「interface compound」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Excessive titanium/ insufficient tantalum portion causes the thin film, to firmly stick to the dielectric thin film and the excessive tantalum/insufficient titanium portion suppresses formation of an intermetallic compound by forming a hetero-epitaxial interface with the interconnecting thin film.例文帳に追加

チタン過剰／タンタル欠乏部分により、誘電体薄膜に良く固着し、タンタル過剰／チタン欠乏部分は相互接続薄膜とヘテロエピタキシャル界面を形成し、金属間化合物の形成を抑える。 - 特許庁

This method for producing the organic nanotubes is characterized by self-aggregating a surface-active organic compound having a hydrophobic hydrocarbon group and a hydrophilic group in a two-phase solvent having a stable oil/water interface.例文帳に追加

疎水性の炭化水素基及び親水基から成る界面活性有機化合物を溶媒中で自己集合させることによる有機ナノチューブの製法において、油／水界面を反応場に用いる。 - 特許庁

Further, the Cr film is formed having an area larger than the Ti or Ti compound film to prevent peeling caused at the interface between the both.例文帳に追加

さらに、Ｔｉ膜またはＴｉ化合物膜とシリコン酸化膜との界面に生じる剥離を防止するため、Ｃｒ膜がＴｉ膜またはＴｉ化合物膜よりも大きな面積で形成された構造とする。 - 特許庁

Thus, generation of voids at the interface of the tungsten silicide and polysilicon surface can be prevented, by conducting the pretreatments on the surface polysilicon with a hydrogen compound, before the evaporation of tungsten silicide.例文帳に追加

したがって、本発明では、タングステンシリサイドを蒸着する前にポリシリコン表面を水素化合物に前処理することにより、タングステンシリサイドとポリシリコン界面でボイド生成を防止することができる。 - 特許庁

The optical compensation sheet has, on a base, an optical anisotropic layer formed of a cylindrical liquid crystalline compound and a liquid crystalline compound containing a photopolymerization initiator, and the reaction rate of polymerizable groups present in the liquid crystalline composition is ≥70% on a base-side interface of the optical anisotropic layer and ≥70% on an interface on the opposite side from the base.例文帳に追加

支持体上に、棒状液晶性化合物および光重合開始剤を含む液晶性組成物から形成された光学異方性層を有する光学補償シートであって、該液晶性組成物中に存在する重合性基の反応率が、光学異方性層の支持体側界面においては７０％以上であり、かつ支持体と反対側の界面においては２０％以上である光学補償シート。 - 特許庁

An authentication management part 24 receives an inquiry result from an external authentication server 30A through a second interface 27, and reads restriction information of a user A from a restriction information storing part 23 to transmit the restriction information to a compound machine 10A through a first interface 21 when the user A is valid.例文帳に追加

認証管理部２４は、第２のインタフェース２７を介して外部認証サーバ３０Ａからの問い合わせ結果を受信し、ユーザＡが正当であるときは、制限情報記憶部２３からユーザＡの制限情報を読み出し、この制限情報を第１のインタフェース２１を介して複合機１０Ａに送信する。 - 特許庁

In a semiconductor device or a semiconductor light-emitting element containing a hetero interface where two nitride III-V compound semiconductor layers different from each other are in contact with each other and a band discontinuity exists, a superlattice layer or a composition gradient layer extinguishing or decreasing the band discontinuity falsely is inserted in the hetero interface.例文帳に追加

互いに異なる二つの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、そのヘテロ界面に、バンド不連続を擬似的に消滅または低減する超格子層または組成傾斜層を挿入する。 - 特許庁

To make it possible to reduce the defect by the contact of a solid-liquid interface with the basilar part of a crucible by that the radiant heat from a raw material melt is intercepted by a heat insulating material and the convex degree of a convex shape of a solid-liquid interface is balanced in the manufacturing method of a compound semiconductor single crystal by a LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。 - 特許庁

An authentication managing part 24 receives an inquiry result from an external authentication server 30A through a second interface 27, and reads restriction information of a user A from a restriction information storing part 23 to transmit the restriction information to a compound machine 10A through a first interface 21 when the user A is legal.例文帳に追加

認証管理部２４は、第２のインタフェース２７を介して外部認証サーバ３０Ａからの問い合わせ結果を受信し、ユーザＡが正当であるときは、制限情報記憶部２３からユーザＡの制限情報を読み出し、この制限情報を第１のインタフェース２１を介して複合機１０Ａに送信する。 - 特許庁

Thereby, since the organic compound of the electron transport layer 3 and the electrolyte solution form the gel layer 6, and the sensitizing dye exist in the gel layer 6, the reaction interface of the organic compound becomes large and conversion efficiency is improved, while delivery efficiency of electrons from the sensitized dye to the organic compound of the electron transport layer 3 is improved to further improve transporting efficiency of electrons.例文帳に追加

このため、電子輸送層３の有機化合物と電解質溶液がゲル層６を形成すると共に増感色素がゲル層６内に存在することで、有機化合物の反応界面が大きくなり、変換効率が向上すると共に、増感色素から電子輸送層３の有機化合物への電子の受け渡し効率が向上して電子の輸送効率が向上する。 - 特許庁

A titanium compound including oxygen consists of needle-like crystal grains with an aspect ratio of 8-100 viewed from a cross section parallel to a substrate surface, and a complex area of a titanium compound phase including oxygen and a non-oxide phase exists in an area near an interface between the titanium compound phase including oxygen and the non-oxide phase on the upper layer.例文帳に追加

酸素を含むチタン化合物は、前記基体表面に平行な断面視でのアスペクト比が８〜１００の範囲にある針状の結晶粒子から構成されているとともに、前記酸素を含むチタン化合物相とその上層の非酸化物相との界面近傍領域では、該酸素を含むチタン化合物相と該非酸化物相との錯綜領域が存在させる。 - 特許庁

An intermediate film (9) which is made of a conductive compound including at least one constituent element of the nanotubes (8) and at least one constituent element of the first pad (1) is arranged at the interface between the metal film (3) and the nanotubes (8).例文帳に追加

金属膜と、ナノチューブとの界面に、ナノチューブの少なくとも１つの構成元素と、第１のパッドの少なくとも１つの構成元素とを含む導電性の化合物からなる中間膜(9)が配置されている。 - 特許庁

A compound function module 7 provided with all interface parts of an on-chip bus 6, to which a CPU 9 and peripheral function modules 10 and 11 are connected, and two kinds of input/output ports 2 and 4, is packaged in an LSI 1.例文帳に追加

ＣＰＵ９、周辺機能モジュール１０、１１が接続されるオンチップバス６のインタフェース部と２種類の入出力ポート２、４とのインタフェース部の全てを備えた複合機能モジュール７をＬＳＩ１内に搭載する。 - 特許庁

To provide a fine active layer and interface of the activity layer by suppressing an isolation of In and by enabling crystal growth excellent in controllability in a manufacturing process of compound semiconductor light-emitting device.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

A light emitting layer has at least a host material, a light emitting material and a separate material having a lower ionizing potential and a hole mobility equal to or higher than a compound constituting the light emitting layer interface.例文帳に追加

発光層にホスト材料と発光材料と発光層界面側を構成する化合物と比較して、イオン化ポテンシャルが小さく、かつ、ホール移動度が同程度かまたは速い、別の材料を少なくとも設ける。 - 特許庁

It is realized by using noble metal of a platinum group (8 group) or an Ib group containing alkali metal oxide, alkaline earth metal compound and a transition-metal compound of 3 to 7 group from an interface with the electron acceleration layer to the surface or their laminated film, mixed film or alloy film as the upper electrode.例文帳に追加

アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属化合物、３族〜７族の遷移金属化合物を電子加速層との界面から表面にかけて含む白金族（８族）またはＩｂ族の貴金属、あるいはそれらの積層膜、混合膜、合金膜を上部電極として用いることにより実現される。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound semiconductor single crystal, which can prevent polycrystallization by optimizing the shape of the solid-liquid interface of the growing crystal in the production of a large-diameter compound semiconductor single crystal of a crystal diameter φ of 200 mm or more by an LEC method (Liquid Encapsulated Czochralski method).例文帳に追加

ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the following problems: a depletion layer is formed in an M-type contact layer by an n-type compound semiconductor contact layer of a field-effect transistor and interface charge existing in the interface with an insulating film provided on it, and in association with this a part serving passage of current is narrowed to lower a cutoff frequency Ft.例文帳に追加

電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。 - 特許庁

A digital compound device 32 side detects the mounting of an interface board 31, and only when the interface board 31 is mounted, an image for selecting 'other sizes' of special paper to be used for an image data output from a personal computer 15 and an image for setting a PC-FAX receiving function are shown on an operation displaying part 7 in a settable way.例文帳に追加

ディジタル複合装置３２側でインタフェースボード３１の装着を検出し、そのインタフェースボード３１が装着された場合のみ、操作表示部７にパソコン１５からの画像データ出力に用いる特殊用紙の「ソノタノサイズ」を選択するための画面、及びＰＣ−ＦＡＸ受信機能を設定するための画面を設定可能に表示する。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

The avalanche photodiode has such a structure as at least one crystal layer (referred to interface layer) having a forbidden band width larger than that of a light absorbing layer is formed with a composition or a material different from that of the light absorbing layer on the connection interface of a compound semiconductor (referred to light absorbing layer) absorbing a signal light and an Si multiplication layer.例文帳に追加

信号光を吸収する化合物半導体（光吸収層と称する）とＳｉ増倍層との接続界面に，少なくとも一層の，光吸収層とは異なる組成もしくは材料で形成され光吸収層よりも大きな禁制帯幅をもつ結晶層（界面層と称する）が形成されている構造をもつ。 - 特許庁

A plurality of vaporization sources (302a and 302b) are provided inside a film deposition chamber 301, the functional areas formed of each organic compound are continuously formed, and a mixed area is formed on an interface between the functional areas.例文帳に追加

成膜室３０１の内部に複数の蒸発源（３０２ａ、３０２ｂ）を備え、それぞれの有機化合物からなる機能領域を連続的に形成し、さらに機能領域間の界面には混合領域を形成することができる。 - 特許庁

In the amphipathic property compound, a boundary film for suppressing scatter and loss of water is formed at an interface between the water-based dispersing element and the air for preventing a solid consisting of an polishing particle or the like from being generated in storage and conveyance.例文帳に追加

この両親媒性化合物は、水系分散体と大気との界面に、水の散逸が抑えられる境界膜を形成し、保管時、或いは搬送時における研磨粒子等からなる固形物の発生が防止される。 - 特許庁

To provide a high-quality active layer and the interface of the active layer by making highly controllable crystal growth possible, by suppressing liberation of In as much as possible in the manufacturing process of a compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a good quality active layer and the interface of the active layer by suppressing liberation of In as much as possible in the fabrication process of a compound semiconductor light emitting element, thereby ensuring epitaxial growth excellent in controllability.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the ceramic-metal compound substrate and its manufacturing method, voids in the junction interface of a semiconductor mounting portion on a metal plate in junction with the main surface of the ceramic substrate is made to be 1.5% or lower for the area ratio.例文帳に追加

セラミックス−金属複合回路基板及びその製造方法において、セラミックス基板の主面上に接合した金属板上の半導体搭載部分の接合界面におけるボイドを面積率で１．５％以下とする。 - 特許庁

To provide a dissimilar metal bonded member having high joint strength while being provided with an intermetallic compound layer on the bonding interface, and to provide a method of bonding dissimilar metals by which the bonded member can be efficiently produced.例文帳に追加

接合界面に金属間化合物層を有しながら、高い継手強度を備えた異種金属接合部材と、このような接合部材を効率的に製作することができる異種金属接合方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-quality active layer and interface of the active layer by making highly controllable crystal growth possible, and by suppressing liberation of In as much as possible in the manufacturing process of a compound semiconductor light emitting element.例文帳に追加

化合物半導体発光素子の製造工程においてＩｎの遊離を極力抑え、制御性に優れた結晶成長を可能とし、良質の活性層および活性層の界面を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a millimeter wave module requiring a waveguide interface and mounted with a compound semiconductor bare chip with the intention of reducing drastically a transmission loss, by eliminating a feed through part and making the module small by simplifying its structure.例文帳に追加

導波管インターフェースを必要とする化合物半導体ベアチップ実装型ミリ波帯モジュールにおいて、チップパッケージにおけるフィードスルー部を不要として、伝送損失を大幅に改善するとともに、構成を簡素化して小型化を図る。 - 特許庁

To suppress deterioration in power occurring at an electron trap caused by existence of an oxide layer containing P (phosphorus) formed on the interface of the surface of a recess and a gate electrode in a high output power FET of a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体の高出力パワーＦＥＴにおいて、リセス表面とゲート電極の界面に形成されるＰ（リン）を含んだ酸化物層が存在することにより生じる電子トラップで起こるパワー劣化を小さくする。 - 特許庁

An ion source containing a group 13 metal and an ion source containing nitrogen are continuously supplied to a liquid layer formed in the interface between a substrate and a compound adjacent to the substrate, and the ion sources are allowed to react in the liquid layer.例文帳に追加

基板と該基板と隣接する化合物との界面に形成される液層に、第１３族金属を含有するイオン源と窒素を含有するイオン源とを連続的に供給し、前記液層内でイオン源を反応させる。 - 特許庁

Missing oxygen generated at the interface between the zinc oxide system oxide semiconductor and the gate insulating film is completed with a surface process using sulfur and celenium as the oxygen group elements rarely generating change in physical property values and compound of these elements.例文帳に追加

酸化亜鉛系酸化物半導体とゲート絶縁膜の界面に発生する酸素欠陥を物性値変化のほとんど起こらない酸素族元素である硫黄やセレンおよびこれらの化合物を用いた表面処理により終端する。 - 特許庁

Inside molten solder 3' of a joint area, a diffusible metallic compound layer 9a of Cu and Zn is formed around the metal grain 7 to inhibit the formation of a diffusible metallic compound layer 9b on the joint interface between the copper terminal 2 or the copper bump 5 and the molten solder 3' and then prevent strength reduction, ensuring post-joint reliability.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

To provide a reversible thermal recording medium which can hold a clear recording image by preventing the occurrence of layer exfoliation in a metallic compound containing layer (gas barrier layer), and the interface exfoliation between the metallic compound containing layer and the other layer, even when using for a long period under a severe environment, and a reversible thermal recording member having the reversible thermal recording medium.例文帳に追加

厳しい環境下で長期間使用しても、金属化合物含有層（ガスバリア層）の層内剥離、及び金属化合物含有層と他層の層間剥離の発生を防止して、鮮明な記録画像を保持することができる可逆性感熱記録媒体及び該可逆性感熱記録媒体を有する可逆性感熱記録部材の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film of an organometallic compound by stably forming the film of the organometallic compound to enhance adhesion of a bonding interface and to perform the formation of ultrathin film, and to provide organometallic thin films and organic electronic devices such as organic electroluminescence devices, organic solar cells, organic thin film transistors, and electronic equipment.例文帳に追加

有機金属化合物を安定して成膜することで、接合界面の密着力を増大させると共に、超薄膜化の実現が可能となる有機金属化合物の薄膜形成方法、有機金属化合物薄膜、およびこれを備えた有機電子デバイス（有機エレクトロルミネッセンス装置・有機太陽電池・有機薄膜トランジスタ）及び電子機器を提供する。 - 特許庁

By forming a diffusive metal compound layer 9a of Cu and Zn surrounding the metal grain 7 inside melting solder 3' of the junction, a diffusive metal compound layer 9b in a joint interface of the melted solder 3' with the copper terminal 2 and the copper bump 5 is suppressed; the strength degradation is prevented and the reliability after joining is ensured.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

To provide a producing method for a copper-cladded aluminum-formed product having high productivity, by which in the case of caldding the copper on the aluminum, the produced quantity of intermetallic compound on the interface of the copper and the aluminum is reduced, and a heat sink for semi-conductor with this producing method.例文帳に追加

アルミニウムに銅をクラッドする場合に、銅−アルミニウム界面に金属間化合物の生成量を少なくした、生産性の高い銅クラッドアルミニウム成形品の製造方法及びその製造方法によ半導体用ヒートシンクの提供。 - 特許庁

To prevent that the solid-liquid interface becomes a recessed face to the surface of a melt and polycrystallization caused by the volatilization of As from a crystal surface when the crystal diameter is changed in a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶直径を変更した場合の、固液界面の融液面に対する凹面化を防ぎ、且つ結晶表面からのＡｓが揮発することによる多結晶化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a different material joining joint between a steel sheet and an aluminum alloy sheet whose joining strength can be made high by eliminating production itself of an Al-Fe-based brittle intermetallic compound layer in the joining interface of spot welding, and a different material joining method.例文帳に追加

スポット溶接の接合界面におけるＡｌ−Ｆｅ系の脆い金属間化合物層の生成自体を無くして、高い接合強度とできる、鋼板とアルミニウム合金板との異材接合継手および異材接合方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide the dissimilar metal welding method of a steel sheet and an aluminum alloy sheet for suppressing formation of an intermetallic compound on a weld interface, and can improve joint strength, fatigue strength and corrosion resistance, and dissimilar metal welded joint.例文帳に追加

接合界面に金属間化合物が生成するのを抑制でき、継手強度、疲労強度および耐食性を向上させることが可能な、鋼板とアルミニウム合金板との異種金属接合方法および異種金属接合継手を提供する。 - 特許庁

To provide a normally off type MOS field effect transistor using a nitride-based group III-V compound semiconductor which has a small ohmic resistance, a small interface level and a large mobility, while requiring fewer number of steps, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

少ない工程でオーミック抵抗が小さく、界面準位が少なく、移動度が大きい窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を用いたノーマリオフ型のＭＯＳ電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Also, the n-type III-V-based compound semiconductor crystal layer includes a region having composition inclination, and a region for r educing gallium composition ratio X toward an opposite direction from a hetero junction interface by GaXIn1-XP (0≤X≤1).例文帳に追加

また、ｎ形ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、Ｇａ_XＩｎ_1-XＰ（０≦Ｘ≦１）でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Ｘを減少させる領域を含む構造とする。 - 特許庁

The phase difference film has the optical anisotropic layer consisting of liquid crystal composition containing more than a predetermined amount of liquid crystal compound having at least one kind of polymerization group and an additive having at least one kind of polymerization initiating function in an air interface.例文帳に追加

少なくとも一種の重合性基を有する液晶性化合物と、空気界面に少なくとも一種の重合開始能を有する添加剤を所定量以上含有する液晶組成物からなる光学異方性層を有する位相差膜。 - 特許庁

In the liquid crystal display device including liquid crystal composition held between substrates, a layer obtained by crosslinking and curing polymerizable component containing polymerizable compound having the negative permittivity anisotropy is formed on a liquid crystal layer interface.例文帳に追加

および液晶組成物を基板間に挟持した液晶表示装置で、前記負の誘電率異方性を有する重合性化合物を含む重合性成分を架橋硬化した層が液晶層界面に形成されている液晶表示装置。 - 特許庁