| 意味 | 例文 |
insulating layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 15926件
To secure connection between an electrode layer and a copper wiring layer while keeping adhesiveness between an insulating layer and an adhesion layer.例文帳に追加
絶縁層と密着層との密着性を保ちつつ、電極層と銅配線層との接続を確保する。 - 特許庁
The carrier selection element includes a third semiconductor layer, a metal layer, a second gate insulating layer, and a third conductive layer.例文帳に追加
キャリア選択素子は、第3半導体層、金属層、第2ゲート絶縁層、及び第3導電層を備える。 - 特許庁
A polysilicon layer (amorphous silicon layer) 17a is separated from the polysilicon layer 19 through the sidewall insulating layer 25a.例文帳に追加
ポリシリコン層(アモルファスシリコン層)17aは、サイドウォール絶縁層25aにより、ポリシリコン層19と分離される。 - 特許庁
In addition, a polysilicon layer 17b (amorphous silicon layer) is separated from the polysilicon layer 19 through the sidewall insulating layer 25b.例文帳に追加
また、ポリシリコン層(アモルファスシリコン層)17bは、サイドウォール絶縁層25bにより、ポリシリコン層19と分離される。 - 特許庁
This therapeutic electrode is provided with an insulating layer and a conductive layer superimposed on the insulating layer and the conductive layer is provided with a mesh sheet formed of a conductive fiber.例文帳に追加
絶縁層とこの絶縁層に積層された導電層とを備え、前記導電層には導電性繊維により形成されたメッシュ状シートを備えた。 - 特許庁
The cover-insulating layer 4 with the opening section 5a is formed on the base insulating layer 1 so as to cover the tin plating layer 3 on the tin plating layer 3.例文帳に追加
錫めっき層3上に開口部5aを有するカバー絶縁層4を錫めっき層3を覆うようにベース絶縁層1上に形成する。 - 特許庁
Then an insulating layer 15 is provided on the electrode formation layer 62, and a thin film transistor 30 which conducts to the electrode formation layer 62 is provided on the insulating layer 15.例文帳に追加
そして、電極形成層62上に絶縁層15を設け、絶縁層15上に電極形成層62に導通する薄膜トランジスタ30を設ける。 - 特許庁
The ferromagnetic layer 3 may be a conductive or insulating ferromagnetic layer, or may be a conductive ferromagnetic layer laminated with an insulating layer between.例文帳に追加
強磁性層3は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。 - 特許庁
The method for manufacturing the CMOS device of the double vertical channel thin film transistor comprises the steps of covering a gate layer 20 formed on a substrate 10 with a first insulating layer 30, and forming a semiconductor layer 40 on the first insulating layer.例文帳に追加
基板10上に形成されたゲート層20を第一絶縁層30で被覆し、第一絶縁層上に半導体層40を形成する。 - 特許庁
In this multilayer wiring circuit board, a ground layer 32 is arranged on the lower surface of the lowermost insulating layer 22, and long signal lines 14 are arranged on the upper surface of an insulating layer 24 of an upper layer side.例文帳に追加
最下層の絶縁層22下面にグランド層32を備えて、上層側の絶縁層24上面には、長尺の信号線路14を配置する。 - 特許庁
An insulating layer 12 is formed in advance in a major surface side of a first substrate 11 as a self stop layer, and thereafter a buffer layer 13 is formed on the insulating layer 12.例文帳に追加
第1の基体11の主面側に予めセルフストップ層として絶縁層12を形成し、その後、絶縁層12上にバッファー層13を形成する。 - 特許庁
A second fixed magnetic layer 4c which constitutes a fixed magnetic layer 4 is formed below the insulating barrier layer 5 so as to be contacted with the insulating barrier layer 5.例文帳に追加
前記絶縁障壁層5の下には固定磁性層4を構成する第2固定磁性層4cが前記絶縁障壁層5と接して形成される。 - 特許庁
An individual single-layer circuit board 10 includes an insulating layer 11 and a wiring layer 13 formed on a principal surface 11b of the insulating layer 11.例文帳に追加
個別の単層回路基板10は、絶縁層11と、絶縁層11の一主面11b上に形成された配線層13とを含んでいる。 - 特許庁
A heat insulating layer (17) is arranged to contact with a surface of the compressor (30), and a noise absorbing layer (18) and a noise shielding layer (19) are arranged sequentially in an outside of the heat insulating layer (17).例文帳に追加
圧縮機(30)の表面に接触するように断熱層(17)を配設し、断熱層(17)の外側に吸音層(18)及び遮音層(19)を順に配設する。 - 特許庁
A second conductor layer 58 thicker than a third conductor layer 68 is disposed at an interface between the first resin insulating layer 50 and the second resin insulating layer 60.例文帳に追加
第1樹脂絶縁層50と第2樹脂絶縁層60との界面に第3導体層68よりも厚い第2導体層58が配置されている。 - 特許庁
A laminated layer 8 formed by laminating a first insulating layer 8a, a trap layer 8b and second insulating layer 8c in their order is formed on the channel region.例文帳に追加
そして、チャネル領域上に、第1の絶縁層8a、トラップ層8b、第2の絶縁層8cの順で積層された積層膜8が形成される。 - 特許庁
A grounding conductor layer 7 is formed on the lower surface of a base insulating layer 1.例文帳に追加
ベース絶縁層1の下面には、グランド導体層7が形成されている。 - 特許庁
A reflective insulating layer 3 and a light emitting layer 4 are sequentially print-formed thereon.例文帳に追加
その上に、反射絶縁層3、発光層4を順次、印刷形成する。 - 特許庁
A capacitor insulating layer 13 is made be to interposed on the second conductive layer 21.例文帳に追加
第2の導電層13の上にキャパシタ絶縁膜13が設けられる。 - 特許庁
An electrode pad 120 is formed in a surface layer of an insulating layer 110 first.例文帳に追加
まず絶縁層110の表層に電極パッド120を形成する。 - 特許庁
An insulating tunnel barrier layer 36 is arranged on the free magnetization layer 35.例文帳に追加
自由磁化層35上に絶縁性のトンネルバリア層36は配置される。 - 特許庁
A first insulating layer 3 is deposited on the first electrode layer 20.例文帳に追加
第1の絶縁層(30,130)を第1の電極層上に堆積する。 - 特許庁
The conductive film layer and the insulating film layer are alternately formed in a multilayer.例文帳に追加
導電性膜層と絶縁性膜層とは交互に多層に形成する。 - 特許庁
A plating layer 7 is formed inside the opening of the base insulating layer 2.例文帳に追加
ベース絶縁層2の開口部内にはめっき層7が形成されている。 - 特許庁
In that case, the heat insulating layer 1 preferably has an acrylic rubber base coating layer.例文帳に追加
上記断熱層はアクリルゴム系塗膜層を有することが好ましい。 - 特許庁
The thickness of the outer layer is preferably 1/2 or less of the thickness of the insulating covering layer.例文帳に追加
外層の厚みは、絶縁被覆層の厚みの1/2以下であると良い。 - 特許庁
An insulating layer having infrared reflectivity is laminated on a heat generating layer.例文帳に追加
発熱層の上に、赤外線反射性を有する絶縁層を積層する。 - 特許庁
LAMINATE OF CERAMIC-BASED INSULATING LAYER AND METAL LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
セラミック系絶縁層と金属層との積層体及びその製造方法 - 特許庁
The conductive thin film sheet 2 comprises a conductive layer 4 and an insulating layer 7.例文帳に追加
導体薄膜シート2は導体層4と絶縁層7とを備えている。 - 特許庁
The exposed face of the layer 13 may be covered with a second corrosion-resistant electrical insulating layer, and a third electrical insulating layer composed of a highly insulating layer may be arranged between the layer 13 and a metal insulating-layer support plate 11.例文帳に追加
また、電気絶縁層の露出面を耐蝕性ある第2の電気絶縁層で被覆してもよく、更には第1絶縁層13と金属製の絶縁層支持板11との間にも高絶縁性材料からなる第3の電気絶縁層を配することもできる。 - 特許庁
The high breakdown voltage transistor 300 comprises a first gate insulating layer 222 consisting of the first insulating layer 22a, the charge capturing layer 22b and the second insulating layer 22c provided on the semiconductor layer 10, and a first gate electrode 14c provided on the first gate insulating layer 222.例文帳に追加
高耐圧トランジスタ300は、半導体層10上に設けられ、第1絶縁層22a、電荷捕捉層22b、および第2絶縁層22cからなる第1ゲート絶縁層222と、第1ゲート絶縁層222上に設けられた第1ゲート電極14cとを含む。 - 特許庁
By using a high-k film as a first insulating layer having a dielectric constant higher than that of a second insulating layer, which contacts an oxide semiconductor layer, the thinning of a gate insulating layer is achieved thinner than a gate insulating layer evaluated in terms of a silicon oxide layer.例文帳に追加
酸化物半導体層と接する第2の絶縁層よりも比誘電率が高い第1の絶縁層としてhigh−k膜を用いることによって、酸化珪素膜で換算した場合のゲート絶縁層よりもゲート絶縁層の薄膜化ができる。 - 特許庁
A unit pixel comprises a second conductive layer 110, a first interlayer insulating layer 120 on the second conductive layer 110, a first conductive layer 130 on the first interlayer insulating layer 120, and a second interlayer insulating layer 140 on the first conductive layer 130.例文帳に追加
単位画素は、第2導電層110、第2導電層110上の第1層間絶縁層120、第1層間絶縁層120上の第1導電層130、及び第1導電層130上の第2層間絶縁層140を備える。 - 特許庁
An SOI substrate 1 has a supporting substrate 12, an insulating film 14 (a first insulating film), an insulating film 16 (a second insulating film), and a silicon layer 18 ( a silicon active layer).例文帳に追加
SOI基板1は、支持基板12、絶縁膜14(第1の絶縁膜)、絶縁膜16(第2の絶縁膜)、およびシリコン層18(シリコン活性層)を備えている。 - 特許庁
A heat insulating layer 23 excellent in heat insulating properties is formed in a surface of the bamboo 20.例文帳に追加
竹材20の表面には、断熱性に優れた断熱層23が形成される。 - 特許庁
INSULATING SHEET, METALLIC LAYER AND INSULATING SHEET LAMINATE, AND PRINTED WIRING BOARD USING SAME例文帳に追加
絶縁シートおよび金属層/絶縁シート積層体とそれを用いたプリント配線板 - 特許庁
An inter layer insulating film composed of an insulating material is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁
An inter-layer insulating film 104 is formed on the element isolation insulating film 102.例文帳に追加
素子分離絶縁膜102上に層間絶縁膜104が形成されている。 - 特許庁
The heat insulating roller 11 has a metal core 101 and a heat insulating layer 102 in that order.例文帳に追加
断熱ローラ11は、芯金101と断熱層102とを順次備えている。 - 特許庁
The implantation type flexible nerve electrode is constituted by a first insulating layer 11 including a photosensitive flexible insulating material, a second insulating layer 12 including the photosensitive flexible insulating material and a plurality of the electrode wires 13 formed on the first insulating layer 11 and covered with the second insulating layer 12.例文帳に追加
感光性の柔軟絶縁材料からなる第1絶縁層11と、感光性の柔軟絶縁材料からなる第2絶縁層12と、第1絶縁層11上に形成され、第2絶縁層12に覆われた複数の電極配線13とから構成される。 - 特許庁
To provide a joint for insulating tape wound cable having high workability in forming the joint of an insulating tape layer, and capable of solving a problem of the directions of winding cable insulating tape and the joint insulating tape being reverse to each other.例文帳に追加
ケーブル絶縁テープの巻き方向とジョイント部絶縁テープの巻き方向が逆向きのタイプの問題点を解決する。 - 特許庁
A strip line is formed of the insulating layer 14, the magnetic layer 20, and the conductive layer 16.例文帳に追加
ストリップラインは、絶縁層14、磁性層20、および、導電層16によって形成される。 - 特許庁
Lateral faces 4a, 5a of the luminescent layer 4 and the over layer 5 are covered with the upper insulating layer 6.例文帳に追加
発光層および直上層の側面4a、5aは上部絶縁層で覆われている。 - 特許庁
To provide a wiring board preventing a wiring layer in a lower layer from being seen transparently through an insulating layer.例文帳に追加
下層の配線層が絶縁層を介して透けて見え難い配線基板を提供すること。 - 特許庁
A source/drain layer 218 is disposed on the gate insulating layer 204 and the ohmic contact layer 214.例文帳に追加
ソース/ドレイン層218はゲート絶縁層204及びオーミック・コンタクト層214上に配置される。 - 特許庁
That is, the intermediate layer 14A is arranged between the organic semiconductor layer 12 and the insulating layer 16.例文帳に追加
即ち、中間層14Aは、有機半導体層12と絶縁層16との間に配設させる。 - 特許庁
Therefore, the conductor layer is brought into close contact with the interlayer resin insulating layer through the intermediary of the roughened layer 5.例文帳に追加
そのため、導体層は、前記粗化層5を介して層間樹脂絶縁層と密着する。 - 特許庁
A 1st storage capacitor comprises a 1st metal layer, a gate insulating layer, and a 2nd metal layer.例文帳に追加
第一蓄積コンデンサは、第一金属層、ゲート絶縁層と、第二金属層より形成される。 - 特許庁
A partial insulating layer 16 is formed on a lower magnetic pole layer 11 through a gap layer 13.例文帳に追加
下部磁極層11の上にギャップ層13を介して部分絶縁層16を形成する。 - 特許庁
Then, an insulating layer 320 is formed on the first conductive layer 312 and the bump conductive layer.例文帳に追加
そして、絶縁層320を第1導電層312とバンプ導電層の上に形成する。 - 特許庁
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