「interface compound」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the structure of the solder bump formed by this method has the by-product of the underlying metal between the solder bump and the electrode underlayer portion, solder does not generate the brittle solder intermetallic compound at the interface with the electrode underlayer portion, and mechanically strong solder bump can be manufactured.例文帳に追加

この方法で作られた半田バンプの構造は半田バンプと電極下地部の間に下地金属の副生成物があるため、半田が電極下地部との界面に脆弱な半田金属間化合物を生成さずに機械的に丈夫な半田バンプを製造できる。 - 特許庁

A method for manufacturing a compound semiconductor device comprises a step of forming a delta-doped layer 112, having impurity concentration higher than that of a collector layer 103 on a region of about 10 nm or smaller, from a heterojunction interface to a set-back layer 104 of a collector layer 103, having a band gap larger than that of a base layer 105.例文帳に追加

ベース層１０５よりもバンドギャップが大きいコレクタ層１０３におけるセットバック層１０４とのヘテロ接合界面から１０ｎｍ程度以内の領域に、コレクタ層１０３よりも不純物濃度が高いデルタドープ層１１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical semiconductor device and the semiconductor device which accurately controls the adhesion interface resistance between a light emitting layer of an InGaAlP or AlGaAs compound semiconductor and a GaP substrate and adheres them together.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｌＰ系又はＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体からなる発光層とＧａＰ基板を、接着界面抵抗を精度良く制御して貼り合せることが可能な光半導体装置の製造方法及び光半導体装置を提供すること。 - 特許庁

By using a completely new insulating film called this phosphorus nitride film, an insulating film can be formed which has low tension/low interface state density as compared with the conventional insulating film, and high reliability process suitable for compound semiconductor can be constituted.例文帳に追加

この窒化リン膜という全く新奇な絶縁膜を用いることにより、従来の絶縁膜に比して、低応力・低界面準位密度の絶縁膜の形成を可能とし、化合物半導体に適した高信頼性プロセスを構築することが可能となる。 - 特許庁

In the ceramic-metal compound circuit board and a method for manufacturing it, a void rate is set to 1.5% or less and a diameter is set to 0.7 mm or less in a bonded interface of a semiconductor mounted part on a metal plate boned on a main surface of a ceramic board.例文帳に追加

本発明のセラミックス−金属複合回路基板及びその製造方法においては、セラミックス基板の主面上に接合した金属板上の半導体搭載部分の接合界面におけるボイド率を１．５％以下で且つ直径を０．７ｍｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer in which the increase of resistance components caused by the rapid discontinuity of a band gap in the interface between an AlGaInP clad layer and a GaAs buffer layer is suppressed, and a photoelement of higher output can be obtained, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とＧａＡｓバッファ層との界面における急激なバンドギャップ不連続による抵抗成分増加を抑制し、より高出力の光素子を得ることができる化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

The material has, on a hydrophilic surface of its support, a non-photopolymerizing intermediate layer containing a coloring agent absorbing a light in the wavelength range above 400 nm and a compound having thermal reactivity with the interface of the support.例文帳に追加

支持体上の親水性表面に、４００ｎｍ以上の波長領域に吸収を有する着色剤と該支持体の界面と熱反応性を有する化合物を含有する非光重合性の中間層を有することを特徴とする平版印刷版支持体。 - 特許庁

To drastically improve the yield of compound semiconductor single crystals by controlling the shape of a solid-liquid interface to a shape projected toward the melt side with good reproducibility in the growth initial stage from the seeding part up to a constant diameter part in the growth by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での成長において、種付け部から定径部までの成長初期段階での固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御し、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能とする。 - 特許庁

With this structure, for example, interface using metal or ceramic materials can be used in combination with an advantage of the compound structure, such as low specific gravity and high Young's modulus at a position and in a direction requiring high strength and high stability and high electrical resistance.例文帳に追加

かかる構成により、例えば、金属またはセラミック材料を用いる従来のインターフェイスを、高強度、高安定性および高電気抵抗を必要とする位置および方向で、低比重、高ヤング係数のような複合構造の利点と合わせて使用できる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an Nb_3Al compound based superconductive wire in which contact resistance of interface is further decreased by compounding strongly external matrix and a stabilizer, and by compounding the stabilizer well in the whole circumference of the wire material.例文帳に追加

４外部マトリックスと安定化材をより強固に複合させ、線材の周方向全体に安定化材が良好に複合することによって、界面の接触抵抗をより低下させたＮｂ_３Ａｌ化合物系超電導線の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the interface between a high-temperature superconducting film 12A and an electrode 13, a titanium compound 20 is inserted such as a valium titanate, for example, generated through heating reaction with a titanium constituting a part of the electrode 13 and the component material of the high- temperature superconducting film 12A.例文帳に追加

高温超伝導膜１２Ａと電極１３との界面に該高温超伝導膜１２Ａの構成物質と該電極１３の一部を構成するチタンとの加熱反応で生成された例えばチタン酸バリウムなどのチタン化合物２０を介在させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, in which it is possible to prevent the solid-liquid interface from becoming a recessed face by accelerating radiation heat transfer and heat dissipation from the upper part of the crystal shoulder part by regulating the crystal diameter after seed crystal growth.例文帳に追加

種結晶成長後の結晶径を規定することにより、結晶肩部上部からの輻射伝熱および放熱を促進させ、固液界面の凹面化を抑止することができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

With the heat treatment of the laminated structure of Mo/Pd, a Pd-Ga compound is formed at the interface between the Pd layer and the group-III semiconductor, carrier concentration of the group-III nitride semiconductor increases and thereby contact resistance between the electrode and the group-III nitride semiconductor is maintained to a lower value.例文帳に追加

Ｍｏ／Ｐｄ積層構造体で熱処理することで、Ｐｄ層とＩＩＩ族窒化物半導体界面にＰｄ−Ｇａ化合物が形成されるとともに、ＩＩＩ族窒化物半導体のキャリア濃度が増大し、電極とＩＩＩ族窒化物半導体の間のコンタクト抵抗が低く保たれる。 - 特許庁

To provide an electrode film having a metal compound film as a conductive connection portion which has high adhesiveness to a metal wire and is reduced in contact resistance on an interface for a transparent conductive film and a manufacturing method thereof, and a light emitting element having the electrode film for the semiconductor element.例文帳に追加

金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。 - 特許庁

To prevent a reactive product at a Schottky junction interface between an electrode and a semiconductor layer, and to prevent component elements of the electrode from diffusing into a semiconductor layer, and a component element of the semiconductor layer from diffusing into the electrode, in a method for manufacturing a compound semiconductor device.例文帳に追加

化合物半導体装置の製造方法に関し、電極と半導体層のショットキー接合界面での反応生成物の形成を防止するとともに、電極の構成元素の半導体層への拡散を防止し、さらに半導体層の構成元素の電極への拡散を防止すること。 - 特許庁

To improve the yield of production of an entire-area single crystal by preventing the surface of a melt at the solid-liquid interface from becoming concave by specifying the relationship between the length of the non-heat-generating region of a heater and the liquid phase height of the raw material melt in a method for producing a compound semiconductor single crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、ヒータの非発熱領域長さと原料融液の液相高さとの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上させる。 - 特許庁

A SIRAGUSITAL-B4373 (heatless glass) silica liquid 45 in which inorganic compound particles 32 of a submicron size are dispersed and filled is coated on an interface between a glass and a glass or a metal, or a metal and a metal or a ceramic, and is caused to proceed a vitrified networking reaction, to complete vitrification hardening.例文帳に追加

サブミクロンサイズの無機化合物粒子３２を分散・充填したＳＩＲＡＧＵＳＩＴＡＬ—Ｂ４３７３（ヒートレスグラス）シリカ液体４５を、ガラスとガラスまたは金属、金属と金属またはセラミックスとの界面に塗布し、ガラス化ネットワーク反応を進行させガラス化硬化を完了させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in connection reliability when mounted on a mounting substrate by suppressing growth of a brittle inter-metal compound formed on an interface between a bump and a conductive layer to prevent development of cracking and peeling at a periphery of the bump and, therefore, disconnection and shorting of a circuit.例文帳に追加

バンプと導電層との界面に形成される脆い金属間化合物の成長を抑制することにより、バンプ周辺でのクラックや剥離の進展、ひいては回路の断線や短絡を防止し、実装基板に実装した際の接続信頼性が向上した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a compound semiconductor single crystal by an LEC method, which prevents the solid-liquid interface from becoming a surface recessed toward a melt and improves the production yield of the whole area single crystal by specifying the relation between the internal circumference and the total length of each slit width of a cylindrical heater.例文帳に追加

円筒形ヒータの内周とスリット幅合計長さの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上し得るＬＥＣ法による化合物半導体単結晶成長装置を提供すること。 - 特許庁

In the epitaxial wafer for semiconductor devices wherein a collector layer (3) consisting of at least a group III-V compound semiconductor, a base layer (4), and an emitter layer (5) are laminated and formed on a substrate (1), C density distribution in the base layer (4) is low near an interface between the emitter layer (5) and it.例文帳に追加

基板(1)上に、少なくともIII−Ｖ族化合物半導体からなるコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)が積層形成された半導体装置用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層(4)中のＣ濃度分布が、エミッタ層(5)との界面近傍において低濃度になっている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁

Continually, heat treatment is performed to make Mn in the alloy layer 17 react with the components of interlayer insulating films 12 and 15 to form a self-forming barrier film made of an Mn compound having diffusion prevention property of Cu on the interface of the alloy layer 17 and the interlayer insulating films 12 and 15.例文帳に追加

続いて、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層１７と層間絶縁膜１２、１５の界面に、Ｃｕの拡散防止性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜を形成する。 - 特許庁

In the III-V compound semiconductor crystal comprising In and Al, carbon of 1×10^17 cm^-3 or more is contained as a dopant, and the composition variation of In is made within 10%, the height difference of a recess and a projection of an interface in a growth direction is made 5 nm or less and an S parameter is made 0.535 or less.例文帳に追加

ＩｎとＡｌを含有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶において、ドーパントとして１×１０^17cm^-3以上の炭素を含有させ、Ｉｎの組成変動を１０％以内、成長方向の界面の凹凸の高低差を５ｎｍ以下、Ｓパラメータを０．５３５以下とする。 - 特許庁

The plastic container has a barrier layer on the inside face of the container, and this barrier layer contains a silicon oxide and at least one kind of compound consisting of at least one element selected from carbon, hydrogen, silicon, and oxygen, and the concentration of the compound in the barrier layer is continuously changed in the depth direction from the interface of a substrate composing the container to the surface of the barrier layer.例文帳に追加

本発明は、容器の内面にバリアー層を有し、該バリアー層は珪素酸化物と、炭素、水素、珪素及び酸素の中から少なくとも１種あるいは２種以上の元素からなる化合物を少なくとも１種類含有し、前記バリアー層中の前記化合物濃度を、前記容器を構成する基材の界面からバリアー層表面への深さ方向において、連続的に変化させてなる。 - 特許庁

The Pt base conductive coating material containing Pt and excellent in secular deterioration characteristic resistance is characterized in that a thin film containing a Pt-Sn type intermetallic compound (mainly comprising PtSn_4 and Pt_3Sn_17) is formed to the bonding or pressing interface wherein Sn or the Sn base alloy is bonded or pressed.例文帳に追加

Ｓｎ又はＳｎ基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ｐｔ−Ｓｎ系金属間化合物（主として、ＰｔＳｎ_4及びＰｔ_3Ｓｎ_17）を含む薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたＰｔを含むＰｔ基導電性被覆材料。 - 特許庁

The polymer structure is formed by hardening a curable compound represented by the following formula (1), and the liquid crystal near an interface of the polymer structure includes at least one director direction which is different from the orientation direction by the orientational function layer.例文帳に追加

高分子構造体は、下記式（１）により表わされる硬化性化合物を硬化することにより形成されたものであり、電圧非印加時に、当該高分子構造体の界面近傍の液晶が前記配向機能層による配向方向とは異なる少なくとも一つのダイレクタの方向を有するものである。 - 特許庁

The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加

このＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ金属間化合物層がバリア層として機能し、ＮｉとＣｕとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体９と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for joining different metals by the resistance welding, which method can remove an oxide film in a joined interface, and can firmly join the different metals while suppressing the generation of intermetallic compound in a joining process, and further to provide a strong joined structure of the different metals by the resistance welding.例文帳に追加

抵抗溶接により異種金属を接合するに際して、接合過程における金属間化合物の生成を抑制しながら、接合界面における酸化被膜を除去することができ、強固な接合が可能な異種金属の接合方法と、抵抗溶接による異種金属の強固な接合構造を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, whereby a temperature gradient in the direction of crystal growth is increased to enable shaping of a solid-liquid interface into a convex form, by improving the structure of a crucible itself to eliminate need for floating a floating ring or covering with a heat-insulating particle.例文帳に追加

浮遊体リングを浮かべたり断熱性粒子で覆う必要なしに、つまりルツボそれ自体の構造を改善することにより、結晶成長方向の温度勾配を大きくして固液界面を凸化させることを可能とした化合物半導体単結晶の製造装置及び製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the protective film for polarizing plate, a cover layer comprising at least vinyl alcohol type resin and a laminar inorganic compound, and a hard coat layer having a hard coating properties are laminated adjacent on a transparent base film, wherein the cover layer and the hard coat layer are chemically bonded to each other at the interface.例文帳に追加

透明基材フィルム上に、少なくともビニルアルコール系樹脂および層状無機化合物を含む被覆層と、ハードコート性を有するハードコート層とが隣接して積層され、前記被覆層と、前記ハードコート層の界面が化学的に結合していることを特徴とする偏光板用保護フィルム等である。 - 特許庁

Under this state, when an external computer 25 is connected to the compound machine 10 with an USB interface, the MPU 11 sets a value to show a data overwrite device of a ROM 12 in a memory 22a of a USB target controller 22 as a product ID to be transmitted to a USB host controller 26 by the USB target controller 22.例文帳に追加

この状態で複合機１０にＵＳＢインターフェースで外部コンピュータ２５が接続されると、ＭＰＵ１１は、ＵＳＢターゲット・コントローラ２２がＵＳＢホスト・コントローラ２６に送信するプロダクトＩＤとして、ＲＯＭ１２のデータ書換えデバイスを表す値をＵＳＢターゲット・コントローラ２２のメモリ２２ａに設定する。 - 特許庁

The metal wirings 5 are bonded to the electrode pads 2 by applying heat and load and transverse ultrasonic vibrations of a frequency of 100 kHz and an amplitude of 1.5 μm or less so that an intermetallic compound made of bonded both metals is formed at the outer peripheral portion and the center portion of the connection interface between the metal wirings 5 and the electrode pads 2.例文帳に追加

金属配線５と電極パッド２との接続界面の外周部及び中央部に接合両金属による金属間化合物が形成されるよう、熱と荷重を加えながら周波数が100ｋＨｚ以上、振幅が1.5μm以下での横方向の超音波振動を与えて接合する。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with a positive electrode, a negative electrode, and a nonaqueous electrolyte, a compound containing an alkali metal and fluorine, and at least one kind of element selected from phosphorus, oxygen, and hydrogen is formed in at least one part on the surface of positive active material particles and the interface between the particles.例文帳に追加

正極と負極と非水電解質とを備えた非水電解質二次電池において、正極活物質粒子表面と粒子界面の少なくとも一部に、アルカリ金属とフッ素を含み、さらにリン、酸素、水素から選ばれた少なくとも１種の元素を含む化合物を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The switching element having an organic conductor of a heterocycle contained compound, a cation radical salt, or an anion radical salt; a metal electrode of a gold, a titanium platinum, a silver, a tin or the like; and a junction interface of the organic conductor and the metal electrode, can operate at a voltage of not more than 30 V and has values of resistance of not less than 10 times.例文帳に追加

ヘテロ環含有化合物、カチオンラジカル塩、またはアニオンラジカル塩である有機導体と、金、チタン白金、銀、錫等の金属電極と、前記有機導体と前記金属電極との接合界面とを有し、かつ、電圧が３０Ｖ以下で動作可能で、抵抗値変化が１０倍以上のスイッチング素子。 - 特許庁

To prevent formation of an anomalously grown layer at the interface between a first layer and a second layer, and to prevent serious degradation of optical output power of a quantum-well semiconductor laser, in forming a III-V compound semiconductor crystal layer comprising two or more kinds of group V elements by a metal-organic vapor phase growth method.例文帳に追加

２種以上のＶ族元素で構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を有機金属気相成長方法で形成することに関するもので、第１の層と第２の層との界面に変成層が形成されることを防止し、量子井戸構造半導体レーザの光出力が著しく低下することを防止する。 - 特許庁

A region where at least one element of the electrode composition material and one element of the solid electrolyte composition material composes a compound is formed on the interface of at least one of electrodes and the solid electrolyte, and the region is made of at least either of an oxide, a hydroxide, and a nitride, and the thickness of the region layer is made to be 0.01 nm-300 nm.例文帳に追加

少なくとも一方の電極と固体電解質との界面に少なくとも電極構成材料の一元素と固体電解質構成材料の一元素が化合物を構成する領域を形成し、その領域は酸化物、水酸化物、窒化物の少なくともいずれからなり、なおかつ領域層の厚みを０．０１ｎｍ〜３００ｎｍとする。 - 特許庁

The phase shift mask blank has, at least on a substrate, one or more layers of a phase shift film essentially comprising a metal silicide compound and one or more layers of a metal-containing film, and further has a buffer layer having a continuously varied composition of the film on the interface between the phase shift film and the metal-containing film.例文帳に追加

位相シフトマスクブランクであって、少なくとも、基板上に、金属シリサイド化合物を主成分とする１層以上の位相シフト膜と、１層以上のメタル含有膜を具備し、前記位相シフト膜と前記メタル含有膜との界面に、膜の組成が連続的に変化したバッファ層を有するものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。 - 特許庁

Subsequently, heat treatment is carried out to make Mn in the alloy layer 17 react with the constituent of the porous film 20 to form a self-formation barrier film 19 composed of an Mn compound having copper diffusion barrier performance at the interface between the alloy layer 17 and the porous film 20.例文帳に追加

その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 - 特許庁

To provide a defect detector suitable for detecting a defect, such as a void on the bonded interface of transparent substrates composed of a compound semiconductor, which are bonded directly, and a defect detection system capable of surely removing the defect portion in a chip appearance inspection after chip process completion and a defect detection method.例文帳に追加

直接接合により貼り合わされた化合物半導体からなる透明基板の貼り合わせ界面のボイド等の欠陥を検出するのに好適な欠陥検出装置、更にチッププロセス終了後のチップ外観検査において該不良部を確実に取り除くことができる欠陥検出システムおよび欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

For the organic electroluminescent element comprising a pair of electrodes composed of a positive electrode 2 and a negative electrode 7 and at least more than one layer of organic layers 4, 5, 6 laid between the above, a positive electrode interface thin film layer 3 made of a specific compound or a material having a specific nature is formed between the positive electrode 2 and the organic layer.例文帳に追加

陽極２と陰極７からなる一対の電極とその間に挟まれた少なくとも一層以上の有機層４、５、６を有する有機電界発光素子において、陽極２と前記有機層との間に、ある特定の化合物または特定の性質を有する材料からなる陽極界面薄膜層３を設ける。 - 特許庁

The interface between the water-soluble phase transition material particle and the chlorofluorocarbon solvent stabilizes the microcapsulated water-soluble phase transition material particle in the chlorofluorocarbon solvent by adding a fluorocarbon surfactant and an oxygen-containing organic compound in the dispersion liquid of the microcapsulated water-soluble phase transition material particle, which is microcapsulated by using an organic or chlorofluorocarbon-based microcapsulating agent, in the chlorofluorocarbon solvent.例文帳に追加

水溶性相転位物質粒子界面が有機系又はフロン系マイクロカプセル化剤でマイクロカプセル化されたマイクロカプセル化水溶性相転位物質粒子のフロン系溶媒に分散液に、フッ素系界面活性剤および含酸素有機化合物を添加することにより、フロン系溶媒中でマイクロカプセル化水溶性相転位物質粒子を安定化させる。 - 特許庁

The photosensitive resin laminate comprises an organic polymer film and a photosensitive resin layer containing an alkali-soluble polymer, a photopolymerizable compound having an ethylenic double bond, a photopolymerization initiator and a black pigment layered on the polymer film, wherein the laminate includes a release agent layer on the interface between the organic polymer film and the photosensitive resin layer.例文帳に追加

有機ポリマーフィルム上に、アルカリ可溶性高分子、エチレン性二重結合を有する光重合性化合物、光重合性開始剤及び黒色顔料を含有する感光性樹脂層を積層してなる感光性樹脂積層体において、有機ポリマーフィルムと感光性樹脂層の界面に離型剤層を有することを特徴とする感光性樹脂積層体。 - 特許庁

The multilayer ceramic capacitor includes a plurality of dielectric ceramic layers and a plurality of internal electrodes formed along a particular interface between the dielectric ceramic layers, and each dielectric ceramic layer includes a dielectric ceramic containing a perovskite compound represented by ABO_3 as a principal component and R (R is La and the like), M (M is Mn and the like) and Si as accessory components.例文帳に追加

複数の誘電体セラミック層および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極を備え、誘電体セラミック層が、ＡＢＯ_３で表わされるペロブスカイト型化合物を主成分とし、副成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ等）、Ｍ（Ｍは、Ｍｎ等）およびＳｉを含む、誘電体セラミックからなる。 - 特許庁

Since such laser light functions as an energy liquefying or vaporizing the semiconductor crystal locally with a shallow depth of a few μm at the vicinity of the interface with the substrate, the substrate and the semiconductor crystal are well exfoliated at about the growth temperature of a desired semiconductor crystal formed from a group III nitride compound semiconductor or the like.例文帳に追加

この様なレーザ光は、下地基板との界面近傍において、深さ方向に局所的に浅く数μｍ程度の薄さで半導体結晶を液化或いは気化させるエネルギーとして作用するため、 ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体等から形成される所望の半導体結晶の成長温度近辺において、下地基板と半導体結晶とを良好に剥離させることができる。 - 特許庁