「mIm」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM CAPACITOR ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置とその製造方法 - 特許庁

To provide a large capacitance MIM capacitor and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

大容量ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The pixel electrode 2 is connected with a wiring 3 through MIM 4.例文帳に追加

絵素電極２は、ＭＩＭ４を介して、配線３に接続される。 - 特許庁

To form a high-capacity, highly-reliable MIM capacitor in a simple production method in a semiconductor device having a MIM capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを有する半導体装置において、高容量で信頼性の高いＭＩＭキャパシタを簡易な製造方法で形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING MIM CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭ型キャパシタを有する半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

The semiconductor device comprises the MIM capacitive element (100) consisting of a lower electrode (3), a dielectric capacitive film (4) and an upper electrode (5) formed on a substrate (1), and a dummy MIM capacitive element (101) wherein the substrate is covered with an insulating film (6) including the MIM capacitive element and the dummy MIM capacitive element.例文帳に追加

基板（１）上に形成された下部電極（３）−誘電体容量膜（４）−上部電極（５）で構成されるＭＩＭ容量素子（１００）とダミーＭＩＭ容量素子（１０１）を備え、ＭＩＭ容量素子上とダミーＭＩＭ容量素子上とを含む基板上を絶縁膜（６）で覆う。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH MIM CAPACITIVE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備える半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

The second ROM 100 does not include one electrode of the MIM capacitor.例文帳に追加

第２のＲＯＭ１００は、ＭＩＭキャパシタの一方の電極が無い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which the capacitance of a MIM (metal-insulator-metal) capacitor increases, while the occupancy area of the MIM capacitor is kept small.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの専有面積を小さく保ったまま、ＭＩＭキャパシタの容量を大きくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

MIM electrodes 13A, 13B of the stacked MIM capacitor 10 have two kinds of small holes 15 and large holes 16 formed in two dimensions on a surface of a layer of the MIM electrode 13A.例文帳に追加

スタック型ＭＩＭキャパシタ１０のＭＩＭ電極１３Ａ，１３Ｂには、ＭＩＭ電極１３Ａの層の表面に小空孔１５と大空孔１６の２種類の空孔が、表面上において２次元に形成される。 - 特許庁

To solve a problem of an afterimage reduction of an FED using an MIM type emitter.例文帳に追加

ＭＩＭ型エミッタを用いたＦＥＤの残像減少を解決する。 - 特許庁

To enable a high reliability (life time)of an MIM capacitance element by improving a structure of the MIM capacitance element and by improving manufacturing process.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の構造の改善、および製造工程の改善を図ることにより、ＭＩＭ容量素子の高信頼性（寿命）を可能とする。 - 特許庁

To provide an MIM capacitive element which can be fabricated with high reliability and high yield by suppressing any damage on the MIM capacitive element when a contact hole is bored by etching.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子へのコンタクト孔エッチング時のダメージを抑え、高信頼性、高歩留まりで形成できるＭＩＭ容量素子を提供する。 - 特許庁

A portion of the insulation film 14 between the first and the second electrode of the MIM capacitor serves as a capacitor dielectric film of the MIM capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭ型キャパシタの第１電極と第２電極とによって挟まれる部分の絶縁膜１４が、ＭＩＭ型キャパシタのキャパシタ誘電体膜として機能する。 - 特許庁

To peel off an MIM structure (lower electrode/dielectric layer/upper electrode) film formed on a support substrate uniformly with low damage, and to transfer the MIM structure film to a transfer substrate.例文帳に追加

支持基板上に形成されたＭＩＭ構造（下部電極／誘電体層／上部電極）膜を、均一かつ低ダメージで剥離して、転写基板へ転写する。 - 特許庁

In place of the capacitor unit 6 and the transmission line 4, a metal-insulator-metal (MIM) capacitor unit configured by connecting in series a plurality of MIM capacitors may also be provided.例文帳に追加

なお、コンデンサ部６と伝送線路４との代わりに、複数のＭＩＭキャパシタを直列接続して構成したＭＩＭキャパシタ部を設けてもよい。 - 特許庁

To form an MIM capacitance element in an easy step and to facilitate the formation of a contact with an upper electrode and a lower electrode of the MIM capacitance element.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を容易な工程で形成し、且つ、当該ＭＩＭ容量素子の上部電極および下部電極へのコンタクト形成を容易に行う。 - 特許庁

To provide a high density composite MIM capacitor with reduced voltage dependence.例文帳に追加

電圧依存性が低減した高密度複合ＭＩＭキャパシタを提供する。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING DIELECTRIC LAYER, MIM CAPACITOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

誘電体層形成用組成物、ＭＩＭキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR IC DEVICE CONTAINING MIM CAPACITOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタを含む半導体集積回路素子およびその製造方法 - 特許庁

To manufacture a tunnel insulation layer in an MIM electron source in high quality and stability, in an FED (a field emission display) using the MIM electron source.例文帳に追加

ＭＩＭ電子源を用いたＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）において、ＭＩＭ電子源におけるトンネル絶縁層を高品質でかつ安定して製作する。 - 特許庁

To stabilize capacity characteristics of capacitor insulation of a fine MIM capacitor.例文帳に追加

微細なＭＩＭキャパシタのキャパシタ絶縁の容量特性を安定化させること。 - 特許庁

In an insulation film 15, a second electrode of the MIM capacitor is formed.例文帳に追加

絶縁膜１５内には、ＭＩＭ型キャパシタの第２電極が形成されている。 - 特許庁

A lower electrode 17 of an MIM capacitor is formed on the GaAs substrate 11.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１１上にＭＩＭキャパシタの下部電極１７を形成する。 - 特許庁

CAPACITY ELEMENT OF MIM STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

ＭＩＭ構造の容量素子及びそれを有する半導体集積回路装置 - 特許庁

Thus, the processing size accuracy of the lower electrode metallic film 3 configuring the main MIM capacitive element is enhanced to suppress dispersion in the capacitance of the MIM capacitor, and to reduce the parasitic stray capacitance of the dummy MIM element part.例文帳に追加

これにより、主ＭＩＭ容量素子部を構成する上部電極用金属膜３の加工寸法精度が向上し、ＭＩＭ容量の容量値のばらつきを抑えられるとともに、ダミーＭＩＭ素子部による寄生浮遊容量を低減できる。 - 特許庁

To suppress dielectric breakdown of a capacitive insulating film caused by abnormal discharge during formation of an MIM capacitive element and obtain the MIM capacitive element having a high capacity density.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子形成時に生じる異常放電による容量絶縁膜の絶縁破壊を抑えることができて、高容量密度のＭＩＭ容量素子を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of increasing breakdown voltage of an MIM capacitor.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの耐圧を高めることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

According to a disclosed embodiment, a composite MIM capacitor comprises a lower electrode 124 of a lower MIM capacitor situated in a lower interconnect metal layer of a semiconductor die.例文帳に追加

開示された一実施例によれば、複合ＭＩＭキャパシタは、半導体ダイの下部相互接続金属層に位置する下部ＭＩＭキャパシタの下部電極１２４を含む。 - 特許庁

ENCAPSULATING METAL STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND MIM CAPACITOR INCLUDING THE SAME STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置用のカプセル化金属構造および同構造を含むＭＩＭキャパシタ - 特許庁

The size in the depth direction of the MIM capacitor corresponds to the thickness of two wiring layers.例文帳に追加

また、このＭＩＭキャパシタの深さ方向の大きさは、配線層２層分である。 - 特許庁

The MIM electron source includes a lower electrode, a tunnel insulation layer, and an upper electrode.例文帳に追加

ＭＩＭ電子源は下部電極、トンネル絶縁層、上部電極で構成される。 - 特許庁

A signal wire plays a role as the lower electrode at a part of the MIM electron source.例文帳に追加

信号線はＭＩＭ電子源の部分では下部電極としての役割を持つ。 - 特許庁

HIGH DENSITY COMPOSITE MIM CAPACITOR WITH REDUCED VOLTAGE DEPENDENCE IN SEMICONDUCTOR DIE例文帳に追加

半導体ダイにおける、電圧依存性が低減した高密度複合ＭＩＭキャパシタ - 特許庁

The upper electrode metallic film pattern 5B of the dummy MIM element is arranged to keep a prescribed distance from the end of the upper electrode metallic pattern 5A of the main MIM capacitive element, and the upper electrode metallic pattern 5B of the dummy MIM element is configured to be electrically connected to the lower electrode metallic film 3 of the main MIM capacitive element.例文帳に追加

ダミーＭＩＭ素子部の上部電極用金属膜パターン５Ｂを主ＭＩＭ容量素子部の上部電極用金属膜パターン５Ａの端部から一定の距離を保つように配置し、ダミーＭＩＭ素子部の上部電極用金属膜パターン５Ｂは、主ＭＩＭ容量素子部の下部電極用金属膜３と電気的に接続されるように構成する。 - 特許庁

An MIM capacitor C1 having inverse fluctuations to those of the MIM insulation film thickness L is inserted to input of the TR to combine the capacitor C1 with an input capacitor of the TR so as to automatically absorb the fluctuations in the MIM insulation film thickness L.例文帳に追加

ＭＩＭ絶縁膜厚Ｌの変動に対して逆の変動を示すＭＩＭ容量Ｃ１をトランジスタの入力側に挿入しトランジスタの入力容量と組み合わせることにより、ＭＩＭ絶縁膜厚Ｌの変動を自動的に吸収することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an MIM (metal-insulator-metal) capacitor to reduce dimensions.例文帳に追加

ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）コンデンサの面積削減製造方法の提供。 - 特許庁

To improve both the reliability of a MEMS element and the characteristics of a MIM element.例文帳に追加

ＭＥＭＳ素子の信頼性の向上とＭＩＭ素子の特性の向上とを両立する。 - 特許庁

To provide a display device using an MIM electron source excellent in lifetime and in gray scale controllability.例文帳に追加

長寿命と階調制御性が優れたＭＩＭ電子源を用いた表示装置 - 特許庁

To improve the reliability of a capacitor having MIM (Metal Insulator Metal) structure, and the manufacture yield.例文帳に追加

ＭＩＭ(Metal Insulator Metal)構造を有するキャパシタの信頼性、製造歩留まりを向上させる。 - 特許庁

To provide stable capacitive values in semiconductor devices including capacitors in a MIM structure.例文帳に追加

ＭＩＭ構造のキャパシタを含む半導体装置において、安定した容量値を与える。 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING MIM(METAL/INSULATOR/METAL) STRUCTURE USING ANODE OXIDATION PROCESS例文帳に追加

陽極酸化プロセスを使用してのＭＩＭ（金属・絶縁物・金属）構造の製造方法 - 特許庁

To provide an MIM capacitor having a predetermined capacitance and a semiconductor device including it.例文帳に追加

一定のキャパシタンスを有するＭＩＭキャパシタ及びこれを含む半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide an MIM capacitive element with high precision by forming a metallic film pattern for an upper electrode for specifying the capacitance of an MIM capacitor with high accuracy so as to suppress dispersion in the capacitance.例文帳に追加

ＭＩＭ容量の容量を規定する上部電極用金属膜パターンを精度よく形成し、容量値のバラツキを抑え、高精度なＭＩＭ容量素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving the high reliability of an MIM capacitive element by improving the structure of the MIM capacitive element and the manufacturing process.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の構造の改善、および製造工程の改善を図ることにより、ＭＩＭ容量素子の高信頼性の向上を可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁