「metal-oxide-semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In the action electrode 10, the decomposition of the dye 14 is inhibited, and the dye 14 is easily fixed to the metal oxide semiconductor layer 12.例文帳に追加

このため、作用電極１０では、色素１４の分解が抑制されると共に、その色素１４が金属酸化物半導体層１２に定着しやすくなる。 - 特許庁

Next, the polymer fine particles 2b is removed by heat treatment or organic solvent extraction to form the metal oxide semiconductor film 2.例文帳に追加

次いでこの高分子微粒子２ｂを加熱処理又は有機溶媒抽出によって除去することにより、金属酸化物半導体膜２を形成する。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device with improved adhesion strength of a transparent electrode and a metal oxide semiconductor, excellent in reliability and high efficiency.例文帳に追加

透明電極および金属酸化物半導体の接着強度を向上させ、信頼性に優れた高効率の光電変換装置を提供すること。 - 特許庁

DYE SENSITIZED PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

色素増感型光電変換素子およびその製造方法ならびに金属酸化物半導体層の形成方法 - 特許庁

To provide a circular chip fingerprint recognition sensor which uses a CMOS(complementary metal oxide film semiconductor) and a method of manufacturing it.例文帳に追加

ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）センサーを用いた円チップ指紋認識センサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) imager flush reset circuit 400 is provided.例文帳に追加

本発明は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像装置フラッシュリセット回路４００を提供する。 - 特許庁

To manufacture an operational amplifier, having a phase reversal protection circuit, using a complementary metal oxide semiconductor(CMOS) process.例文帳に追加

相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）プロセスを用いて、演算増幅器の位相反転を防ぐための保護回路を作製すること。 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor gas sensor exhibiting an extremely high sensitivity and insusceptible to aging.例文帳に追加

センサとしての感度が極めて高いとともに、経時変化などによる影響を受け難い金属酸化物半導体ガスセンサを提供する。 - 特許庁

The resin composition and the semiconductor sealing material comprise the metal oxide powder.例文帳に追加

上記金属酸化物粉末を含有してなることを特徴とする樹脂組成物および半導体封止材料。 - 特許庁

COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM TRANSISTOR COMPRISING COMMON GATE, LOGIC DEVICE COMPRISING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR例文帳に追加

共通ゲートを備える相補型金属酸化物半導体薄膜トランジスタ、それを備える論理素子及びそのトランジスタの製造方法 - 特許庁

Thereby, crystallization of the dye on the surface of the metal oxide semiconductor layer 12 is suppressed in the action electrode 10.例文帳に追加

これにより、作用電極１０では、金属酸化物半導体層１２の表面における色素の結晶化が抑制される。 - 特許庁

Thus, the dye absorbing light easily injects an electron into the metal oxide semiconductor layer 12 in the working electrode 10.例文帳に追加

これにより、作用電極１０では、光を吸収した色素が電子を金属酸化物半導体層１２に注入しやすくなる。 - 特許庁

To provide a high luminance low price semiconductor light emitting element in which the exfoliation of a metal oxide based transparent conductive layer from an epitaxial layer is controlled.例文帳に追加

エピタキシャル層からの金属酸化物系透明導電層の剥離を抑制する、高輝度で低価格の半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

METAL OXIDE PARTICLE, POLISHING MATERIAL CONTAINING THEM, METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE USING THE POLISHING MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY POLISHING例文帳に追加

金属酸化物粒子、これを含む研磨材、この研磨材を用いた基板の研磨方法及び研磨して得られる半導体装置の製造方法 - 特許庁

A dye 14 is carried in the metal oxide semiconductor layer 12 of an action electrode 10 in a dye-sensitive photoelectric conversion element.例文帳に追加

色素増感型の光電変換素子において、作用電極１０の金属酸化物半導体層１２に色素１４が担持されている。 - 特許庁

Then a reactive gas, O_2 for example, is introduced and an ionized metal or an ionized semiconductor forms an oxide with the O_2.例文帳に追加

次に反応ガス例えばＯ_２が導入され、該Ｏ_２により、イオン化された金属またはイオン化された半導体が酸化物を形成する。 - 特許庁

The reverse electron implant preventing layer is made of metal oxide semiconductor, the same as the photoelectric conversion layer, having a film thickness of 1-50 μm.例文帳に追加

逆電子注入防止層は光電変換層と同じ金属酸化物半導体で、膜厚が１μｍから５０μｍである色素増感型太陽電池。 - 特許庁

To realize a semiconductor substrate accommodation apparatus which can effectively control growth of an oxide film on a metal film.例文帳に追加

金属膜上の酸化膜の成長を効果的に抑制できる、半導体基板の収納装置を実現すること。 - 特許庁

By heating the material film 11 from the surface side of the semiconductor substrate 4, physical properties of the metal oxide is varied.例文帳に追加

そして、原料膜１１を半導体基板４の表面側から加熱することにより前記金属酸化物の物性を変化させる。 - 特許庁

HIGH DIELECTRIC CONSTANT METAL OXIDE FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, GATE INSULATING FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

高誘電率金属酸化物膜の作製方法、高誘電率金属酸化物膜、ゲート絶縁膜、及び半導体素子 - 特許庁

A plurality of metal wirings 106 are made on a semiconductor substrate 100 through a first silicon oxide film 101.例文帳に追加

半導体基板１００の上に第１のシリコン酸化膜１０１を介して複数の金属配線１０６を形成する。 - 特許庁

This structure reduces the band gap of the metal oxide semiconductor and thus increases the amount of light absorption, thereby enhancing the photoelectric conversion efficiency.例文帳に追加

これにより、金属酸化物半導体のバンドギャップが狭まって光吸収量が増し、光電変換効率を向上させることができる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 20 composed of of a liner film 26 composed of a metal oxide and an insulating film 22 are formed on a substrate 1 having a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層を有する基板１上に、金属酸化物からなるライナ膜２６と絶縁膜２２からなる層間絶縁膜２０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a metal oxide film having a large capacitance and a small leakage current.例文帳に追加

大きな容量値と小さなリーク電流を有する金属酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor dispersion body capable of realizing film forming, adhesion, stability of performance and high performance as an electrode.例文帳に追加

成膜性、密着性、電極としての性能の安定性、高性能化が可能な金属酸化物半導体分散体の提供。 - 特許庁

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) SLURRY COMPOSITION FOR OXIDE FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE METAL WIRING CONTACT PLUG FORMATION METHOD USING THE SAME例文帳に追加

酸化膜用ＣＭＰスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の金属配線コンタクトプラグの形成方法 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a trench type metal oxide film semiconductor field effect transistor (MOSFET) upward.例文帳に追加

トレンチ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が上方向に作製され得る方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device has a lower electrode, a metal oxide film, and an upper electrode laminated in order at a peripheral edge of the recessed portion and in the recessed portion.例文帳に追加

半導体装置は、凹部の周縁部及び凹部の内部に順次積層された下部電極、金属酸化膜及び上部電極とを備えている。 - 特許庁

To provide a dye sensitizing solar cell, where a metal oxide semiconductor is laminated at a low temperature using the same material as in prior art.例文帳に追加

金属酸化物半導体を従来と同様の材料から、低温で積層させる手段を用いた色素増感太陽電池を提供する - 特許庁

To provide a gate structure for improvement in device performance in a metal oxide film semiconductor field-effect transistor.例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ内にデバイス性能を改善するゲート構造体を提供する。 - 特許庁

To provide technology obtaining characteristic information of a photodiode cell constituting a CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor in a TEG (test element group) cell.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサを構成するフォトダイオードセルの特性情報をＴＥＧセルにおいて得ることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To improve the characteristics of a semiconductor device provided with a capacity element by preventing degradation of the characteristics of a capacity insulating film comprising an insulating metal oxide.例文帳に追加

絶縁性金属酸化物よりなる容量絶縁膜の特性の劣化を防止して、容量素子を備えた半導体装置の特性を向上させる。 - 特許庁

Coating liquid is formed containing metal oxide semiconductor fine particles 2, a first compound, and a second compound.例文帳に追加

金属酸化物半導体微粒子２と第１の化合物と第２の化合物を含有する塗液を形成する。 - 特許庁

A silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) and a method of fabricating the silicon carbide MOSFET are provided.例文帳に追加

炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）および炭化ケイ素ＭＯＳＦＥＴの製造方法が提供されている。 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor that has visible light response and can be used for a photocatalyst and a photoelectric transducer.例文帳に追加

可視光応答性を有し、光触媒や光電変換素子に利用できる金属酸化物半導体を提供する。 - 特許庁

In the first step, the metal oxide semiconductor particles are applied to the surface of the transparent electrode together with additives by electrostatic screen coating.例文帳に追加

第１工程において、添加剤と共に金属酸化物半導体粒子を、透明電極の面に静電スクリーン塗布法によって塗布する。 - 特許庁

To provide a lateral diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor, and a method for manufacturing the transistor.例文帳に追加

本発明は、横方向拡散金属酸化物半導体（LDMOS）トランジスタと、これを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a metal oxide film having satisfactory surface roughness.例文帳に追加

表面ラフネスが良好な金属酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a millimeter wave radio device which achieves downsizing by disposing overlappingly a CMOS-IC (complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit) and a patch antenna.例文帳に追加

ＣＭＯＳ−ＩＣとパッチアンテナとを重ねて配置することを可能とし、小型化を実現したミリ波無線装置を提供する。 - 特許庁

To provide a complementary metal-oxide film semiconductor (CMOS) device that is free from causing troubles in contact formation by a stress liner, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

応力ライナによるコンタクト形成の問題が起きない、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The light-receiving transistor Tr21 and the holding capacitance element C1 are each formed by a MOS (Metal Oxide Semiconductor) type structure.例文帳に追加

受光用トランジスタＴｒ２１および保持容量素子Ｃ１はそれぞれ、ＭＯＳ型構造により形成されている。 - 特許庁

To enable improvement of a current amplification factor hFE even when the depth and concentration of an impurity region are limited by the specifications of a CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) circuit.例文帳に追加

ＣＭＯＳ回路側の仕様で不純物領域の深さや濃度が制約を受けるような場合でもｈＦＥの向上を可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a thin film of a metal oxide which stably retains a non-crystalline state even at a high temperature, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

高温でも非結晶状態を安定的に維持する金属酸化物の薄膜を含む半導体装置その製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the pMOS (P-channel metal oxide semiconductor) active region 6 of SOI and the nMOS (N-channel MOS) active region 8 of SOI can be electrically separated completely.例文帳に追加

これにより、ＳＯＩのｐＭＯＳ活性領域６と、ＳＯＩのｎＭＯＳ活性領域８とを電気的に完全に分離することができる。 - 特許庁

The layer 33 on the nearest side to the substrate side of the two layers of the insulating layers 33, 34 consists of a metal or an oxide of a semiconductor.例文帳に追加

２層の絶縁層３３，３４のうちの最も基体側の層３３は、金属又は半導体の酸化物からなる。 - 特許庁