「interface compound」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for bonding a plurality of dissimilar metals without producing any brittle intermetallic compound on a bonding interface.例文帳に追加

複数の異なる金属材料を結合する方法において、結合界面に脆い金属間化合物を生成させずに結合する方法を提供する。 - 特許庁

The metal material preferably has a compound oxide produced by reacting the metal substrate with the metal oxide on the interface between the metal substrate and the metal oxide.例文帳に追加

前記金属基材と前記金属酸化物との界面に、金属基材と金属酸化物が反応して生成した複合酸化物を有することが好ましい。 - 特許庁

To provide a light emitting device having a structure in which an energy barrier generated in an interface of an organic compound layer with a laminate structure is mitigated.例文帳に追加

積層構造を有する有機化合物層において、その界面に生じるエネルギー障壁を緩和する構造を有する発光装置を提供する。 - 特許庁

An inorganic electric conduction layer is formed using a material, which has a smaller work function for the interface between the negative electrode and an organic compound layer rather than the negative electrode material.例文帳に追加

本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。 - 特許庁

By optimizing the quantity of the introduced gas and an irradiation condition of the primary ion beam, a matrix effect between the compound and the substrate is removed, and simultaneously the position of the compound film/substrate interface can be specified.例文帳に追加

導入するガス量および一次イオンビームの照射条件を最適化することにより、化合物と基板におけるマトリックス効果を解消すると同時に、化合物膜／基板界面の位置を特定することが可能となる。 - 特許庁

To realize a MIS compound semiconductor device that uses an InP-based compound semiconductor and have good characteristics by making a gate insulating film having excellent MIS interface characteristics to be formed in a short time at a low process temperature.例文帳に追加

ＭＩＳ界面特性の優れたゲート絶縁膜を低いプロセス温度でより短時間で形成できるようにし、ＩｎＰ系化合物半導体を用いた特性のよいＭＩＳ型デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

The optical laminate 10 includes a polarizing film 12 containing a water-soluble organic compound 13, 14, wherein the water-soluble organic compound 13, 14 is unevenly distributed near the interface with air so as to prevent an organic coloring material from coming into contact with the air interface and to prevent disturbance in the alignment of the organic coloring material.例文帳に追加

光学積層体１０においては偏光膜１２内に水溶性有機化合物１３、１４を含有させておき、水溶性有機化合物１３、１４を空気との界面近傍に偏在させ、有機色素が空気界面と接触しないようにして、有機色素の配向が乱れるのを防いだ。 - 特許庁

A three-phase interface of solid-liquid-gas is formed between with respect to the detection target compound gas moved through an acting electrode 7 by diffusion at the boundary of the acting electrode 7 and an electrolyte 12 and the detection target compound gas is made to react at the three-phase interface to allow a current to flow to the acting electrode 7.例文帳に追加

作用電極７と電解液１２との境界では、作用電極７内を拡散で移動した検出対象化合物ガスとの間で、固体−液体−気体の三相界面が形成されており、検出対象化合物は三相界面で反応し、作用電極７に電流が流れる。 - 特許庁

To provide a method of growing a III-V compound semiconductor capable of reducing piling-up of nitrogen composition in the vicinity of an interface when the III-V compound semiconductor containing a nitrogen element and an arsenic element as V-family configuration elements is grown on the foundation III-V compound semiconductor.例文帳に追加

Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a serial communication data processor capable of adjusting the frequency of interruptions by a USB device (data processor), reducing the load of a CPU and integrating a USB interface (serial interface) into a compound system.例文帳に追加

ＵＳＢデバイス（データ処理装置）側で割込み回数を調整することができ、かつＣＰＵに対する負荷を軽減してＵＳＢインターフェース（シリアルインターフェース）の複合システムへの組込みを可能とするようなシリアル通信用データ処理装置を提供すること。 - 特許庁

The interface layer may be intentionally added with n-type or p-type impurities for the purpose of canceling the electrical effect of impurities including the compound semiconductor on the connection interface and oxides existing on the surface of Si.例文帳に追加

この界面層には，接続界面の化合物半導体およびＳｉの表面に存在する酸化物をはじめとする不純物の電気的な影響を相殺する目的でｎ型またはｐ型の不純物が意図的に添加されていても良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a new compound semiconductor epitaxial wafer by which the adverse effect by the contamination with impurities at the interface between an epitaxial layer and a substrate can be avoided.例文帳に追加

エピタキシャル層と基板界面の不純物汚染による悪影響を未然に回避できる新規な化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which has a structure capable of efficiently cooling the upper part of a furnace and making the shape of the solid-liquid interface into a projected shape.例文帳に追加

炉体上部を効率よく冷やして固液界面形状を凸化させる構造を有する化合物半導体単結晶の製造装置を提供すること。 - 特許庁

To enhance the adhesion of the interface of a resin compound for manufacturing artificial marble with a pattern material by a simple method to enhance the strength of the product artificial marble.例文帳に追加

簡単な方法で、人造大理石製造用樹脂コンパウンドと柄材との界面の密着性を向上できて人造大理石の製品の強度を向上できる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate, a semiconductor device, and a method for manufacturing the device, in which electric resistance on an interface between an epitaxial layer and the substrate is decreased.例文帳に追加

エピタキシャル層と基板との界面における電気抵抗の低減が図られた化合物半導体基板、半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible in the LEC (liquid seal Czochralski) method to prevent the solid/liquid interface shape from bending concavely and to prevent polycrystal formation due to the evaporation of compound semiconductor elements from the surface of a crystal surface.例文帳に追加

ＬＥＣ法において、固液界面形状の凹面化及び結晶表面から化合物半導体元素の揮発による多結晶化を防ぐようにする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor light emitting diode and a light emitting diode array having a high emission efficiency by reducing crystal defect on the interface of an emission layer and a clad layer.例文帳に追加

発光層とクラッド層との界面の結晶欠陥を低減させ、発光効率の高い化合物半導体発光素子及び発光ダイオードアレイを提供する。 - 特許庁

To highly reproducibly control the solid/liquid interface temperature gradient in the crystal growth direction throughout the entire growth process so as for the interface profile to be convex toward the melt side to thereby markedly improve the yields of a compound semiconductor single crystal in the growth of the compound semiconductor crystal by the LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での化合物半導体単結晶の成長において、固液界面の結晶成長方向の温度勾配を適正値に規定することにより、成長過程全般での固液界面形状を、再現性良く融液側に凸形状に制御し、これにより化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる。 - 特許庁

The optically compensated film has a liquid crystal composition, containing at least a kind of onium compound, at least a kind of cylindrical liquid crystalline compound, and at least a kind of additive for promoting vertical alignment on the air interface of the cylindrical crystalline compound, and has optical anisotropic layer formed from the liquid crystal composition.例文帳に追加

オニウム塩の少なくとも一種、棒状液晶性化合物の少なくとも一種、及び棒状液晶化合物の空気界面での垂直配向を促進する添加剤の少なくとも一種を含有する液晶組成物、及び前記液晶組成物から形成された光学異方性層を有する光学補償フィルムである。 - 特許庁

The organic EL device 10 is formed so as to include a metal compound Li_2O layer on the interface of a first negative electrode 5A with an organic luminous layer 4 and to have a concentration gradient in which the Li_2O layer is more highly concentrated at the interface side with the organic luminous layer 4.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１０は、第１の陰極５Ａの有機発光層４との界面に金属酸化物であるＬｉ_2Ｏ層を含有し、Ｌｉ_2Ｏ層が有機発光層４との界面側で高濃度となる濃度勾配を有するように形成されている。 - 特許庁

The Ir-based conductive coating material having excellent characteristic in resistance to deterioration with time is characterized in that an interface thin layer containing an Ir-Sn-based intermetallic compound is formed to the bonding or pressing interface where Sn or the Sn-based alloy is bonded or pressed.例文帳に追加

Ｓｎ又はＳｎ基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ｉｒ−Ｓｎ系金属間化合物を含む界面薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたＩｒ基導電性被覆材料。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, by which the solid-liquid interface can be controlled in such a manner that the solid-liquid interface becomes a shape perpendicular to the crystal growth axis direction or a shape protruded toward the raw material melt side during crystal growth.例文帳に追加

固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The compound information terminal 100 is configured to comprise a user interface device 1, a terminal management controller 2, a 3GPP compatible mobile telephone terminal 3, and the GPS terminal 4.例文帳に追加

複合情報端末１００は、ユーザインタフェース装置１と、端末管理制御装置２と、３ＧＰＰ規格対応携帯電話端末装置３と、ＧＰＳ端末装置４と、を有して構成される。 - 特許庁

To provide a sputtering target which makes a crystallization promoting function and optical characteristics of an interface layer film of a phase change recording medium compatible with each other, and which allows deposition etc. of a metal compound film.例文帳に追加

相変化記録媒体の界面層膜の結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜の成膜等を可能にするスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device in which a semiconductor/metal interface of proper quality without residues can be obtained in any region which forms a source electrode, a drain electrode and a gate electrode.例文帳に追加

化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal and a method for growing the same, by which an interface of a δ dope layer is made sharper and the mobility of electrons is improved in either MOVPE method or MBE method.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法であれＭＢＥ法であれ、δドープ層界面をよりシャープにして電子移動度の向上を図った化合物半導体結晶及びその成長法を提供すること。 - 特許庁

A hardly soluble layer 4 is formed on an interface between the low molecular hole transportation layer 3 and the high molecular light emission layer 5 by performing surface processing of the low molecular hole transportation layer 3 by using an ether compound.例文帳に追加

低分子ホール輸送層３をエーテル化合物にて表面処理することにより、低分子ホール輸送層３と高分子発光層５との界面に難溶化層４を形成する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device capable of reducing an interface state between a GaN layer and an insulating layer, and realizing good electric characteristics by improving a mobility, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

ＧａＮ層と絶縁層との間の界面準位を低減し、移動度を向上させて優れた電気特性を実現する化合物半導体装置、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a compound single crystal through an LEC (liquid encapsulated Czochralski) method, whereby a solid-liquid interface can be controlled to be convexly curved toward a melt, even when growing a large-diameter single crystal.例文帳に追加

大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The deposition substrate 21B is made of a metal material which has low reactivity with Li, such as Cu, Ni, Ti, Mo, Ta, stainless steel, and Li deposits on the interface with the inorganic compound layer 21C in charging.例文帳に追加

析出基板２１ＢはＣｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，ステンレスなどのＬｉとの反応性が低い金属材料よりなり、充電時に無機化合物層２１Ｃとの界面にＬｉが析出する。 - 特許庁

To prevent generation of plasma damage in a gate recess region and reduce interface level density, regarding a recess oxidation type field effect compound semiconductor device and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。 - 特許庁

Further, the translucent substrate and the device forming layer are separated on an interface between the photocatalytic layer and the inorganic compound layer containing carbon or the simple substance layer of carbon.例文帳に追加

さらには、光触媒層及び炭素を含む無機化合物層または炭素単体層の界面において分離することで、透光性を有する基板及び素子形成層を分離する。 - 特許庁

Further based on molecular diffusion on an interface 22 between the first fluid 3 and the second fluid 11 and on an interface 24 between the first fluid 3 and the photocatalyst 18, the hardly decomposable organic compound 2 in the first fluid 3 is oxidized and decomposed by generated OH radicals.例文帳に追加

そして、生成されたＯＨラジカルにより、第１流体３と第２流体１１との界面２２、および第１流体３と光触媒１８との界面２４における分子拡散に基づき、第１流体３中の難分解性の有機化合物２が、酸化，分解される。 - 特許庁

To improve conductivity by making current easy to flow across a hetero interface in a semiconductor device or a semiconductor light-emitting element containing the hetero interface where two nitride III-V compound semiconductor layers different from each other are in contact with each other and a band discontinuity exists.例文帳に追加

互いに異なる二つの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、ヘテロ界面を横切って電流が流れやすくし、伝導性の向上を図る。 - 特許庁

The organic thin-film electronic device comprising at least one electron transport layer or electrode interface layer between an anode and a cathode is characterized in that the at least one electron transport layer or electrode interface layer contains 0.1-70 wt.% of a carbene compound.例文帳に追加

陽極と陰極の間に少なくとも一層の電子輸送層または電極界面層を有する有機薄膜電子デバイスであって、電子輸送層または電極界面層の少なくとも一層にカルベン化合物を０．１〜７０重量％含有することを特徴とする有機薄膜電子デバイス。 - 特許庁

In the compound semiconductor crystal for a semiconductor element which is obtained by forming an epitaxial layer on a group III-V compound semiconductor substrate, the ratio of the concentration of oxygen to the concentration of silicon, accumulated in the interface between the substrate and the epitaxial layer, is controlled to ≥2.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上にエピタキシャル層を形成した半導体素子用の化合物半導体結晶において、基板とエピタキシャル層との界面に蓄積する酸素と硅素の濃度比（酸素／珪素）が２以上であるようにした。 - 特許庁

To provide a method of forming a III-V compound semiconductor layer capable of reducing a hydrogen concentration in a III-V compound semiconductor crystal containing Ga (group III) and arsenic and nitrogen (group V) and reducing pile-up on a regrowth interface as well.例文帳に追加

本発明によれば、Ｇａ（III族）とヒ素、窒素（Ｖ族）とを含むIII−Ｖ化合物半導体結晶中の水素濃度を低減可能であり、再成長界面におけるパイルアップも低減可能な、III−Ｖ化合物半導体層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; an interface layer formed on the semiconductor substrate and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more; a metal semiconductor compound layer formed on the interface layer and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more in approximately whole region; and a metal electrode on the metal semiconductor compound layer.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex form projected to the melt side in the whole growth process with a good reproducibility in a production method of the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

This invention provides the metal compound which is a p-type metal having a work function of about 4.75-5.3 eV, preferably about 5 eV and comprises MO_xN_y stable to heat on the gate stack comprising the high-k dielectric and an interface layer, and a method for manufacturing the MO_xN_y metal compound.例文帳に追加

仕事関数が約４．７５から約５．３、好ましくは約５ｅＶであるｐ型金属であり、高ｋ誘電体とインタフェース層とを含むゲート・スタック上で熱に対して安定なＭＯ_ｘＮ_ｙを含む金属化合物、およびこのＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物を製作する方法が提供される。 - 特許庁

To provide a field effect transistor of high output wherein a structure for preventing a hetero interface between arsenic compound and phosphorus compound from affecting characteristics of a device is adopted, and a high frequency module whereon an MMIC prepared by using the transistor is mounted and high output is obtained.例文帳に追加

砒素化合物と燐化合物のヘテロ界面がデバイスの特性に影響を及ぼさないようにする構造を採用した高出力の電界効果トランジスタと、それを用いて作製したＭＭＩＣを搭載した高出力が得られる高周波モジュールを提供すること。 - 特許庁

The composite material comprises the organic polymer substrate, all or a part of the surface of which is coated with the calcium phosphate compound layer, and is characterized by containing a needle crystal or a plate crystal contacting with the interface between the calcium phosphate compound layer and the organic polymer substrate.例文帳に追加

リン酸カルシウム系化合物層を有機ポリマー基材の表面の一部又は全部にコーティングした複合材料であって、リン酸カルシウム系化合物層と有機ポリマー基材との界面に接触する、針状あるいは板状の結晶を含むことを特徴とする複合材料を形成する。 - 特許庁

To drastically improve the yield of a compound semiconductor single crystal by controlling the shape of the solid-liquid interface to be a convex shape projected toward the melt side with a good reproducibility over the whole growing process in a method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、成長過程全ての固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御することで、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能にする。 - 特許庁

The blocking region 23 is formed in an interface between the first and second control electrodes 17 and 18 by implantation of dopant elements having solubility in the metal-semiconductor compound lower than solubility in the metal from which the metal-semiconductor compound is formed.例文帳に追加

ブロック領域２３は、第１および第２の制御電極１７、１８の間の境界面に形成され、金属半導体化合物がそれから形成される金属中での溶解度より、金属半導体化合物中での溶解度が低いドーパント元素を注入することにより形成する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser in which the ohmic characteristics of an electrode are improved by suppressing damage on the interface between a p-electrode and a p-type contact layer, and residue of mask material.例文帳に追加

ｐ電極とｐ型コンタクト層との界面のダメージ、マスク材料の残存を抑制して、電極のオーミック特性を改善したIII族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁