「metal-oxide-semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A charging transistor M2 is an N-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) disposed between the high voltage terminal VH and the power terminal VCC and biased to be normally on.例文帳に追加

充電用トランジスタＭ２は、ハイ電圧端子ＶＨと電源端子ＶＣＣの間に設けられ、ノーマリオンとなるようバイアスされたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。 - 特許庁

The photoelectric conversion element includes at least a metal oxide semiconductor layer and a buffer layer made of In_2S_3, wherein the buffer layer is formed on the metal oxide semiconductor layer by the spray method and its thickness is 0.2 to 1.0 μm.例文帳に追加

少なくとも、金属酸化物半導体層、及びＩｎ_２Ｓ_３からなるバッファー層を備え、該バッファー層は、金属酸化物半導体層上にスプレー法により形成され、厚みが０．２〜１．０μｍである、光電変換素子。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal oxide semiconductor thin film in which the metal oxide semiconductor thin film can be formed only by a wet method, and a method of manufacturing a three-terminal type electronic device.例文帳に追加

酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to form the single crystal metal oxide thin film 6, the semiconductor substrate 2 is kept in a heated state, and then metal atoms and an oxidation gas are supplied to the oxide film 4 of the semiconductor substrate 2 in the film deposition apparatus.例文帳に追加

半導体基板２を加熱した状態で、成膜装置内で、金属原子および酸化ガスを半導体基板２の酸化膜４に供給する。 - 特許庁

A first transistor M1 is an N-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which a first terminal 12 of a conduction channel, a gate 14 and a back gate 16 are connected to a terminal P1 to be protected.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１は、伝導チャンネルの第１端子１２、ゲート１４およびバックゲート１６が、保護対象となる端子Ｐ１に接続されたＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）である。 - 特許庁

An amplifying circuit amplifies each differential output of a differential amplifier 60 by current amplifying circuits 701 and 702 as an output circuit having a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) current mirror.例文帳に追加

差動アンプ６０の差動の出力のそれぞれを、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）カレントミラーの構成を備える出力回路としての電流増幅回路７０１および７０２で増幅する増幅回路である。 - 特許庁

An insulating film 6 which includes a metal, silicon and oxygen, is formed between a semiconductor substrate 1 and a metal oxide film 3.例文帳に追加

半導体基板１と金属酸化物膜３との間に、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜６が形成されている。 - 特許庁

To provide a metal oxide-semiconductor gas sensor with an increased gas sensitivity, on which an expensive noble metal catalyst is not supported.例文帳に追加

高価な貴金属触媒を担持せしめない金属酸化物半導体ガスセンサにおいて、それのガス感度を更に一段と高めたものを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate dielectric layer made of a metal oxide or a metal silicate on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に酸化金属またはケイ酸金属ゲート誘電体層を形成するための方法を提供する。 - 特許庁

To improve the performance of a semiconductor device which uses a metal oxide film or a metal silicate film as a gate insulating film.例文帳に追加

金属酸化物膜或いは金属珪酸化物膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置の性能を向上させる。 - 特許庁

To evenly and efficiently reduce a metal oxide generated on a metal making an electrode and a wiring of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の電極あるいは配線を形成している金属に生成した金属酸化物を均一かつ効率的に還元する。 - 特許庁

To provide a complementary metal oxide semiconductor integration process that allows a plurality of silicide metal gates to be prepared on a gate dielectric.例文帳に追加

ゲート誘電体の上に複数のシリサイド金属ゲートが作製される相補型金属酸化物半導体集積化プロセスを提供する。 - 特許庁

A metal contained in the oxide semiconductor film may be present as a crystal grain or a microcrystal in the high metal concentration region 50.例文帳に追加

高金属濃度領域５０には、酸化物半導体膜に含まれる金属が、結晶粒あるいは微結晶として存在していてもよい。 - 特許庁

In the metal high-concentration region, a metal included in the oxide semiconductor film may be present as crystalline grains or microcrystals.例文帳に追加

金属高濃度領域には、酸化物半導体膜に含まれる金属が、結晶粒または微結晶として存在していてもよい。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal oxide semiconductor layer having a large forbidden band width on an existing metal and a semiconductor substrate or a semiconductor material layer at low temperatures, and to provide a semiconductor material layer manufactured by the method.例文帳に追加

大きな禁制帯幅をもつ金属酸化物半導体層を、既存の金属および半導体基板や半導体材料層上に、低温で形成する方法およびその方法によって作製される半導体材料層を提供する。 - 特許庁

The photocatalyst device includes a photocatalyst function layer which comprises a nitride semiconductor, and a thin film which comprises any of a metal oxide film, a metal nitride film and a metal oxide nitride film disposed on a surface of the photocatalyst function layer.例文帳に追加

窒化物半導体からなる光触媒機能層と、光触媒機能層の表面上に配置された金属酸化膜、金属窒化膜及び金属酸窒化膜のいずれかからなる薄膜とを備える。 - 特許庁

RUTHENIUM COMPLEX, DYE SENSITIZING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE INCLUDING THE SAME AND SOLAR BATTERY EQUIPPED WITH THE SEMICONDUCTOR ELECTRODE例文帳に追加

ルテニウム錯体、同錯体を含む色素増感金属酸化物半導体電極、及び該半導体電極を備えた太陽電池 - 特許庁

ORGANIC DYE SENSITIZED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND SOLAR CELL HAVING THE SEMICONDUCTOR ELECTRODE例文帳に追加

有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びその製造方法、並びにこの半導体電極を有する太陽電池 - 特許庁

To form an oxide layer with low metal impurity concentration on the surface of a semiconductor layer employing a chemically stable semiconductor such as silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素などの化学的に安定な半導体を用いながら、その半導体層の表面に金属不純物濃度の低い酸化物層を形成する。 - 特許庁

A p-type metal oxide semiconductor layer (7) for surface stabilization is provided on the other main surface (11) of the main semiconductor area (1).例文帳に追加

主半導体領域（１）の一方の主面（１１）上に表面安定化用のｐ型金属酸化物半導体層（７）が設けられている。 - 特許庁

Then, the semiconductor substrate 2 is introduced into a film deposition apparatus to form a single crystal metal oxide thin film 6 on the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

その後、半導体基板２を成膜装置に導入し、単結晶金属酸化物薄膜６を成膜させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor nanowire device for achieving a high on current for a high-performance complementary-metal oxide semiconductor (CMOS) circuit.例文帳に追加

高性能の相補型金属半導体（ＣＭＯＳ）回路の為の高いオン電流をもたらす半導体ナノワイヤ・デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a stable MOS (Metal Oxide Semiconductor) semiconductor relay having good balance between a turn on time and a turn off time, performing high-speed operation, and no malfunction.例文帳に追加

ターンオン時間及びターンオフ時間のバランスが良く、高速の作動が可能な、誤動作の無い安定なＭＯＳ半導体リレーを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which has a relatively easy manufacturing process and suppresses variations in characteristics of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

製造プロセスが比較的容易で、かつＭＯＳＦＥＴの特性のばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor with high breakdown voltage that can achieve reduction in on-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の低減を実現できる、高耐圧のＬＤＭＯＳトランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor transistor device having improved capability such as an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), an HEMT (High Electron Mobility Transistor) and the like.例文帳に追加

改善した能力を備えた、ＭＯＳＦＥＴやＨＥＭＴなどの半導体トランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a power MISFET (metal-oxide semiconductor field effect transistor) or the like which is reduced in both on-resistance and gate resistance.例文帳に追加

オン抵抗とゲート抵抗の両方を低減したパワーＭＩＳＦＥＴ（ＭＯＳＦＥＴ）等の半導体装置を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the metal oxide semiconductor that executes heat treatment to a semiconductor precursor layer formed on a substrate for forming a metal oxide semiconductor, the semiconductor precursor layer is simultaneously irradiated with electromagnetic waves with the heat treatment.例文帳に追加

基板上に形成した半導体前駆体層に加熱処理を行って金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、前記加熱処理と同時に半導体前駆体層に電磁波を照射することを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 - 特許庁

To provide an etching agent composition for a thin film having high permittivity to be used in manufacturing processes of a semiconductor device which uses a thin film having high permittivity, specifically, a semiconductor device which uses an extremely thin gate insulation film layer and a gate electrode which are essential to increase of integration and rapid operation of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）の高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT FORMED USING HYDROGEN TREATMENT OF GATE OXIDE FILM例文帳に追加

ゲート酸化膜の水素処理による炭化ケイ素半導体素子を用いた炭化ケイ素半導体の金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタの作製方法 - 特許庁

In a semiconductor device including a thin film of a metal oxide used as a gate insulating film or the like, and a manufacturing method thereof; the semiconductor device is formed on a substrate made of a group IV semiconductor substance, and thermally treated using a metal oxide at a first temperature, so that it includes a thin film comprising the group IV semiconductor substance from the substrate that has thoroughly been diffused into the metal oxide.例文帳に追加

ゲート絶縁膜等に適用する金属酸化物の薄膜を含む半導体装置及びその製造方法において、前記半導体装置は、４族半導体物質の基板上に形成され、金属酸化物及び第１温度で熱処理を行って、前記基板から前記金属酸化物に充分に拡散させた前記４族半導体物質で構成される薄膜を含む。 - 特許庁

To provide a method for removing residues containing a polymer resist and a metal oxide from a metal structure on a semiconductor substrate, in the semiconductor substrate on which metal wiring is formed.例文帳に追加

金属配線を形成した半導体基板において、半導体基板上の金属構造から高分子レジストと金属酸化物とを含む残留物を除去するプロセスの提供。 - 特許庁

A gate electrode 8, formed on a semiconductor layer 4, is composed by a lamination structure where a reaction layer 5 of a semiconductor layer 4 and a metal film, a metal oxide film 6, and a metal layer 7 are successively laminated.例文帳に追加

半導体層４上に形成するゲート電極８を、半導体層４と金属膜との反応層５、金属酸化膜６、及び、金属層７を順次積層させた積層構造で構成する。 - 特許庁

By having semiconductor thin films 304-308 made to abut against the metal layer 102 to form a region 410 including an oxide of a metal element among them, the semiconductor thin films 304-308 is bonded to the metal layer 102.例文帳に追加

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接触させて、これらの間に金属元素の酸化物を含む領域４１０を形成することによって、半導体薄膜３０４−３０８と金属層１０２とを接合する。 - 特許庁

A metal oxide film 2 with a metal element other than the components of a compound semiconductor 1 as a component is inserted into the interface between an insulation film 3 and the compound semiconductor 1 for composing this insulated gate compound semiconductor device.例文帳に追加

絶縁ゲート型化合物半導体装置を構成する絶縁膜３と化合物半導体１との界面に、化合物半導体１の構成元素以外の金属元素を構成要素とする金属酸化膜２を挿入する。 - 特許庁

This manufacturing method of an oxide semiconductor electrode comprising a conductive substrate and an oxide semiconductor layer includes a process for applying a solution containing metal alkoxide and the solid electrolyte melt to the surface of the conductive substrate to form the oxide semiconductor layer by a sol-gel method.例文帳に追加

導電性基板と酸化物半導体層からなる酸化物半導体電極の製造方法において、導電性基板の表面上に、金属アルコキシドと固体電解質溶融体を含む溶液を塗布し、ゾルゲル法により酸化物半導体層を形成する工程を含む。 - 特許庁

The thin film transistor has a structure including a gate electrode 20 formed on a substrate 10, a gate insulating film 30 on the gate electrode 20, an oxide semiconductor film 40 on the gate electrode 20 and the gate insulating film 30, a metal oxide film 60 on the oxide semiconductor layer 40, and a metal film 70 on the metal oxide film 60.例文帳に追加

薄膜トランジスタの構造を、基板１０上に形成されたゲート電極２０と、ゲート電極２０上のゲート絶縁膜３０と、ゲート電極２０およびゲート絶縁膜３０上の酸化物半導体膜４０と、酸化物半導体膜４０上の金属酸化物膜６０と、金属酸化物膜６０上の金属膜７０と、を有する構造とする。 - 特許庁

The metallic oxide semiconductor serving as the gas detector is composed of tin oxide, and both pentavalent transition metal and trivalent transition metal are added to the semiconductor to allow the stable adsorption of oxygen in the atmosphere to the surface of the semiconductor.例文帳に追加

ガス検知体となる金属酸化物半導体を酸化スズにより構成し、この半導体に５価遷移金属と３価遷移金属の両方を加えることにより半導体の表面への大気中の酸素の吸着が安定に行われるようにする。 - 特許庁

A method for forming the metal oxide layer on the semiconductor layer deposited on a substrate comprises a step wherein the semiconductor layer is subjected to arc discharge and a subsequent step wherein the metal oxide layer is deposited on the semiconductor layer through glow discharge.例文帳に追加

基体上に堆積された半導体層上に金属酸化物層を形成する方法において、半導体層をアーク放電により処理する工程と、該半導体層上にグロー放電により金属酸化物層を付着させる工程と、をこの順に有することを特徴とする。 - 特許庁

To realize a manufacturing process of a semiconductor which is free from defect/failure and inner contamination of production installation due to fragment of film peeling of the oxide film of a high melting point metal formed in the wafer rear surface of a semiconductor in a semiconductor device wherein the oxide film of a high melting point metal is used.例文帳に追加

高融点金属の酸化膜を使用する半導体装置において、半導体のウエハ裏面に形成された高融点金属の酸化膜の膜剥離した破片による欠陥不良および生産設備内部汚染がない半導体の製造工程を実現する。 - 特許庁

In the photoelectric convertor composed of a metal oxide semiconductor electrode, a pigment adsorbed on the surface, an electrolyte having an oxidation-reduction pair and a counter electrode, the titanium oxide semiconductor electrode having the porous titanium oxide thin film formed on the conductive substrate is provided as the metal oxide semiconductor electrode in a structural element.例文帳に追加

金属酸化物半導体電極とその表面に吸着した色素と酸化還元対を有する電解質と対向電極とからなる光電変換素子において、金属酸化物半導体電極として、上記多孔質酸化チタン薄膜が導電性基体上に形成されている酸化チタン半導体電極を構成要素に持つことを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

In another suitable aspect, electrical insulation solid particles modified on their surfaces with organic molecules or a semiconductor inorganic material, especially the electrical insulation solid particles added with a metal oxide such as tin oxide, titanium oxide on their surfaces are used.例文帳に追加

別の好適な態様においては、有機分子や、半導体性無機物により表面処理された絶縁性固体粒子を用い、特に絶縁性固体粒子の表面に酸化スズ、酸化チタン等の金属酸化物を付着したものを用いる。 - 特許庁

Surface of a crystalline n-type semiconductor is coated with at least any one kind of metal carbonate, metal oxide and metal titanate to produce a composite semiconductor and a film of semiconductor containing the composite semiconductor is formed on a conductive support, thus producing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

結晶性ｎ型半導体の表面を金属炭酸塩、金属酸化物およびチタン酸金属塩のいずれか1種以上を被覆してなることを特徴とする複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。 - 特許庁

To provide an organic dye sensitized metal oxide semiconductor electrode having high energy conversion efficiency which can be easily obtained at low temperature, and to provide an organic dye sensitized metal oxide type solar cell having the above electrode.例文帳に追加

低温で簡易に得られ、高いエネルギー変換効率を有する有機色素増感型金属酸化物半導体電極、及びこれを備えた有機色素増感型太陽電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor film having high energy conversion efficiency which can be easily obtained at low temperature, and to provide an organic dye sensitized metal oxide type solar cell having the above film.例文帳に追加

低温で簡易に得られ、高いエネルギー変換効率を有する金属酸化物導電体膜、及びこれを備えた有機色素増感型太陽電池を提供すること。 - 特許庁