「higher order silane」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of preparing a higher order silane solution by which the characteristics or the thickness of a film formed from a silicon material, particularly a higher order silane solution is uniformalized.例文帳に追加

シリコン膜を形成するために使用される液体シリコン材料、特に高次シラン溶液について、成膜後に膜の特性や厚さが均一になる高次シラン溶液の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A coating liquid wherein a chain higher order silane compound B, a compound containing a metal M and a solvent C are mixed is prepared, wherein the solvent C includes a compound having a lower boiling point than the higher order silane compound B and interacting with the metal M.例文帳に追加

鎖状の高次シラン化合物Ｂと、金属Ｍを含有する化合物と、高次シラン化合物Ｂよりも沸点が低く金属Ｍと相互作用する化合物からなる溶媒Ｃとを混合した塗布液を調整する。 - 特許庁

A method for producing a germanium atom-containing higher order silane compound comprises irradiating a solution containing a photopolymerizable silane compound and a germanium compound with a ray having a longer wavelength than 400 nm to form the germanium atom-containing higher order silane compound.例文帳に追加

光重合性シラン化合物およびゲルマニウム化合物を含有する溶液に、４００ｎｍより長い波長の光線を照射せしめてゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を生成せしめるゲルマニウム原子含有高次シラン化合物の製造法。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGHER ORDER SILANE COMPOUND CONTAINING PHOSPHORUS ATOM AND METHOD FOR FORMING PHOSPHORUS-CONTAINING SILICON FILM BY USING THE SAME例文帳に追加

リン原子含有高次シラン化合物の製造法及びそれを用いたリン含有シリコン膜の形成方法 - 特許庁

In the process for forming the silicon film, the higher order silane composition is applied onto a substrate.例文帳に追加

また、本発明は、前記高次シラン組成物を、基板に塗布することを特徴とするシリコン膜の形成方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a higher-order silane composition capable of forming a safe, high-quality film with desired thickness through a liquid phase process.例文帳に追加

液相プロセスを用いて、安全かつ所望な膜厚の良質な膜を形成することができる高次シラン組成物を提供すること。 - 特許庁

METHOD OF PREPARING HIGHER ORDER SILANE SOLUTION, METHOD OF FORMING SILICON FILM, SILICON FILM, THIN FILM TRANSISTOR (TFT), AND ELECTRO-OPTIC DEVICE例文帳に追加

高次シラン溶液の製造方法、シリコン膜の形成方法、シリコン膜、ＴＦＴ及び電気光学装置 - 特許庁

To take in and exhaust a source gas uniformly on a large-area substrate, and to promptly remove higher-order silane generated in plasma space.例文帳に追加

大面積の基板においても原料ガスの均一な給排気が可能であり、且つプラズマ空間で発生した高次シランを速やかに除去する。 - 特許庁

The method for forming a higher order silane compound containing phosphorus atom comprises the irradiation of a solution containing a photopolymerizable silane compound and a phosphorus compound with light having wavelength of >400 nm.例文帳に追加

光重合性シラン化合物およびリン化合物を含有する溶液に、４００ｎｍより長い波長の光線を照射せしめてリン原子含有高次シラン化合物を生成せしめるリン原子含有高次シラン化合物の製造法。 - 特許庁

The higher-order silane composition is a composition containing a higher-order silane compound and a solvent, provided that the solvent comprises a cyclic hydrocarbon which has one or two double bonds, does not have any alkyl group, comprises only carbons and hydrogens and has a refractive index of 1.40-1.51, a dielectric constant of ≤3.0 and a molecular weight of ≤180.例文帳に追加

上記高次シラン組成物は、高次シラン化合物および溶媒を含有する組成物であって、前記溶媒が、二重結合を１つまたは２つ有し、アルキル基を有さず、炭素および水素のみから構成され、屈折率が１．４０〜１．５１であり、比誘電率が３．０以下であり、そして分子量が１８０以下である環状炭化水素を含有してなることを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a higher order silane composition which contains a higher order silane compound having a larger molecular weight from the viewpoint of wettability, boiling point and safety upon its application onto a substrate, and especially can easily form a high-quality silicon film, and a process for forming the excellent silicon film using the composition.例文帳に追加

本発明は、基板に塗布する場合の濡れ性、沸点及び安全性の観点から分子量のより大きな高次シラン化合物を含み、特に、容易に且つ良質なシリコン膜を形成することができる高次シラン組成物、及び該組成物を用いて優れたシリコン膜を形成する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A method for forming a germanium-containing silicon film comprises coating the solution containing the germanium atom-containing higher order silane compound obtained by the above method on a substrate and heat-treating the coated substrate.例文帳に追加

上記方法で得られたゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を含む溶液を基板に塗布し、さらにその塗布基板を熱処理することからなるゲルマニウム含有シリコン膜の形成方法。 - 特許庁

The method for forming a phosphorus-containing silicon film comprises the coating of a substrate with a solution containing the higher order silane compound containing phosphorus atom obtained by the above method and the heat-treatment of the coated substrate.例文帳に追加

上記方法で得られたリン原子含有高次シラン化合物を含む溶液を基板に塗布し、さらにその塗布基板を熱処理することからなるリン含有シリコン膜の形成方法。 - 特許庁

The method of forming a doped silicon film includes a first process for increasing a temperature of a liquid material containing the dopant source and higher-order silane compound from a first temperature to a second temperature under a pressurized atmosphere in a vessel.例文帳に追加

ドーパントソースと高次シラン化合物とを有する液体材料の温度を容器中で加圧雰囲気下にて第１温度から第２温度に上昇させる第１工程を含む、ことを特徴とするドープシリコン膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for forming a uniform germanium-doped silicon conductive film on a substrate by a coating method under ordinary pressure, and to provide a method for producing a phosphorus atom-containing higher order silane compound therefor.例文帳に追加

常圧下で、塗布法により、基体上に、均一なゲルマニウムドープシリコン導電膜を形成する方法およびそのためのリン原子含有高次シラン化合物の製造法の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a uniform phosphorus-doped conductive silicon film on a substrate under normal pressure by a coating method and provide a method for producing a higher order silane compound containing phosphorus atom for the film-forming method.例文帳に追加

常圧下で、塗布法により、基体上に、均一な燐ドープシリコン導電膜を形成する方法およびそのためのリン原子含有高次シラン化合物の製造法の提供。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device capable of forming a thin film of silicon, or the like, with high quality which reduces defect formation in the film and mixture of higher-order silane, and a manufacturing method of the silicon-based thin film employing the device.例文帳に追加

膜中での欠陥形成と高次シランの混入の少ない高品質なシリコンなどの薄膜を形成可能なプラズマＣＶＤ装置、及びそれを用いたシリコン系薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, a deposition process S2 for depositing the silicon thin film, including a crystal structure on the substrate, is performed by a plasma CVD method using higher-order silane-based gas expressed by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and hydrogen gas for deposition gas.例文帳に追加

Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスと水素ガスとを成膜ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により、結晶構造を含むシリコン薄膜を基板上に成膜する成膜工程Ｓ２を行う。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin film transistor comprises a process of forming a silicon film by applying a dopant and a liquid material containing a silane compound or silane of higher order above a substrate, and a phototreatment process of forming a source and a drain region which consist of a doped film wherein the dopant is activated by conducting a phototreatment of part of the silicon film.例文帳に追加

本発明は、基板の上方に、ドーパントおよび、シラン化合物又は高次シランを含む液体材料を供与してシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜の一部を光処理することにより、ドーパントが活性化されたドープ膜からなるソース領域及びドレイン領域を形成する光処理工程と、を備える薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flame retardant resin composition for mixing with silane-crosslinkable resins, making elasticity compatible with heat resistance at a higher order and usable especially for wire-coating materials, and to provide moldings molded from the flame retardant resin.例文帳に追加

難燃性が良好で、さらに柔軟性及び耐熱性を高い次元で両立させた、特に電線被覆用材料に用いる、シラン架橋性ポリオレフィンとの混合用難燃性樹脂組成物、及び該難燃性樹脂組成物を成形させた成形品を提供する。 - 特許庁

In a nucleation process as a previous process, a nucleation process S1 for generating a crystalline nucleus on the substrate is performed by a reactant thermal CVD method or the plasma CVD method using higher-order silane-based gas represented by Si_nH_2n+2 (n=2, 3...) and germanium halide gas for deposition gas.例文帳に追加

また前工程として、前記核生成工程では、Ｓｉ_nＨ_2n+2（ｎ＝２，３,…)で表される高次シラン系ガスとハロゲン化ゲルマニウムガスとを成膜ガスに用いた反応性熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によって基板上に結晶核を生成するための核生成工程Ｓ１を行う。 - 特許庁

A silicon oxide film (SiO_2), made of the higher order silane, is far smaller in stress than a conventional oxide film, hardly causes warpage, has proper embedding ability, and is smaller in density of the trench than an interlayer insulation film which is formed on the flat principle surface of the semiconductor substrate, thereby achieving low relative permittivity.例文帳に追加

この高次シランから形成されるシリコン酸化膜（ＳｉＯ_2 ）は、ストレスが従来の酸化膜より格段に小さく殆ど反りのない性質をもち、埋め込み性が良く、トレンチ内での密度が半導体基板の平坦な主面上に形成された同じ材料の層間絶縁膜より小さく従って比誘電率が小さいという特性を有する。 - 特許庁