「metal-oxide-semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor light emitting element having a metal oxide film 9 as a current dispersion layer, an electrode 10 is plated on the metal oxide film 9.例文帳に追加

電流分散層として金属酸化膜９を有する半導体発光素子において、前記金属酸化膜９に電極１０がメッキされている。 - 特許庁

This agent has the components of a semiconductor metal oxide, an alkaline earth metal oxide, and a polar resin such as a polyester resin, a phenol resin, and the like.例文帳に追加

半導体金属酸化物、アルカリ土類金属の酸化物及びポリエステル樹脂、フェノール樹脂等の極性樹脂を成分とする。 - 特許庁

The metal oxide film 60 is formed by forming the metal film 70 on the oxide semiconductor film 40.例文帳に追加

金属酸化物膜６０は、酸化物半導体膜４０上に、金属膜７０を成膜することによって形成される。 - 特許庁

To provide a transistor including an oxide semiconductor film in which metal oxide films made of the same component as an oxide semiconductor film which serves as a channel protective film are laminated on an upper surface of the oxide semiconductor film.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部に、チャネル保護膜として機能する、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜が積層されているトランジスタを提供する。 - 特許庁

In this substrate type semiconductor gas detection element 1 having a gas-sensitive part 2 manufactured by calcining metal oxide semiconductor paste mainly composed of zinc oxide particles, the metal oxide semiconductor paste contains 2-10 wt.% of tin oxide particles to the zinc oxide particles.例文帳に追加

酸化亜鉛粒子を主成分とする金属酸化物半導体ペーストを焼成して作製したガス感応部２を有する基板型半導体式ガス検知素子１であって、前記金属酸化物半導体ペーストが、前記酸化亜鉛粒子に対して酸化スズ粒子を２〜１０重量％含む。 - 特許庁

A second metal oxide layer 17, containing an oxide having a comparatively high permittivity such as titanium oxide, zirconium oxide, and ruthenium oxide, is formed on the metal oxide layer 15 on the opposite side to the semiconductor substrate 10, and a metal nitride layer 19 such as titanium nitride is formed on a metal oxide layer on the opposite side to the first metal oxide layer 15.例文帳に追加

酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ルテニウムのような比較的高い誘電率を有する酸化物を含む第二の金属酸化物層は、半導体基板の反対側にある第一の金属酸化物層の上に形成され、窒化チタンのような金属窒化物層は、第一の金属酸化物層の反対側にある金属酸化物層上に形成される。 - 特許庁

This semiconductor electrode is characterized in having a metal oxide semiconductor layer having p-type conductivity and containing an iron- group oxide.例文帳に追加

ｐ型伝導性であり、鉄族酸化物を含む金属酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体電極である。 - 特許庁

The buffer layer 106 includes a metal oxide layer 105 which is an insulator or a semiconductor over a middle portion of the oxide semiconductor layer 103.例文帳に追加

バッファ層１０６は、酸化物半導体層１０３の中央部上に、絶縁体若しくは半導体である金属酸化物層１０５を有する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR USING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM MANUFACTURED BY USING THE SAME例文帳に追加

金属酸化物半導体の製造方法及びこれを用い作製された酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ - 特許庁

To provide a high-quality metal oxide thin film by protecting the surface of a semiconductor substrate by an oxide film, and forming a film by reduction of oxygen of the oxide film at the time of forming the metal oxide thin film.例文帳に追加

半導体基板の表面を酸化膜で保護しつつ、金属酸化物薄膜形成時に酸化膜の酸素を還元して成膜を行うことで、高品質な金属酸化物薄膜を得る。 - 特許庁

The method also comprises the step of reacting the metal or the semiconductor of the layer 104 with an oxygen in a ground state to manufacture an oxide layer 105 of a first stage made of the oxide of the metal or the oxide of the semiconductor.例文帳に追加

その層１０４の金属または半導体を基底状態にある酸素と反応させることで、金属の酸化物または半導体の酸化物からなる第１段階の酸化物層１０５を作製する。 - 特許庁

The oxide catalyst 1 is an oxide catalyst obtained by utilizing thermal excitation of an oxide semiconductor, wherein an oxide semiconductor-coated film 3 made by oxidizing metal or low-order oxide is formed on the surface 2a of a support 2 made of any of metal, ceramic and carbon.例文帳に追加

本発明の酸化物触媒１は、酸化物半導体の熱励起を利用した酸化物触媒であり、金属、セラミックス、炭素のいずれかからなる支持体２の表面２ａに、金属または低次酸化物を酸化処理してなる酸化物半導体被膜３を形成した。 - 特許庁

The semiconductor element is provided with a gate oxide film 23 formed on a semiconductor substrate 21, a conductive film 25 formed at the upper part of the gate oxide film and a metal oxide film 27 formed at the boundary of the gate oxide film and the conductive film for the gate.例文帳に追加

半導体基板２１上に形成されたゲート酸化膜２３と、前記ゲート酸化膜上部に形成された導電膜２５と、前記ゲート酸化膜とゲート用導電膜の界面で形成された金属酸化膜２７とを備える。 - 特許庁

Specially, the complex electrode structure comprises a layer including an alkali metal or an alkali earth metal compound, a metal oxide layer, or a semiconductor layer.例文帳に追加

特に、複合電極構造は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属化合物を含む層、金属酸化層、或いは、半導体層、からなる。 - 特許庁

The metal ions controlling the valence electron or forming the solid solution possess valence larger than or equal to that of the metal ions composing the metal oxide when an inorganic oxide for a carrier is an n-type semiconductor, and the metal ions controlling the valence electron or forming the solid solution possess valence smaller than or equal to that of the metal ions composing the metal oxide when the metal oxide is a p-type semiconductor.例文帳に追加

価電子制御あるいは固溶体形成を行う金属イオンは、担体無機酸化物がｎ型半導体である場合、金属酸化物を構成する金属イオンよりも大きな価数もしくは同等の価数を有し、前記金属酸化物がｐ型半導体である場合、金属酸化物を構成する金属イオンよりも小さな価数もしくは同等の価数を有するものが選択される。 - 特許庁

The semiconductor fine particle layer includes a metal oxide semiconductor fine particles and an insulating layer which covers at least a part of a surface of the metal oxide semiconductor fine particles, and the insulating layer includes a metal oxide having an amorphous phase at least in a part thereof.例文帳に追加

半導体微粒子層は、金属酸化物半導体微粒子と、金属酸化物半導体微粒子の表面の少なくとも一部を被覆する絶縁層とを備え、絶縁層は、少なくとも一部にアモルファス相を有する金属酸化物を含む。 - 特許庁

The exhaust gas cleaning system 1 has a noble metal catalyst carrier 2 in which a noble metal catalyst layer containing a noble metal catalyst is supported on a first base material and an oxide semiconductor carrier 3 in which an oxide semiconductor layer containing an oxide semiconductor is supported on a second base material.例文帳に追加

排ガス浄化システム１は、貴金属触媒を含有する貴金属触媒層を第１基材に担持してなる貴金属触媒担持体２と、酸化物半導体を含有する酸化物半導体層を第２基材に担持してなる酸化物半導体担持体３とを有する。 - 特許庁

Adhesion improving layers 106 for improving adhesive properties between an oxide semiconductor layer and a precious-metal electrode are dispersed and arranged between the oxide semiconductor layer and the precious-metal electrode, and have sections in which the oxide semiconductor layer and the precious-metal electrode are brought into contact.例文帳に追加

酸化物半導体層と貴金属電極との間に、それらの間の密着性を向上させるための密着性向上層１０６が分散して配置され、前記酸化物半導体層と貴金属電極が接触する部分を有する。 - 特許庁

To simultaneously achieve improvement of electroconductivity of a metal oxide semiconductor layer, low temperature realization of forming the metal oxide semiconductor, high purification realization of the metal oxide semiconductor layer, realization to shorten the manufacturing process and reduction of the manufacturing cost while these have become problems in manufacturing a dye sensitized solar battery.例文帳に追加

色素増感太陽電池を製造する上で問題となっていた金属酸化物半導体の電気伝導性向上，金属酸化物半導体形成法の低温化，金属酸化物半導体層の高純度化，製造工程の短縮化，および製造コストの縮小化を同時に達成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a photoelectric conversion apparatus includes: a first step for applying metal oxide semiconductor particles to a surface of a transparent electrode 3 through electrostatic screen coating to form a porous metal oxide semiconductor layer; and a second step for supporting photosensitized dyes on the porous metal oxide semiconductor layer.例文帳に追加

光電変換装置の製造方法は、金属酸化物半導体粒子を透明電極３の面に静電スクリーン塗布法によって塗布し、多孔質金属酸化物半導体層を形成する第１工程と、多孔質金属酸化物半導体層に光増感色素を担持させる第２工程とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a metal oxide layer 101, a channel region 105 in the metal oxide layer, a holding layer 104 formed in the channel region of the metal oxide layer, and two or more channel contacts 102 and 103 connected with the channel region of the metal oxide layer.例文帳に追加

半導体デバイス１００は、金属酸化物層１０１、金属酸化物層におけるチャネル領域１０５、金属酸化物層におけるチャネル領域に形成された保持層１０４、および金属酸化物層におけるチャネル領域に接続された二つ以上のチャネル接点１０２、１０３を含む。 - 特許庁

In this thin film transistor, since the first metal layer 161 contacting the oxide semiconductor film 14 is hardly oxidized, oxygen is hardly taken from the oxide semiconductor film 14 into the first metal layer 161, compared to a case of using an easily oxidizable metal.例文帳に追加

酸化物半導体膜１４に接する第１金属層１６１が酸化されにくいため、酸化され易い金属を用いた場合に比べ、酸化物半導体膜１４から酸素が第１金属層１６１の側に取り込まれにくい。 - 特許庁

In the thin-film transistor, since the first metal layer 161 contacting with the oxide semiconductor film 14 is hardly oxidized, oxygen is hardly taken from the oxide semiconductor film 14 into the first metal layer 161 as compared to the case of using an easily oxidizable metal.例文帳に追加

酸化物半導体膜１４に接する第１金属層１６１が酸化されにくいため、酸化され易い金属を用いた場合に比べ、酸化物半導体膜１４から酸素が第１金属層１６１の側に取り込まれにくい。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF TREATED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PARTICLE DISPERSION BODY, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELECTRODE USING TREATED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PARTICLE DISPERSION BODY MUNUFACTURED BY THIS METHOD, AND PHOTOELECTRIC TRANSFER CELL例文帳に追加

処理金属酸化物半導体粒子分散体の製造方法、該方法で製造される処理金属酸化物半導体粒子分散体を用いた半導体電極の製造方法、および光電変換セル - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a complementary LDMOS (Laterally diffused Metal Oxide Semiconductor) transistor and a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor mounted together thereon, while suppressing variations of characteristics for every transistor.例文帳に追加

相補型ＬＤＭＯＳトランジスタとＣＭＯＳトランジスタとを混載した半導体装置を、トランジスタ毎の特性のばらつきを抑制して製造する。 - 特許庁

METAL COMPLEX USEFUL AS SENSITIZER, OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE AND SOLAR CELL例文帳に追加

増感剤として有用な金属錯体、酸化物半導体電極及び太陽電池 - 特許庁

ORGANIC PIGMENT SENSITIZING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE AND ORGANIC PIGMENT SENSITIZING SOLAR BATTERY例文帳に追加

有機色素増感型金属酸化物半導体電極及び有機色素増感型太陽電池 - 特許庁

METAL OXIDE MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR SENSOR, AND CARBON MONOXIDE SENSOR USING THE MATERIAL例文帳に追加

半導体センサのための酸化金属材料およびその材料を用いた一酸化炭素センサ - 特許庁

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH DIFFUSION REGION AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

トレンチ拡散領域を有する金属酸化物半導体デバイスおよびその形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE PHOTOCATALYST AND DECOMPOSITION METHOD FOR HAZARDOUS CHEMICAL SUBSTANCE USING THE SAME例文帳に追加

半導体金属酸化物光触媒およびそれを用いた有害化学物質の分解方法 - 特許庁

PAINT FOR FORMING POROUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM FOR PHOTOELECTRIC CELL, AND PHOTOELECTRIC CELL例文帳に追加

光電気セル用多孔質金属酸化物半導体膜形成用塗料および光電気セル - 特許庁

METAL COMPLEX, DYE-SENSITIZED OXIDE SEMICONDUCTOR ELECTRODE, AND DYE-SENSITIZED SOLAR BATTERY例文帳に追加

金属錯体、色素増感酸化物半導体電極及び色素増感太陽能電池 - 特許庁

According to one embodiment, the FET is a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

一実施形態では、このＦＥＴは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。 - 特許庁

METAL ELECTRODE FOR LIGHT EMITTING DIODE USING N-TYPE ZINC OXIDE-BASED SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｎ型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極及びその製造方法 - 特許庁

The metal-oxide semiconductor material is manufactured, by calcinating the sediment of the dispersion solution.例文帳に追加

分散液の沈殿物を焼成して金属酸化物半導体材料を製造する。 - 特許庁

To provide a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and its manufacturing method.例文帳に追加

相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

PHOTOELECTRIC CELL, AND COATING FOR FORMING POROUS METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

光電気セルおよび該光電気セル用多孔質金属酸化物半導体膜形成用塗料 - 特許庁

This integrated circuit is provided with a semiconductor substrate 10 and a first metal oxide layer 15 adjacent to the substrate 10.例文帳に追加

集積回路は、半導体基板と、前記基板に隣接した第一の金属酸化物層とを含む。 - 特許庁

PRODUCTION OF COMPLEMENTARY TYPE METAL-OXIDE- SEMICONDUCTOR (CMOS) PHOTOSENSITIVE DEVICE例文帳に追加

相補形金属−酸化物—半導体（ＣＭＯＳ）感光性デバイスの製造方法 - 特許庁

SILICON-ON-NOTHING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

シリコンオンナッシング金属酸化物半導体電界效果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING METAL OXIDE INTERFACE WITH SILICON例文帳に追加

シリコンとの金属酸化物インタフェースを備える半導体構造の作成方法 - 特許庁

To provide a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and its manufacturing method.例文帳に追加

相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITIVE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AMORPHOUS METAL OXIDE FILM例文帳に追加

アモルファス金属酸化膜を有する容量素子および半導体装置の各製造方法 - 特許庁

The metal oxide layer 102 is formed on the semiconductor substrate 101 in contact therewith.例文帳に追加

金属酸化物層１０２は、半導体基板１０１の上に接して形成されている。 - 特許庁