文帳に追加

表面電極２３およびレジストパターン２４をマスクとして半導体基板２１をエッチングするとともにレジストパターン２４のレジスト開口部２４ａを広げるエッチングと、エッチング後に露出する半導体基板２１、表面電極２３およびレジストパターン２４などの表面部にポリマ膜２６を形成する重合とを繰返し行ない、半導体基板２１に孔部２５を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of (a) forming a resist film 17 selectively on a surface of the nitride film 16; and (b) etching the resist film 17 while etching the nitride film 16 using the resist film 17 as a mask to leave the nitride film 16 covered with the resist film 17 which is made thin and has its end surface retracted.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）窒化膜１６の表面に選択的にレジスト膜１７を成膜する工程、（ｂ）レジスト膜１７をマスクとして窒化膜１６をエッチングすると同時にレジスト膜１７をもエッチングし、薄膜化され端面が退避されたレジスト膜１７に覆われた窒化膜１６を残す工程を備えて構成される。 - 特許庁

The Al taper dry etching method, which is based on resist backstep sequence method for obtaining a small Al taper angle, consists of a step of forming a resist pattern having the small resist taper angle corresponding to a desired small Al taper angle on Al or an Al alloy, and a step of performing anisotropic dry etching on Al or Al alloy having the resist pattern.例文帳に追加

所望の小さいＡｌテーパ角に対応した小さいレジストテーパ角を有するレジストパターンをＡｌまたはＡｌ合金膜上に形成する工程および該レジストパターンを有するＡｌまたはＡｌ合金膜に異方性ドライエッチングを行なう工程からなる、小さいＡｌテーパ角をうるためのレジスト後退法にもとづくＡｌテーパドライエッチング方法。 - 特許庁

The etching method performed by forming a film 2 to be etched on a substrate 1, forming the resist on the film 2 to be etched, exposing and developing the resist to form a resist pattern 3, generating plasma with an etching gas containing halogen and using the resist pattern 3 as a mask to etch the film 2 to be etched is used.例文帳に追加

基板１上に被エッチング膜２を形成し、被エッチング膜２上にレジストを形成し、レジストに対し露光及び現像を行ってレジストパターン３を形成し、ハロゲンを含むエッチングガスによりプラズマを発生させてレジストパターン３をマスクとして被エッチング膜２をエッチングするエッチング方法を用いる。 - 特許庁

It also includes a step for etching the work with the resist pattern as a mask, a step for radiating the light of photosensitizing wavelength band for the photosensitizer to the resist pattern through the photomask, a step for etching the work with the resist pattern as the mask, and a step for removing the resist pattern on the work.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

The etching method of a conductor layer comprises a process for forming a conductor layer 22 on an insulation substrate 21, a process for forming metallic etching resist 23 on the formed conductor layer 22, and a process for etching the conductor layer 22 by a spray method for spraying etchant to the conductor layer 22 wherein the metallic etching resist 23 is formed.例文帳に追加

1)絶縁基板上に導体層を形成する工程、2)形成された前記導体層上に金属製エッチングレジストを形成する工程、および、3)前記金属製エッチングレジストが形成された導体層にエッチング液を噴霧するスプレー法により前記導体層をエッチングする工程を含むことを特徴とする導体層のエッチング方法である。 - 特許庁

The inkjet ink composition for an etching resist includes a polymerizable monomer polymerizable by active energy beams.例文帳に追加

活性エネルギー線により重合可能な重合性モノマーを含むエッチングレジスト用インクジェットインキ組成物。 - 特許庁

The resist ink for wet etching comprises a binder resin and a compound (A) having a specified structure containing a silicic acid compound.例文帳に追加

バインダー樹脂と、特定のケイ酸化合物を含む構造を持つ化合物（Ａ）を含有するウェットエッチング用レジストインク。 - 特許庁

Finally, etching is performed to leave the part masked with the resist film 24 and the photoresist film 25 thus forming bump electrodes 27.例文帳に追加

最後に、前記レジスト膜２４及びフォトレジスト膜２５でマスクされた箇所を残してエッチングを施すことによってバンプ電極２７を形成する。 - 特許庁

Wiring (45a and 45b) are formed by etching the conductive film using a gas containing halogen, with the resist pattern as a mask.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとして、ハロゲンを含むガスを用いて導電膜をエッチングすることにより、配線(45a,45b)を形成する。 - 特許庁

The hot melt etching resist is selectively applied to an anti-reflective coating or a selective emitter on a semiconductor wafer.例文帳に追加

ホットメルトエッチングレジストが、半導体ウェハ上の反射防止コーティングもしくは選択的エミッタに選択的に適用される。 - 特許庁

METHOD AND COMPOSITION FOR REMOVING RESIST, ETCHING RESIDUAL, AND METAL OXIDE FROM SUBSTRATE CONTAINING ALUMINUM AND ALUMINUM-COPPER-ALLOY例文帳に追加

レジスト、エッチング残渣、及び金属酸化物をアルミニウム及びアルミニウム銅合金を有する基板から除去する方法及び組成物 - 特許庁