「hemt」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.例文帳に追加

GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode having gate length not more than a lithography limit, to provide a method of manufacturing AlGaN/GaN-HEMT having good high-frequency characteristics, and to provide AlGaN/GaN-HEMT.例文帳に追加

リソグラフィ限界以下のゲート長を有するゲート電極の形成方法、及び高周波特性のよいAlGaN/GaN-HEMTの製造方法及びAlGaN/GaN-HEMTを提供する。 - 特許庁

To provide an HEMT that operates in normally-off state and is lower in on-state resistance.例文帳に追加

ノーマリオフで動作するとともにオン抵抗の小さなHEMTを実現すること。 - 特許庁

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR(HEMT)例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ） - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GaN-HEMT例文帳に追加

ＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法 - 特許庁

HEMT HAVING MIS STRUCTURE WITHIN例文帳に追加

ＭＩＳ構造を内蔵するＨＥＭＴ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF INGAP-HEMT例文帳に追加

ＩｎＧａＰ‐ＨＥＭＴの製造方法 - 特許庁

FLIP-CHIP COUNTER-ELECTRODE HEMT例文帳に追加

フリップチップ型対面電極ＨＥＭＴ - 特許庁

Consequently, the HEMT having a normally-off characteristic and small on-state resistance can be obtained.例文帳に追加

これにより、ノーマリオフ特性を有し且つオン抵抗が小さいHEMTを得ることができる。 - 特許庁

To request a miniaturization of a complex semiconductor device consisting of a HEMT (High Electron Mobility Transistor) and a diode.例文帳に追加

HEMTとダイオードとから成る複合半導体装置の小型化が要求されている。 - 特許庁

To provide a vertical AlGaN/GaN-HEMT for performing a sure normally-off operation, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

確実なノーマリオフ動作する縦型AlGaN/GaN-HEMTおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The HEMT 3 has normally-on characteristics.例文帳に追加

ＨＥＭＴ３はノーマリオン特性を有する。 - 特許庁

The high voltage durability HEMT includes a III-nitride semiconductor body 12 formed over the P type conductive (111) silicon layer 16 and forming a heterojunction of the HEMT.例文帳に追加

高電圧耐久HEMTは、P型導電性の(111)シリコン層１６上に形成したIII族窒化物半導体本体１２であって、HEMTのヘテロ接合を形成する、III族窒化物半導体本体も備える。 - 特許庁

These constitute an HEMT element 3.例文帳に追加

これにより、ＨＥＭＴ素子３を構成する。 - 特許庁

HEMT-HBT DOHERTY MICROWAVE AMPLIFIER例文帳に追加

ＨＥＭＴ−ＨＢＴドハーティ・マイクロ波増幅器 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE AND HEMT ELEMENT例文帳に追加

半導体積層構造およびＨＥＭＴ素子 - 特許庁

SUBSTRATE FOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)例文帳に追加

高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）用基板 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER AND HEMT例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハ及びＨＥＭＴ - 特許庁

MIS GATE STRUCTURE TYPE HEMT ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING MIS GATE STRUCTURE TYPE HEMT ELEMENT例文帳に追加

ＭＩＳゲート構造型のＨＥＭＴ素子およびＭＩＳゲート構造型のＨＥＭＴ素子の作製方法 - 特許庁

Fujitsu is reported to have chosen GaAs/GaAlAs high electron mobility transistor (HEMT) technology for its next supercomputer. 例文帳に追加

富士通は次のスーパーコンピュータのために、GaAs/GaAlAs高電子移動度トランジスタ（HEMT）技術を選んだと報告している。 - コンピューター用語辞典

REGROWN SCHOTTKY STRUCTURES FOR GaN HEMT DEVICES例文帳に追加

ＧａＮＨＥＭＴ装置用再成長ショットキー構造 - 特許庁

GAN BASED HEMT WITH BURIED FIELD PLATE例文帳に追加

埋設フィールドプレートを有するＧａＮベースのＨＥＭＴ - 特許庁

The HEMT device shows higher gain and frequency responsiveness than a HEMT device 10 of prior art.例文帳に追加

このＨＥＭＴデバイスは、従来技術のＨＥＭＴデバイス１０より高いゲインと周波数応答を示す。 - 特許庁

A first electron supply layer 4 which is relatively thin is formed on an electron traveling layer 3 to manufacture the HEMT.例文帳に追加

HEMTを製造するために、電子走行層３の上に比較的薄い第１の電子供給層４を形成する。 - 特許庁

TRANSISTOR DEVICE AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT)例文帳に追加

トランジスタデバイスおよび高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ） - 特許庁

Then the HEMT is covered to form a sacrifice layer 15.例文帳に追加

次に、ＨＥＭＴを覆って犠牲層１５を形成する。 - 特許庁

EPITAXIAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE SUBSTRATE, AND HEMT DEVICE例文帳に追加

エピタキシャル基板、半導体デバイス基板、およびＨＥＭＴ素子 - 特許庁

HEMT CURRENT MODE LOGIC CIRCUIT OPERATED IN SUBSTHRESHOLD RANGE例文帳に追加

サブスレショルド範囲で動作するＨＥＭＴカレントモード論理回路 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND HEMT ELEMENT例文帳に追加

半導体積層構造、半導体素子およびＨＥＭＴ素子 - 特許庁

METHOD OF FORMING LARGE-AREA, HIGH-GATE-CURRENT HEMT DIODE例文帳に追加

大面積、高ゲート電流ＨＥＭＴダイオードの形成方法 - 特許庁

The HEMT device is formed from a GaN material system.例文帳に追加

本ＨＥＭＴデバイスは、ＧａＮ材料系から形成される。 - 特許庁

To prevent the lowering of the maximum drain current in MIS-HEMT wherein a gate recess portion is formed penetrating through a 2DEG (two-dimensional electron gas) layer.例文帳に追加

ゲートリセス部が2DEG（２次元電子ガス)層を貫通して形成されたMIS-HEMTにおいて、最大ドレイン電流の低下を防止する。 - 特許庁

HEMT DEVICE WITH INSERTION LAYER BETWEEN BUFFER LAYER AND CHANNEL例文帳に追加

緩衝層とチャネルの間に挿入層を有するＨＥＭＴデバイス - 特許庁

The first and second HEMT elements 21 and 22 have a common channel layer 13 and a source electrode of the first HEMT element 21, and a drain electrode of the second HEMT element 22 are made to be a common source electrode 17.例文帳に追加

第１および第２のＨＥＭＴ素子２１，２２は共通のチャネル層１３をもち、第１のＨＥＭＴ素子２１のソース電極と第２のＨＥＭＴ素子２２のドレイン電極を共通のソース電極１７とする。 - 特許庁

The driving circuit 1 is equipped with an oscillator 11 which outputs a control signal turning on/off a depletion type GaN-based HEMT 10 to the gate of the HEMT 10.例文帳に追加

駆動回路１は、デプレッション型のGaN 系HEMT１０のゲートに、HEMT１０をオン／オフさせる制御信号を出力する発振器１１を備える。 - 特許庁

To provide an HEMT device that has a relaxed layer showing high gain and frequency response, as compared with the conventional HEMT device.例文帳に追加

従来技術のＨＥＭＴデバイスの場合より、高いゲインと周波数応答を示す緩衝層を有するＨＥＭＴデバイスを提供する。 - 特許庁

The Schottky electrode 19 is the gate electrode of HEMT 11.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、高電子移動度トランジスタ１１のゲート電極である。 - 特許庁

AlGaN/GaN-HEMT MANUFACTURING METHOD USING SELECTION-REGROWTH例文帳に追加

選択再成長を用いたＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＥＭＴの製造方法 - 特許庁

In the HEMT 100, mesa-type conduction channels are connected in parallel.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１００では、メサ型の伝導チャネルが並列に接続されている。 - 特許庁

To provide a III-nitride semiconductor device similar to an HEMT having high voltage durability by controlling charge carriers within an conductive region when high voltage is applied.例文帳に追加

高電圧の印加時に、電荷キャリアを導電領域内に抑制して、高電圧耐久性を呈する、HEMTのようなIII族窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

In a transistor device 1 wherein a high electron mobility transistor (HEMT) 3 is formed on a GaAs substrate 2 and a heterobipolar transistor (HBT) 4 is formed on the HEMT 3, there is formed a barrier layer 10 in the HEMT 3.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上に高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）３が形成され、該ＨＥＭＴ３上にヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）４が形成されたトランジスタ素子１において、上記ＨＥＭＴ３内にバリア層１０を有する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device that can reduce contact resistance and establish high speed performance of an InP-based HEMT even if a double-doped InP-based HEMT or a reverse HEMT InP-based HEMT wherein high reliability can be obtained has a micro-fabricable non-alloy ohmic electrode structure.例文帳に追加

化合物半導体装置に関し、高信頼性を実現可能なダブルドープ構造ＩｎＰ系ＨＥＭＴ又は逆ＨＥＭＴ構造ＩｎＰ系ＨＥＭＴに於いて、微細化が可能なノンアロイオーミック電極構造の場合にも接触抵抗を低減させ、ＩｎＰ系ＨＥＭＴの高速性能を実現する。 - 特許庁

DUAL GATE HIGH-ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) STRUCTURE SEMICONDUCTOR MODULATION ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

デュアルゲートＨＥＭＴ構造半導体変調素子及びその製造方法 - 特許庁

EFFICIENT RUSH CURRENT LIMITING CIRCUIT HAVING DUAL-GATE TWO-WAY HEMT例文帳に追加

デュアルゲート双方向ＨＥＭＴをもつ効率的な突入電流制限回路 - 特許庁

To enhance the reliability of a HEMT formed from GaN-based materials.例文帳に追加

ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴの信頼性を高める。 - 特許庁