「metal-oxide-semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METAL OXIDE PRODUCTION METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METAL OXIDE PRODUCTION APPARATUS例文帳に追加

金属酸化物の製造方法，半導体装置及び金属酸化物製造装置 - 特許庁

MOS (METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体および薄膜トランジスタ - 特許庁

This metal oxide semiconductor layer 12 includes a zinc oxide.例文帳に追加

この金属酸化物半導体層１２は、酸化亜鉛を含んでいる。 - 特許庁

Complementary metal-oxide semiconductor Active Pixel Sensors (CMOS APS) 例文帳に追加

:相補形金属酸化膜半導体能動ピクセルセンサ（CMOS APS） - コンピューター用語辞典

Complementary metal-oxide semiconductor Active Pixel Sensors (CMOS APS) 例文帳に追加

相補形金属酸化膜半導体能動ピクセルセンサ（CMOS APS） - コンピューター用語辞典

NARROW CHANNEL METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

狭チャネル金属酸化物半導体トランジスタ - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

金属酸化物半導体電極の製造方法 - 特許庁

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) STRUCTURE例文帳に追加

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）構造物 - 特許庁

MANUFACTURE OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

金属—酸化物—半導体トランジスタの製造方法 - 特許庁

METAL OXIDE FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

金属酸化物膜とその製造方法、及び半導体装置 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

金属酸化物半導体薄膜及びその製法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM OF POROUS METAL- OXIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

多孔質金属酸化物半導体薄膜の製造方法 - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ - 特許庁

SPLIT GATE TYPE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

分割ゲート型金属酸化物半導体デバイス - 特許庁

TERMINATION STRUCTURE AND TRENCH METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

終端構造及びトレンチ金属酸化膜半導体素子 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PARTICLE DISPERSION COMPOSITION例文帳に追加

金属酸化物半導体粒子分散組成物 - 特許庁

COMPLEMENTARY METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

相補型金属酸化膜半導体デバイス - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

金属酸化膜半導体製造方法 - 特許庁

STRAINED SILICON COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ON HYBRID CRYSTAL ORIENTATION例文帳に追加

ハイブリッド結晶方位上の歪みシリコンＣＭＯＳ - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor particle dispersion composition which can form a metal oxide semiconductor thin film having excellent electrical characteristics even at low temperatures, and to provide a metal oxide semiconductor thin film, a transparent conductive film and a thin film transistor using the metal oxide semiconductor particle dispersion composition.例文帳に追加

電気的特性に優れる金属酸化物半導体薄膜を低温でも形成することが可能な金属酸化物半導体粒子分散組成物を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR HETEROJUNCTION METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

POLYETHYLENE GLYCOLIZED METAL, METAL OXIDE, OR ULTRAFINE SEMICONDUCTOR PARTICLE例文帳に追加

ポリエチレングリコール化金属、金属酸化物または半導体超微粒子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING METAL OXIDE THIN-FILM PATTERN, METAL OXIDE THIN-FILM, SEMICONDUCTOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物薄膜パターンの製造方法、金属酸化物薄膜、半導体および薄膜トランジスタ - 特許庁

To provide a semiconductor device with large on-current of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのオン電流の大きな半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor gas sensor is equipped with the gas-sensitive element A containing tin oxide as a metal oxide semiconductor.例文帳に追加

金属酸化物半導体として酸化スズを含有する感ガス体Ａを備える。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, THE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体及びこれを用いた半導体素子、薄膜トランジスタ - 特許庁

The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＪＭＯＳＦＥＴ（Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）１７の寄生ダイオードと並列に、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）２０を備えている。 - 特許庁

METHOD OF FORMING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC PIGMENT SENSITIZING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE AND SOLAR BATTERY HAVING THE SAME例文帳に追加

金属酸化物半導体膜の形成方法、有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びこの半導体電極を有する太陽電池 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PARTICLE DISPERSION BODY, MANUFACTURING METHOD OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE, AND PHOTOELECTRIC TRANSFER CELL例文帳に追加

金属酸化物半導体粒子分散体、金属酸化物半導体電極の製造方法、および光電変換セル - 特許庁

PHOTOELECTRIC CELL, COATING LIQUID FOR FORMING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND MANUFACTURE OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM FOR PHOTOELECTRIC CELL例文帳に追加

光電気セルおよび金属酸化物半導体膜形成用塗布液、光電気セル用金属酸化物半導体膜の製造方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, DYE-SENSITIZED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE, AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL例文帳に追加

金属酸化物半導体膜の形成方法、色素増感型金属酸化物半導体電極及び色素増感型太陽電池 - 特許庁

DISPERSION COMPOSITION FOR METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM FORMATION, AND METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

金属酸化物半導体薄膜形成用分散組成物、及び、金属酸化物半導体薄膜の製造方法 - 特許庁

The first metal oxide layer 111 serves as a p-type semiconductor layer and the second metal oxide layer 114 serves as a n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第１の金属酸化物層１１１はｐ型の半導体層として、第２の金属酸化物層１１４はｎ型の半導体層として働く。 - 特許庁

To provide a signal transfer circuit of which the cost is reduced, by reducing the number of used LDMOSs (laterally diffused metal oxide semiconductor) that becomes hindrance to cost reduction.例文帳に追加

コストダウンの障害となるＬＤＭＯＳ（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）の使用数を削減しコストダウンを図れる信号伝達回路を提供する。 - 特許庁

Each switch (M1-M4) of the first switch group and the second switch group is constituted by a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

第１スイッチ群および第２スイッチ群の各スイッチ（Ｍ１〜Ｍ４）は、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）で構成される。 - 特許庁

The sensor is provided with a sensitive element 1 comprising a metal oxide semiconductor containing indium oxide.例文帳に追加

酸化インジウムを含有する金属酸化物半導体からなる感応素子１を具備する。 - 特許庁

The element is formed of a metal oxide semiconductor obtained by adding platinum to oxide tungsten.例文帳に追加

酸化タングステンに白金を添加して得られる金属酸化物半導体から成る。 - 特許庁

A transistor that includes an oxide semiconductor film is provided with: a metal oxide film constituted by a constituent(s) similar to that of the oxide semiconductor film is laminated on the lower surface of the oxide semiconductor film; and an insulating film constituted by a different constituent(s) from that of the metal oxide film and oxide semiconductor film is formed in contact with a surface of the metal oxide film facing the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。 - 特許庁

A transistor containing an oxide semiconductor film is provided in which a metal oxide film having the same kind of component as that of the oxide semiconductor film is stacked on an upper surface and a lower surface of the oxide semiconductor film, and further, an insulating film having a component different from the metal oxide film and the oxide semiconductor film is adjoined to a surface facing the surface contacting to the oxide semiconductor film in the metal oxide film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部及び下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜を積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。 - 特許庁

UNIDIRECTIONAL METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND APPLICATIONS THEREOF例文帳に追加

単方向金属酸化膜半導体電界効果トランジスターとその応用 - 特許庁

INDIUM-CONTAINING SEMICONDUCTOR METAL OXIDE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

インジウム含有半導体金属酸化物とその製造方法 - 特許庁

METAL OXIDE, SEMICONDUCTOR, ELECTRODE FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION MATERIAL, AND SOLAR BATTERY例文帳に追加

金属酸化物、半導体、光電変換材料用電極及び太陽電池 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE AND DYE-SENSITIZED SOLAR CELL例文帳に追加

金属酸化物半導体電極及び色素増感太陽電池 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR INCLUDING ZINC AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

亜鉛含有金属酸化物半導体およびその製造方法 - 特許庁