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interface compoundの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 209件
To provide a circuit board having both high heat radiation efficiency and durability, in which a semiconductor chip to be mounted can operate with a large power by preventing the generation of cracks on a solder layer for joining the circuit board to a heat radiation base and the forming of a compound layer on an interface between a metal heat radiation plate and an aluminum layer.例文帳に追加
回路基板と放熱ベースとを接合するはんだ層にクラックが発生すること及び金属放熱板とアルミニウム層との界面に化合物層が形成されることを防止することにより高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる回路基板およびそれを用いた半導体モジュールを提供すること。 - 特許庁
In the battery, a negative electrode active material layer 12 containing at least one kind out of Sn and a compound thereof is formed at the negative electrode current collector 11 by a gas phase method, a liquid phase method or a sintering method, and the negative electrode current collector 11 and the negative electrode active material layer 12 are alloyed at least in one part of the interface.例文帳に追加
基材１１Ａに突起部１１Ｂを設けた負極集電体１１に、気相法，液相法または焼結法により、Ｓｎの単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む負極活物質層１２を形成し、負極集電体１１と負極活物質層１２とを界面の少なくとも一部において合金化したものである。 - 特許庁
An intermetallic compound is formed at a solder joining interface to improve joining characteristics by having a structure where a material 2 to be joined composed of the copper material and the solder alloy are not directly brought into contact with each other or having a structure constituted of a material 1 to be joined other than the copper material and the solder alloy in the joining structure using the Sn-Zn based lead-free solder alloy 3.例文帳に追加
Ｓｎ−Ｚｎ系鉛フリーはんだ合金３を用いた接合構造において、銅材質からなる被接合物２と当該はんだ合金が直接接触しない構造を有すること、又は、銅材質以外の被接合物１と当該はんだ合金からなる構造を有することの何れかの構造を有することにより、はんだ接合界面に金属間化合物が形成されて接合特性が向上する。 - 特許庁
To provide a method by which a surface oxide film formed on a semiconductor layer made of InGaAs or InGaAsP is effectively removed to form a clean flat surface and at the same time to form a semiconductor layer for relieving lattice distortion to relieve accumulated distortion at a growing interface and then a III-V group compound semiconductor layer having less defects and good crystallinity is regrown.例文帳に追加
ＩｎＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓＰよりなる半導体層上に形成されている表面酸化膜を効果的に除去し、清浄で平坦な表面を形成すると同時に、格子歪みを緩和する半導体層を形成させて、成長界面に歪みの蓄積がなく、再成長膜に欠陥の発生の少ない結晶性の良好なIII−Ｖ族化合物半導体膜を再成長する方法を提供する。 - 特許庁
In an apparatus for manufacturing the compound semiconductor single crystal by the vertical Bridgman method, a heat shielding member 4 extending in the vertical direction is interposed between a crucible 2 in which the single crystal is grown and a heater 3, arranged around the crucible 2, in such a manner that the solid-liquid interface K in the crucible 2 is located above the heat shielding member 4.例文帳に追加
垂直ブリッジマン法を用いる化合物半導体単結晶の製造装置において、単結晶の育成が行われるルツボ２と、このルツボ２の周りに配置されたヒータ３との間に、垂直方向に延在する熱シールド部材４を介在させ、この熱シールド部材４の上方にルツボ２内の固液界面Ｋが位置するようにしたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁
An organic semiconductor device comprises an organic semiconductor layer which constitutes an active layer of the organic semiconductor thin film transistor and has an electric field effect mobility; source-drain electrodes formed in the organic semiconductor layer; and an organic compound molecular layer for controlling the threshold voltage formed in the organic semiconductor layer at the source-drain electrodes in piles, and forming a charge transfer interface at an interval to the semiconductor layer.例文帳に追加
有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース、ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極間の該有機半導体層に重ねて形成され、有機半導体層との間において電荷移動界面を形成するしきい値電圧制御用有機化合物分子層を備えたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。 - 特許庁
This organic electroluminescence element 10 includes a pair of electrodes composed of an anode 2 and a cathode 8, and at least one organic layer including a luminescent layer 5 between the electrodes, wherein the luminescent layer 5 contains at least a host compound, a phosphorescence material and an electrically-inactive material, and average T1 energy in the luminescent layer 5 decreases as distances from an interface on the anode 2 side and that on the cathode 3 side increase.例文帳に追加
陽極２及び陰極８からなる一対の電極と、該電極間に発光層５を含む少なくとも一層の有機層とを備え、該発光層５が少なくともホスト化合物、りん光材料、および電気的に不活性な材料を含み、発光層５内における平均Ｔ１エネルギーが陽極２側の界面、および陰極３側の界面からの距離が大きくなるに従って減少することを特徴とする有機電界発光素子１０。 - 特許庁
The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加
本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にＮｉ層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がＳｎ−３ｗｔ％Ｃｕ〜Ｓｎ−１０ｗｔ％Ｃｕであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、６μｍ〜５０μｍであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁
In its featured arrangement, an intermediate layer 13 containing either or both of an intermetallic compound consisting of silicon contained in the inorganic substance particles and metal contained in the metal layer 12 and its solid solution is formed at an interface between the inorganic substance particles 11 and the metal layer 12.例文帳に追加
本発明の非水電解液二次電池用負極材料は、シリコンを主成分とし、リチウムイオンを吸蔵・脱離可能な無機質粒子１１の全面又は一部を金属層１２によって被覆した複合粒子１０を含む負極材料の改良であり、その特徴ある構成は、無機質粒子１１と金属層１２の界面に無機質粒子に含まれるシリコンと金属層に含まれる金属とからなる金属間化合物又は固溶体のいずれか一方又はその双方を含有する中間層１３が形成されたところにある。 - 特許庁
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