「etching resist」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

In dry etching for forming a pattern involving isolated pattern regions and dense pattern regions on a substrate having conductive members formed thereon using a hard mask, the thickness of the hard mask is set so that the pattern size of the dry etched hard mask minus the size of a pattern formed on a resist film is less than a specified (allowable) value at the isolated pattern regions and the dense pattern regions.例文帳に追加

導電部材が形成された基板上に、孤立パターンと密集パターンを含むパターンをハードマスクによりドライエッチングする場合に、ハードマスクの厚さを、レジスト膜に形成したパターン寸法からハードマスクをドライエッチングした後のハードマスクのパターン寸法を差し引いた値が、前記孤立パターン領域と前記密集パターン領域とで所定の値（許容値）以下となるような膜厚とする。 - 特許庁

A mask pattern (selective mask) is formed on a nickel (Ni) film 1 after a desired pattern is formed on a resist film 3, a selective etching can be performed on a wafer W by merely dipping the wafer W on which the film 3 and the film 1 are coated into the process liquid to treat the wafers W with high throughput at the low cost.例文帳に追加

レジスト膜３に所望のパターンを形成した後、ニッケル(Ni)膜１にマスクパターン（選択マスク）を形成し、レジスト被膜３とニッケル膜１を被着したウエハＷを処理液に浸漬させるだけでウエハＷの選択的エッチングが可能であり、スループット高く低コストでウエハＷを処理できる。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.例文帳に追加

本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

The cover insulating film 6 is removed only from the PMOS region by etching back, and then the resist is removed, by which a thin side wall film 7 is formed on the gate electrode 4 in the PMOS region, and a hard mask 8 which is used for implantation of ions when a PMOS extension is formed in the NMOS region is formed.例文帳に追加

ｐＭＯＳ領域のみエッチバックによってカバー絶縁膜６を除去した後、レジストを除去することで、ｐＭＯＳ領域のゲート電極４に薄膜のサイドウォール７が形成され、ｎＭＯＳ領域にｐＭＯＳエクステンションを形成する際のイオン注入のハードマスク８が形成される。 - 特許庁

After a first metal film and a first silicone oxide film are successively deposited on an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a first inter-layer insulating film 103A composed of the first silicon oxide film and having an opening part and first metal wiring 102A composed of the first metal film, are formed by etching with a first resist pattern 104 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜１０１の上に、第１の金属膜及び第１のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第１のレジストパターン１０４をマスクとしてエッチングを行なって、第１のシリコン酸化膜からなり開口部を有する第１の層間絶縁膜１０３Ａ及び第１の金属膜からなる第１の金属配線１０２Ａを形成する。 - 特許庁

A stencil mask manufacturing process in the preceding back etching process includes forming gradations of a film thickness of a resist left in a pattern field, after developing by adjusting the amount of exposed light, and selectively thinning a masking substrate film in a minute pattern formation field, with an aspect ratio higher than that of the surrounding region, prior to patterning.例文帳に追加

先行バックエッチングプロセスのステンシルマスク製造工程において、現像後のパターン領域のレジスト残膜厚に露光量を調整することにより階調をつけ、周辺領域よりアスペクト比が高い微細パターン形成領域のマスク基板膜厚を選択的にパターニング以前に薄膜化することにより、ステンシルマスクを形成する。 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁

On one face of the anode 10 having an active material layer 2 containing an element with the high forming ability of a lithium compound, a resist pattern with a number of open holes 12c is formed, and then, portions exposed through the open holes 12c are removed by etching to form a number of through-holes 5 on the active material layer 2 extended in a thickness direction.例文帳に追加

リチウム化合物の形成能の高い元素を含む活物質層２を有する負極１０の一面に、多数の開孔部１２ｃを有するレジストパターンを形成し、次いで開孔部１２ｃを通じて露出している部位をエッチングにより除去して活物質層２にその厚さ方向へ延びる貫通孔５を多数形成する。 - 特許庁

In this noncontact data carrier having a resin base material, a metallic antenna coil 13 formed on one surface of the base material and an IC chip 20 connected to the coil 13, an insulating resist material used for an etching process is left on the surface of an antenna layer as a protective film, excluding connection end parts 131, 132 to be connected with the IC chip 20.例文帳に追加

本発明の非接触データキャリアは、樹脂基材と樹脂基材の一方の面に設けられた金属製アンテナコイル１３と、アンテナコイルに接続されたＩＣチップ２０とを有する非接触データキャリアにおいて、アンテナ層表面にはＩＣチップとの接続端部１３１，１３２を除き、エッチング工程で使用した絶縁性のレジスト材料が保護膜として残存していることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a residue removing composition capable of removing residues originating in a resist and/or residues originating in metals such as copper and aluminum remaining after dry etching on a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal panel, an organic EL panel, a printed circuit board or the like, in particular, a wiring board containing titanium and/or titanium alloy without corroding the titanium and/or titanium alloy.例文帳に追加

半導体集積回路、液晶パネル、有機ELパネル、プリント基板等、特にチタンおよび／又はチタン合金を含有する配線基板で、ドライエッチング後に残存するレジスト由来の残渣物および/または銅やアルミニウムなど金属由来の残渣物を、チタンおよび/又はチタン合金を腐食することなく除去することが出来る残渣除去用組成物を提供する。 - 特許庁

In manufacturing an electromagnetic wave shielding adhesive film, related to a plastic film with a conductive metal where a conductive metal layer is laminated on a transparent base material through a thermo-setting adhesive layer, an etching resist pattern is formed by screen printing or offset printing, and the conductive metal layer is etched to form a geometric graphic of a conductive metal.例文帳に追加

透明基材上に熱硬化型接着剤層を介して導電性金属層が積層されてなる導電性金属付きプラスチックフィルムにおいて、スクリーン印刷法又はオフセット印刷法により作製したエッチングレジストパターンを形成し、導電性金属層をエッチングすることにより導電性金属からなる幾何学図形を形成することを特徴とする電磁波シールド性接着フィルムの製造法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photosensitive resin composition which can maintain high adhesion and peeling characteristics, even if using a less rugged circuit board and is superior in plating and etching resistance and resolution, and a photosensitive element and a resist pattern which uses this resin composite, and to provide a printed circuit board.例文帳に追加

表面の凹凸が少ない回路形成用基板を用いる場合であっても、該基板に対する密着性と剥離特性との双方を高水準で維持することができ、耐めっき性、耐エッチング性及び解像性に優れた感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供すること。 - 特許庁

(1) The method for forming a conductor interconnection circuit on a semiconductor wafer comprises a step for laying a metal foil for forming interconnection on the side for forming the electrodes of the semiconductor wafer having circuit elements formed on the surface, a step for forming an interconnection pattern on the metal foil, a step for etching the metal foil, and a step for removing resist and forming an interconnection.例文帳に追加

（１）表面に回路素子の形成された半導体ウェハ上の電極形成面側に配線形成用金属箔を積層する工程、該金属箔上に配線パターンを形成する工程、金属箔のエッチングを行う工程、および、レジストを除去して配線を形成する工程を含む、半導体ウェハ上の導体配線回路形成方法。 - 特許庁

After a water-repelling resin layer 11 is formed on the surface thereof, a photo resist layer 12 is formed thereon, to which halftone exposure is applied with a mask adjusted in the exposure amount, and then patterning is performed by etching so that contact holes 10b, 10c reaching the matrix circuit and a recessed part 10a are formed in a contact hole area.例文帳に追加

その表面に撥水性樹脂層１１を形成した後、その上にフォトレジスト層１２を形成し、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光を施し、エッチングによりコンタクトホール領域にマトリクス回路に達するコンタクトホール１０ｂ，１０ｃと、凹所領域１０ａとが形成されるようにパターニングする。 - 特許庁

After a resist window pattern 3 is formed by adhering photoresist 2 onto a substrate 1 and patterning it by photolithography, the substrate 1 is etched by dry etching to form an overhang 5, a pattern material 6 of metal is vapor-deposited thereupon, and the photoresist 2 is removed to remove an unnecessary pattern material 6a, thereby forming a desired pattern 6b.例文帳に追加

基板１上にフォトレジスト２を被着形成し、これをフォトリソグラフィでパターニングしてレジスト窓パターン３を形成した後、等方性ドライエッチングで基板１をエッチングすることによりオーバーハング５を形成し、その上から金属のパターン材料６を蒸着し、フォトレジスト２を除去することによって不要なパターン材料６ａを除去して所望のパターン６ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a new fluorine-containing polymerizable monomer and fluorine-containing high polymer compound that has high transparency in a very wide wavelength area from the ultraviolet area to the near infrared area, additionally have high adhesion to substrate, film-forming properties, heat resistance, solvent resistance, dielectric property, mechanical stability, further has high etching resistance and is useful as a resist material and photographic sensitive material.例文帳に追加

紫外線領域から近赤外線領域に至るまでの幅広い波長領域で高い透明性を有し、かつ基板への高い密着性及び成膜性、耐熱性、耐溶剤性、誘電特性、機械的安定性、さらには高いエッチング耐性を有したレジスト材料や感光性材料に有用な新規な含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物を提供する。 - 特許庁

A resist 67 is formed on a silicon oxide film SiO2 66 to have an opening 62 corresponding to a contact hole and an opening 64 for monitor and then the silicon oxide film SiO2 66 is subjected to dry etching through the opening 64 for monitor along with an essential pattern, i.e., the opening 62 corresponding to a contact hole.例文帳に追加

酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）６６上にコンタクトホールに対応した開口部６２と共にモニタ用開口部６４を有するようにレジスト６７を形成し、本来のパターンであるコンタクトホールに対応した開口部６２と共にモニタ用開口部６４を介して酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）６６をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a stainless steel resin laminate which can do the precision processing of stainless steel by preventing pitting corrosion of stainless steel foil in an aqueous solution containing halogen anions represented by hydrochloric acid treatment in consideration of the fact that in a stainless steel laminate, when the stainless steel foil is etched, it is indispensable to secure adhesion strength of an etching resist and the stainless steel foil.例文帳に追加

ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

To provide a film forming composition for nanoimprint, a photosensitive resist and a nanostructure excellent in etching durability to oxygen gas, preventing a transfer pattern from peeling, solving a problem about a retention time on a substrate and having excellent transferring property, to provide a pattern forming method using the composition or the like, and to provide a program to carry out the pattern forming method.例文帳に追加

酸素ガスに対するエッチング耐性に優れるとともに、転写パターンの剥離を防止し、基板上における保持時間についての問題を解消し、転写性にも優れるナノインプリント用の膜形成組成物及び感光性レジスト、ナノ構造体、これらを用いたパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を実現するためのプログラムを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a photomask determines a drawing position of a transfer pattern so that, in a drawing step, at least a part of the defects existing in a thin film of the photomask blank and/or a surface of a resist film is within an area of the transfer pattern and the defects of the part disappear after etching processing on the basis of defect information of the photomask blank grasped beforehand.例文帳に追加

描画工程において、予め把握したフォトマスクブランクの欠陥情報に基づき、フォトマスクブランクの薄膜及び／又はレジスト膜表面に存在する欠陥の少なくとも一部分が、転写パターンの領域内にあって、かつエッチング加工後には該一部分の欠陥が消滅するように、転写パターンの描画位置を決定するフォトマスクの製造方法である。 - 特許庁

The waste copper etching solution and the waste resist solution, both of which are discharged from the printed circuit board, are simultaneously treated by adjusting both of the waste solutions to a pH of 8-13 in the presence of a rare earth element compound, sedimenting and separating copper as a hardly soluble substance while sedimenting and separating an organic substance in raw water.例文帳に追加

プリント基板から排出される銅エッチング廃液とレジスト廃液を希土類化合物の共存下で、ｐＨを８〜１３に調整することによって、該銅を難溶性物質として沈殿分離させること及び該原水中の有機物を沈殿分離させる銅エッチング廃液とレジスト廃液の同時処理方法。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can keep both high adhesion to and high peelability from the substrate even in using the substrate for circuit formation having less surface irregularity, and is excellent in plating resistance, etching resistance and resolution, and to provide a photosensitive element using the composition, a method for producing a resist pattern and a method for producing a printed wiring board.例文帳に追加

表面の凹凸が少ない回路形成用基板を用いる場合であっても、該基板に対する密着性と剥離特性との双方を高水準で維持することができ、耐めっき性、耐エッチング性及び解像性に優れた感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供すること。 - 特許庁

Openings 2 for part insertion holes 7 are beforehand bored in a resist member 1, a metal plate 3 is temporarily bonded onto the member 1 and etching is performed thereon, and substrates where a circuit is formed are individually prepared and a plurality of sheets of synthetic resin-made core member bundles 5 are held to heat/pressure-forming press each substrate, based on a desired circuit design.例文帳に追加

所望の回路設計に基づき、レジスト部材１に部品挿入穴７用開口部２を予め穿設し、該レジスト部材１上に金属板３を仮接着してエッチング処理し、回路を形成したものを各別に作成し、複数枚の合成樹脂製コア部材束５を挟持して加熱・加圧成形プレスする。 - 特許庁

To provide a sheet type adhesive laminate capable of pasting a liquid crystal display element board to a flat board for transfer system, utilizing a liquid crystal display element manufacturing unit and process using conventional glass board as it is, and very easy to dismantle the liquid crystal display element after treatment such as resist formation, etching, cleaning, and directed film printing process, etc.例文帳に追加

液晶表示素子用基板を平坦性を有する搬送用基板に貼着することができ、従来のガラス基板を用いた液晶表示素子製造装置や工程がそのまま利用でき、レジスト形成工程、エッチング工程、洗浄工程、配向膜印刷工程等の処理後に、該液晶表示素子用基板の取り外しがきわめて容易となるようなシート状粘着剤積層体を提供すること。 - 特許庁

Correction based on a work conversion difference depending on a pattern at the time of process using a first resist pattern as a mask is performed for the pattern dimension of a first photomask, and correction based on a work conversion difference depending on a pattern at the time of etching process of a film to be processed by using a mask pattern as a mask is performed for the pattern dimension of the first photomask.例文帳に追加

第１のフォトマスクのパターン寸法に対して、第１のレジストパターンをマスクに用いた加工時のパターンに依存する加工変換差に基づく補正を行い、前記第１のフォトマスクのパターン寸法に対して、前記マスクパターンをマスクに用いた前記被加工膜のエッチング加工時のパターンに依存する加工変換差に基づく補正を行う。 - 特許庁

To provide an underlayer film forming material, the film functions as an underlayer film for a silicon-containing two-layer resist process or as a superior antireflection film, is adaptable to all wavelengths of 248 nm, 193 nm and 157 nm, has optimum n value and k value as compared with polyhydroxystyrene, cresol novolac, naphthol novolac, etc., and is excellent in etching resistance during substrate working, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

珪素含有２層レジストプロセス用下層膜として、優れた反射防止膜として機能し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍの全ての波長に対応し、ポリヒドロキシスチレン、クレゾールノボラック、ナフトールノボラックなどよりも最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性が優れた下層膜形成材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for forming a photosensitive resin layer superior in forming metal printed wiring, by eliminating the problem of tangle to a conveying system by an peeling piece in an etching resist peeling process, in the final stage of a manufacturing process in a printed circuit board manufacture, and to provide a photosensitive transfer material, and a method for manufacturing a printed circuit board which uses it.例文帳に追加

プリント基板製造において、製造工程の最終段階でのエッチングレジスト剥離工程で剥離片による搬送系への絡み付きなどの問題が無く、金属のプリント配線を形成するに良好な感光性樹脂層を形成する感光性樹脂組成物及び感光性転写材料、並びにそれを用いたプリント基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.例文帳に追加

半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

For forming a light transmission path with SiO2, a mask such as resist pattern is formed on the substrate 1, a well in semicircular form is formed by etching the substrate 1 using the mask, SiO2 exhibiting flowability is grown in the shape of the cross section of a round using the mask through a liquid phase CVD method, and SiO2 is solidified.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 で光伝送路を形成するには、基板上にレジストパターンなどのマスクを形成し、このマスクを用いて基板をエッチングすることにより半円形の溝を形成し、このマスクを用いて液相ＣＶＤ法により溝の部分に流動性を有するＳｉＯ_2 を円形の断面形状に成長させた後、このＳｉＯ_2 を固化させる。 - 特許庁

To provide a new method for efficiently producing monomer useful for introducing a construction unit having a specific butyrolactone ring into an acrylic resin so as to obtain a chemical amplification type photoresist composition having good transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern forms, dry etching resistance and adhesiveness and having high affinity to alkalis.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーに対して良好な透明性を有し、優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示し、アルカリに対し高い親和性を有する化学増幅型ホトレジスト組成物を得るため、アクリル系樹脂に、特定のブチロラクトン環をもつ構成単位を導入するが、その導入のために有用な単量体を効率よく製造するための新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming a conductive layer 12a composed of chromium film or chromium alloy film for a lower electrode on an insulating substrate 11, a resist layer 9 is formed on the conductive layer 12a (fig.(a)), then the conductive layer 12a is patterned by a wet etching process, thereby, the lower electrode 12 is formed (fig.(b)).例文帳に追加

絶縁性基板１１上に下部電極用のクロム膜若しくはクロム合金膜からなる導電性層１２ａを成膜した後、導電性層１２ａ上にレジスト層９を形成し（図１（ａ））、導電性層１２ａをウェットエッチング工程にてパターニングすることで下部電極１２を形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁

In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

When the interpolymer complex layer is formed on an upper resist pattern of a BLR using a coating composition containing a silicon contained substance such as a silicon alcoxide monomer, a silicon alcoxide oligomer, or partial hydrolysates of these, a micropattern is formed with an increased resistance property to dry etching by an increased silicon content.例文帳に追加

シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってＢＬＲの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。 - 特許庁

The method can prevent an inorganic hard mask film from being damaged by the formation of a pattern by forming a multilayer mask layer, including the inorganic hard mask film, an organic mask film, an antireflection film, and a silicon containing photo resist film and dry-etching the antireflection film and the organic mask film using O_2 plasma.例文帳に追加

この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁

To lessen dispersion in etched dimensions in a base barrier metal layer by completing with one patterning of a resist into an etching mask when an aluminum alloy wiring layer not less than 3 μm in thickness deposited on the base barrier metal layer is patterned as desired in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、３μｍ以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたり、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを１回で済ませ、下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすること。 - 特許庁

In washing the fine structure such as a semiconductor, a micromachine or the like, peroxide is added to carbon dioxide set to a supercritical state and the peroxide itself is dissociated in carbon dioxide set at the supercritical state to remove a pollutant such as resist or etching residue at the time of formation of a pattern without destructing the fine structure.例文帳に追加

半導体やマイクロマシン等の微細構造の洗浄において、超臨界状態の二酸化炭素に過酸化物を添加し、更に過酸化物自体を超臨界状態の二酸化炭素中で解離させることにより、微細な構造を破壊することなく、パターン形成時のレジストやエッチング残渣物等の汚染物質を除去する。 - 特許庁

In dry etching for patternizing a silicon nitride 12 and silicon oxide film 11 by using a resist pattern 13, introduction defects at the time of growth in a silicon substrate 10, which cause conical pattern defects, are removed by digging the surface part of the groove formation region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

The resist composition contains (A) a polymer containing a unit formed by the cleavage of an ethylenic double bond and having a fluorine atom or a fluorine-containing lower alkyl group (a1) and an aromatic group (a2) which imparts dry etching resistance and (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation.例文帳に追加

本発明は、（Ａ）フッ素原子又はフッ素含有低級アルキル基（ａ１）と耐ドライエッチング性を付与する芳香族基（ａ２）とを有する、エチレン性二重結合が開裂して形成される単位を含む重合体、及び（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有してなるレジスト組成物、並びにそれに用いるレジスト用基材樹脂である。 - 特許庁

Further, a fourth insulating film 10 is deposited on the first insulating film pattern 9, a resist pattern is formed again, and spacer processing and anisotropic etching processing are performed to form a spacer part with the width F/2 on a line part of the first insulating film pattern 9 and form a line and spacer pattern with a pattern pitch F.例文帳に追加

更に、第１の絶縁膜パターン９上に第４の絶縁膜１０を堆積させ、再びレジストパターン形成、スペーサ加工、及び異方性エッチング処理を施すことで、第１の絶縁膜パターン９のライン部にＦ／２の幅のスペース部を形成してパターンピッチＦのラインアンドスペースパターンを形成する。 - 特許庁

To provide an antireflection film forming composition, having high power to absorb reflected light and capable of forming an antireflection film which has full resistance, even with respect to a developing solution on which a resist pattern excellent in shape can easily be formed at a high etching rate, even if the antireflection film is made thick and difference in level on a substrate is planarized.例文帳に追加

反射光に対して吸収能が高く、エッチングレートが高く反射防止膜を厚膜にし基板上の段差を平坦化しても形状に優れたレジストパターンが容易に形成でき、かつ現像液に対しても充分な耐性を有する反射防止膜を形成できる反射防止膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method comprises steps for: forming an electrode 15 on a glass board being the electrode board 10; drilling a prescribed position of the glass board; forming a protective film such as a dry film and a resist on a surface where the electrode 15 is formed; and wet-etching a part that is subjected to at least the drilling.例文帳に追加

電極基板１０となるガラス基板上に電極１５を形成する工程と、ガラス基板の所定の位置を掘削加工する工程と、電極１５が形成された面にドライフィルム、レジスト等の保護膜を形成する工程と、少なくとも掘削加工された部分に対してウェットエッチングを行う工程とを有する。 - 特許庁

In dry etching using a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, introduction defects in growth in the silicon substrate 10, which cause conical-pattern defects, are removed by digging a surface part of a separation groove forming region of the silicon substrate 10 at overetching.例文帳に追加

シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which enables transfer with higher precision ultra-fine resist pattern by reducing light reflectivity of lower-layer metal and secures selection ratio of masks and metal to form ultra-fine metallizing by implementing the metal etching via a hard mask of an oxide film.例文帳に追加

下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁