「metal-oxide-semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To make on-voltage to be low and to make element breakdown voltage and latch-up resistance quantity to be high in a lateral IGBT (Insulated Gatebipolar Transistor) and MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

横型のＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴにおいて、オン電圧を低くし、かつ、素子耐圧およびラッチアップ耐量を高くすること。 - 特許庁

To provide a power MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect transistor) having sufficient SEB (single event burnout) resistance used for space.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴにおいて、宇宙用として用いるのに十分なＳＥＢ（シングルイベントバーンアウト）耐量を具えること。 - 特許庁

To provide a complementary metal oxide semiconductor image sensor that can prevent the photoresponse from lowering because of its low temperature insulating protection film for protecting micro lens.例文帳に追加

マイクロレンズを保護するための低温絶縁保護膜に起因する光感度の低下を防止できるＣＭＯＳイメージセンサを提供すること。 - 特許庁

The memory transistor MTr has a NMOS(n-type metal oxide semiconductor) structure and memorizes data from a state where many carriers are accumulated in a channel body 39.例文帳に追加

記憶トランジスタＭＴｒは、ＮＭＯＳ構造を有しており、チャネルボディ３９の多数キャリア蓄積状態によりデータを記憶する。 - 特許庁

An Nch-DMOS(N-channel double diffusion metal oxide semiconductor) ND1 of common gate configuration is used for a high breakdown voltage resistor to transfer the current signal to a low side.例文帳に追加

その電流信号を、ゲート接地構成のＮｃｈ−ＤＭＯＳトランジスタＮＤ１を高耐圧抵抗として用いてローサイドに伝達する。 - 特許庁

To accelerate AD conversion processing in a CMOS (Complementary Metal-oxide Semiconductor) image sensor adopting a single slope integrated AD conversion system.例文帳に追加

シングルスロープ積分型のＡＤ変換方式を採用したＣＭＯＳイメージセンサにおいて、ＡＤ変換処理の高速化を図る。 - 特許庁

To achieve a DMOST (double-diffused metal oxide semiconductor transistor) capable of achieving a low leakage current at high frequencies and high voltages, and also realizing a small-size and low-cost.例文帳に追加

低コストで製造できる、高周波数、高電圧で、漏れ電流が低く、小型化されたＤＭＯＳＴを実現する。 - 特許庁

To provide a metal oxide film semiconductor manufacturing method for increasing the effective gate length, and canceling problems such as short channel effect and a punch-through current.例文帳に追加

有効ゲート長を増大し短チャネル効果やパンチスルー電流の問題を解消できる金属酸化膜半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the simulation circuit of an MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor for precisely simulating the DC characteristics of the MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの直流特性を精度良くシミュレーションできるＭＯＳトランジスタの模擬回路を提供すること。 - 特許庁

To prevent the operation speed of a sampling latch circuit from decreasing when it takes time to change the state of a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) latch cell.例文帳に追加

ＣＭＯＳラッチセルの状態を変化させるのに時間がかかると、サンプリングラッチ回路の動作スピードが遅くなる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film transistor for using, for an active layer, a new oxide semiconductor capable of readily and efficiently performing conversion from a metal oxide precursor to an oxide semiconductor by applying a heat pattern.例文帳に追加

本発明の目的は、熱パターンの適用により、金属酸化物前駆体からの酸化物半導体への転換を、容易にかつ効率よく行うことのできる新しい酸化物半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

In the memory element with a first electrode 22, a second electrode, and an oxide semiconductor layer 24 formed by calcium praseodymium manganate on the first electrode, a metal oxide layer 26 is provided between the second electrode 28 and the oxide semiconductor layer 24.例文帳に追加

第１電極２２と、第２電極と、第１電極上にマンガン酸カルシウムプラセオジウムにより形成された酸化物半導体層２４とを備えるメモリ素子において、第２電極２８と酸化物半導体層２４との間に金属酸化物層２６を設けた。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor electrode layer includes: preparing a coating liquid by adding, to metal oxide semiconductor fine particles 2, a first compound yielding titanium oxide on hydrolysis, and a second compound consisting of a niobium (V) compound yielding oxide or hydroxide on hydrolysis, or phosphoric acid or phosphoric ester; and putting a layer of the coating liquid on a support member 5 followed by low temperature calcination.例文帳に追加

金属酸化物半導体微粒子２に、加水分解して酸化チタンを生じる第１の化合物と、加水分解すると酸化物あるいは水酸化物を生じるニオブ(Ｖ)化合物、もしくはリン酸あるいはリン酸エステルのいずれかである第２の化合物とを加えた塗液を形成する。 - 特許庁

To provide a cleaning method for a semiconductor substrate, together with a semiconductor manufacturing device using it, by allowing stable dissolving of metal impurities so as not to form a hard to dissolve metal oxide, for less metal impurity residue on the semiconductor substrate.例文帳に追加

難溶性の金属酸化物が形成されないように金属不純物の溶解を安定して起こすようにし、半導体基板上に金属不純物の残留を少なくした半導体基板の洗浄方法及びこの方法に用いる半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

This dye-sensitized photosemiconductor electrode is formed by sticking a peroxide of the same metal kind as a semiconductor material to the surface of a metal oxide semiconductor 2, calcinating and then sticking a sensitizing dye.例文帳に追加

金属酸化物半導体２の表面に前記半導体材料と同じ金属種の過酸化物３を付着させ、焼成した後、増感色素を付着させてなる色素増感型光半導体電極。 - 特許庁

The capacitor element C_1 is formed by using a storage region of a p-channel metal insulator semiconductor field-effect transistor having a gate oxide film 9B thicker than the metal insulator semiconductor field-effect transistor of a logic section.例文帳に追加

論理部のＭＩＳＦＥＴよりも厚いゲート酸化膜９Ｂを有するｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの蓄積領域を利用して容量素子Ｃ_1を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) in which the fermi level pinning effect does not cause high threshold voltage at interface poly-silicon (Poly-Si)/metal oxide.例文帳に追加

フェルミレベルのピンニングの効果が、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）／金属酸化物の界面で高い閾値電圧を招かないＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）を含む半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photoelectric transfer element in which a semiconductor electrode made of semiconductor particulates can be formed excellently on a metal oxide membrane while preventing elution of the metal oxide membrane, and at a low temperature process, and a photoelectric transfer element.例文帳に追加

金属酸化物膜上に半導体微粒子からなる半導体電極をその金属酸化物膜の溶出を防止しつつ、しかも低温プロセスで良好に形成することができる光電変換素子の製造方法および光電変換素子を提供する。 - 特許庁

A metal oxide semiconductor film with large transition energy constituting the dye sensitizing element optical sensor is allowed to have a columnar structure which is vertically extended with respect to a transparent electrode formed on a substrate with the metal oxide semiconductor film formed thereon.例文帳に追加

色素増感素子光センサを構成する遷移エネルギーの大きい金属酸化物半導体膜をこの金属酸化物半導体膜を形成する基板上に形成した透明電極に対して垂直方向に伸びた柱状構造とする。 - 特許庁

As compared with a case in which no organic solvent is contained, injection of electrons from dyes excited by absorbing light to a metal oxide semiconductor layer 12 is carried out efficiently and the electrons move promptly from the metal oxide semiconductor layer 12 to an external circuit.例文帳に追加

有機溶媒を含まない場合と比較して、光を吸収して励起した色素から金属酸化物半導体層１２への電子の注入が効率よく行われ、金属酸化物半導体層１２から外部回路へ速やかに電子が移動する。 - 特許庁

A photoelectric converter 1 has a metal oxide semiconductor 3 which includes at least one element (selected from among nitrogen, carbon, fluorine, sulfur, chlorine, and phosphorus) and has a pigment performing photoelectric conversion on a conductive support 2 so that the metal oxide semiconductor exists in a translucent conductor 5.例文帳に追加

導電性支持体２上に、窒素，炭素，弗素，硫黄，塩素，リンの中から選択された１種以上の元素を含有し、かつ光電変換を行なう色素を有した金属酸化物半導体３を、透光性を有する導電体５中に存在する状態で配設したことを特徴とする光電変換装置１とする。 - 特許庁

To obtain metal oxide powder having excellent improving effect on fluidity and moldability of semiconductor sealing material and increasing mechanical strength and solder heat resistance, to provide a method for producing the same, to obtain a resin composition using the metal oxide powder, especially a semiconductor sealing material.例文帳に追加

半導体封止材料の流動性・成形性の改善効果に優れ、機械的強度およびはんだ耐熱性が高めることができる金属酸化物粉末とその製造方法、およびそれを用いた樹脂組成物、特に半導体封止材料を提供する。 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor high in carrier mobility and stability; a manufacturing method of a metal oxide semiconductor improved in production efficiency; and a thin-film transistor (TFT) stably operating by using the same.例文帳に追加

本発明の目的は、キャリア移動度や安定性が高い金属酸化物半導体を得ることにあり、更に生産効率が向上した金属酸化物半導体の製造方法を得ることにあり、これを用いて安定に動作する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子を得ることにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing process capable of forming a porous metal oxide semiconductor layer having high conversion efficiency by treatment in a short time and by using a resin substrate; and to provide a method of manufacturing an electrode for photoelectric conversion using the metal oxide semiconductor layer and the manufacture of a photoelectric conversion cell.例文帳に追加

短時間の処理で、かつ樹脂基材を用いて高い変換効率を有した多孔質状の金属酸化物半導体層を形成できる製造工程を提供し、ひいては、当該金属酸化物半導体層を用いた光電変換用電極、光電変換セルの製造をも可能とすることである。 - 特許庁

A source electrode layer or a drain electrode layer is formed in structure of a lamination layer of two layers or more, and one layer abutting on an oxide semiconductor layer from among the lamination layer is formed of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer, or alloy of such metal.例文帳に追加

ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属又はそのような金属の合金とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing process in which a porous metal oxide semiconductor layer having a high conversion efficiency can be formed by a treatment of a short time and by using a resin base material, and furthermore to enable manufacturing of an electrode for photoelectric conversion and a photoelectric conversion cell using the metal oxide semiconductor layer.例文帳に追加

短時間の処理で、かつ、樹脂基材を用いて、高い変換効率を有した多孔質状の金属酸化物半導体層を形成できる製造工程を提供し、ひいては、当該金属酸化物半導体層を用いた光電変換用電極、光電変換セルの製造をも可能とすることである。 - 特許庁

The shorting transistor which can be either a P-channel Metal Oxide Semiconductor (PMOS) device or an N-channel Metal Oxide Semiconductor (NMOS) device and can be controlled utilizing the same clock that enables the drive of the signals between which charge-sharing occurs.例文帳に追加

短絡トランジスタはＰチャネル金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）デバイスまたはＮチャネル金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）デバイスのいずれかであり、電荷共有が起きる間での信号の起動を可能にする同じクロックを利用して制御されることができる。 - 特許庁

The source electrode layer or the drain electrode layer is formed in a layered structure of two layers or more, and one layer abutting on the oxide semiconductor layer from among the layer stack is formed of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer, or an alloy of such metal.例文帳に追加

ソース電極層またはドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属又はそのような金属の合金とする。 - 特許庁

In one pixel P, at least a semiconductor layer 6 in an element forming area A1 where an active element 3 is formed, is formed of a transparent metal oxide, and a transparent metal oxide layer 16 is formed on the semiconductor layer 6 side of a non-element formation area A2 where no active element 3 is formed.例文帳に追加

一画素Ｐ内において、アクティブ素子３が形成されている素子形成領域Ａ１の少なくとも半導体層６を、透明な金属酸化物で形成し、アクティブ素子３が形成されていない非素子形成領域Ａ２の半導体層６側方に、透明な金属酸化物層１６を形成する。 - 特許庁

To provide a method of attaining at the same time lowering of temperature in a metal oxide semiconductor forming method, high degree of purification of a metal oxide semiconductor layer, shortening of manufacturing process, and reduction of manufacturing cost, in a manufacturing method of a dye sensitizing solar cell.例文帳に追加

色素増感太陽電池の製造方法において、金属酸化物半導体形成法の低温化、金属酸化物半導体層の高純度化、製造工程の短縮化、及び製造コストの縮小化を同時に達成する方法を提供する。 - 特許庁

In the dye sensitized solar battery comprising that at least a transparent electroconductive layer, a porous metal oxide semiconductor layer to which dye is adsorbed, an electric charge carrier layer, an electroconductive catalyst layer, and/or an electroconductive layer are sequentially formed, the metal oxide semiconductor layer is composed of a layer containing carbon.例文帳に追加

基板上に、少なくとも透明導電層，色素を吸着させた多孔質の金属酸化物半導体層，電荷輸送層，導電性触媒層および／または導電層を順に形成してなる色素増感太陽電池において、上記金属酸化物半導体層が炭素を含む層からなることを特徴とする。 - 特許庁

A silicon substrate 11 having a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) formed therein and a gate insulating film 12 formed thereon are formed as base layers, an insulating layer as an organic SOG (spin on glass) film 13 or the like is deposited thereon, and grooves 15 are made in the insulating layer.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）素子が形成されたシリコン基板１１とその上層に形成されたゲート絶縁膜１２とを下地層として、その上層に有機ＳＯＧ（Spin On Glass ）膜１３等からなる絶縁層が堆積され、その絶縁層に溝１５を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device in which the thin film (106) containing the metal oxide is formed on a semiconductor element, the thin film (106) is an aggregate of crystal particles formed of the metal oxide, and each of the crystal particles is bonded to an adjacent one of each at a part of its surface.例文帳に追加

半導体デバイスは、半導体素子上に、金属酸化物を含む薄膜(106)が形成されてなる半導体デバイスであって、薄膜(106)は、金属酸化物よりなる複数の結晶粒子(106a)の集合体であり、複数の結晶粒子(106a)の各々は、表面の一部において、隣接する結晶粒子と結合している。 - 特許庁

The junction-type voltage-dependent resistor has a joined structure composed of a semiconductor ceramic (ZnO semiconductor ceramic block) 1a whose main component is ZnO and a metal oxide compound (metal oxide compound block) 2a containing Sr and/or Ba and Mn and/or Co which are joined together.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分とする半導体セラミック（ＺｎＯ半導体セラミックブロック）１ａと、Ｓｒ及びＢａのうち少なくとも一方と、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一方とを含む金属酸化化合物（金属酸化化合物ブロック）２ａとが接合された構造とする。 - 特許庁

A semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, and a method for fabricating the semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, each use structural components from a dummy metal oxide semiconductor field effect transistor located and formed over an isolation region located over a semiconductor substrate.例文帳に追加

垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。 - 特許庁

The photoelectric transfer element, comprising a metal oxide semiconductor electrode, a pigment adsorbed to the surface of the electrode, an electrolyte having an oxidation-reduction pair, and a counter electrode, characterized by having a titanium oxide semiconductor electrode containing the thin film formed by the above method as an element for forming the metal oxide semiconductor electrode.例文帳に追加

金属酸化物半導体電極と、その表面に吸着した色素と、酸化還元対を有する電解質と、対向電極とからなる光電変換素子において、金属酸化物半導体電極として、上記方法で形成した酸化チタン半導体電極を構成要素に持つことを特徴とする光電変換素子。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process which forms a metal film with its insulating oxide on the side wall of the hole formed on a semiconductor substrate, and oxidizes the metal film to form an insulating metal oxide film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成された孔の側壁に酸化物が絶縁性を有する金属薄膜を形成し、この金属薄膜を酸化して絶縁性の金属酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The abrasive for a semiconductor produced by coating a basic material with a plurality of metal oxides by compounding, coating, drying, or the like, contains a fine particle metal oxide having a mean particle size of 1-400 nm and a metal oxide having a functional group on the surface.例文帳に追加

基材に複数の金属酸化物を複合塗布乾燥等により被覆処理した半導体用研磨材料であり、平均粒径が１ｎｍから４００ｎｍの微粒金属酸化物、表面に官能基を有する金属酸化物を含むものである。 - 特許庁

An electric field weakening film 6 protruding toward a source and a drain electrode directions, constituted of either one of a laminated film of a metal oxide 7/metal film 8, a metal thin film, or a resistant metal oxide 7, is inserted between a semiconductor layer and the gate electrode 9.例文帳に追加

半導体層とゲート電極９との界面に、ソース・ドレイン電極方向に突き出た金属酸化膜７／金属膜８の積層膜、金属薄膜、或いは、抵抗性金属酸化膜７のいずれかからなる電界緩和膜６を挿入する。 - 特許庁

The magnetic storage device has an interlayer insulating film 26 formed on a semiconductor substrate 11, a metal oxide film 27 formed on the interlayer insulating film 26, a leading wiring film 29 formed on the metal oxide film 27 and containing a metal element, and a magnetic resistance element 30 formed on the leading wiring film 29.例文帳に追加

半導体基板１１上に形成された層間絶縁膜２６と、層間絶縁膜２６上に形成された金属酸化膜２７と、金属酸化膜２７上に形成され、金属元素を含む引き出し配線膜２９と、引き出し配線膜２９上に形成された磁気抵抗素子３０とを有する。 - 特許庁

(5) A process for forming an inorganic thin film by depositing the metal salt, as metal, metal oxide or a semiconductor, on the surface of the polyimide resin.例文帳に追加

（５）この金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程。 - 特許庁

To provide novel metal complexes which can be used as precursors to deposit metal or metal oxide films in semiconductor industries.例文帳に追加

半導体産業において金属膜又は金属酸化物膜を被着させるために前駆体として使用することができる新しい金属錯体を提供すること。 - 特許庁

The source electrode 16A and the drain electrode 16B are formed so that a first metal layer 161, a second metal layer 162 and a third metal layer 163 are stacked from the side of the oxide semiconductor film 14.例文帳に追加

ソース電極１６Ａおよびドレイン電極１６Ｂは、酸化物半導体膜１４の側から第１金属層１６１、第２金属層１６２および第３金属層１６３が順に積層してなる。 - 特許庁

The intermediate unit 4 is provided with a layer 41 containing an n-type semiconductor material, a layer 42 containing a conductive metal oxide, and a layer 43 containing an alkaline metal or an alkaline earth metal.例文帳に追加

中間ユニット４は、ｎ型半導体材料を含む層４１と、導電性金属酸化物を含む層４２と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む層４３と、を備える。 - 特許庁

Electrodes 1 and 2 are coated or electrode 1, 2 and the surface of the semiconductor device are coated with metal oxide films 5 and 6, containing a metal different from a metal which consists of uppermost layers 3 and 4 of the electrodes 1 and 2 as a constituent element.例文帳に追加

半導体装置の電極１，２、または、電極１，２と半導体表面の双方のいずれかを、電極１，２の最上層３，４を構成する金属と異なった金属を構成元素とする金属酸化膜５，６によって被覆する。 - 特許庁