「metal-oxide-semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING METAL-OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT FABRICATED USING THE SAME例文帳に追加

金属酸化物の成膜方法およびその成膜方法により作製される半導体発光素子 - 特許庁

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

金属酸化物半導体薄膜の製造方法および金属酸化物半導体薄膜 - 特許庁

METAL OXIDE FINE PARTICLE, ABRASIVE MATERIAL, METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

金属酸化物微粒子、研磨材、これを用いる基板の研磨方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

To provide a process for producing a complementary type metal-oxide- semiconductor (CMOS) photosensitive device.例文帳に追加

相補形金属—酸化物—半導体（ＣＭＯＳ）感光性デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the dye absorbing light can easily implant an electron into a metal oxide semiconductor layer 12.例文帳に追加

これにより、光を吸収した色素が電子を金属酸化物半導体層１２に注入しやすくなる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH TYPE METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

トレンチ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタを作製する方法 - 特許庁

To provide a metal-oxide-semiconductor (MOS) device having a reinforced shielding structure.例文帳に追加

強化された遮蔽構造を備えた金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）デバイスを提供すること。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法、金属酸化物半導体薄膜及び薄膜トランジスタ - 特許庁

To provide an image sensor of a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS), and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサ及びその製造方法が開示される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING METAL OXIDE FILM PATTERN AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

金属酸化膜パターン形成方法及びこれを利用した半導体素子の形成方法 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor device with high performance and with small variations.例文帳に追加

高性能かつばらつきの小さい金属酸化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor ceramics and the metal oxide compounds are stacked up in layers into a laminated structure.例文帳に追加

また、半導体セラミックと金属酸化化合物とを複数積み重ねた積層構造とする。 - 特許庁

A coating liquid containing metal oxide semiconductor particulates 2 and a first and a second compounds is prepared.例文帳に追加

金属酸化物半導体微粒子２と第１および第２の化合物とを含有する塗液を調製する。 - 特許庁

The selection device may be implemented in silicon-on-insulator (SOI) complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology.例文帳に追加

選択デバイスは、シリコン−オン−絶縁物（SOI）相補型金属酸化物半導体（CMOS）技術で実装される。 - 特許庁

To provide a cellular trench metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

多孔質のトレンチ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を提供する。 - 特許庁

Each of the programmable interconnects, the pass devices, the look-up table circuits, and/or the multi-input logic circuits has at least one or more dynamic threshold metal oxide semiconductor (DTMOS) transistors, full-depleted metal oxide semiconductor (FDMOS) transistors, partially depleted metal oxide semiconductor (PDMOS) transistors and/or double-gate metal oxide semiconductor transistor.例文帳に追加

プログラマブルな相互接続部、パスデバイス、ルックアップテーブル回路、及び／又は多入力論理回路の各々は、ダイナミックしきい値金属酸化物半導体（ＤＴＭＯＳ）トランジスター、完全空乏化金属酸化物半導体（ＦＤＭＯＳ）トランジスター、部分空乏化金属酸化物半導体（ＰＤＭＯＳ）トランジスター、及び／又は２段ゲート金属酸化物半導体トランジスターの１つ以上を有する。 - 特許庁

THIN SILICON-ON-INSULATOR DOUBLE-DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜シリコン・オン・インシュレータ二重拡散金属酸化物半導体トランジスタ - 特許庁

Also, an NMOS (n-channel metal oxide semiconductor) 14 is made an on-state by the level of the storage node N1.例文帳に追加

また、ＮＭＯＳ１４は、記憶ノードＮ１のレベルによってオン状態となっている。 - 特許庁

To provide a metal oxide film having good characteristics and to improve the characteristics of a semiconductor device.例文帳に追加

特性の良好な金属酸化膜を提供し、半導体装置の特性を向上させる。 - 特許庁

The silicon microphone is allowed to function as a complementary-metal oxide semiconductor (CMOS) and light is detected electronically.例文帳に追加

また、金属酸化膜半導体素子(CMOS)として機能させ、光を電子的に検知する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 has a semiconductor substrate 12 on which a p-type channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 20 is formed.例文帳に追加

ｐ型チャネルＭＯＳＦＥＴ２０が形成されている半導体基板１２を有する半導体装置１０。 - 特許庁

Further, by providing the metal oxide film, a parasitic channel occurring on a back channel side of the oxide semiconductor film in the transistor is prevented.例文帳に追加

また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 - 特許庁

The elasticity can be attained by providing carbon inclusion in a layer made of a metal oxide or of a semiconductor oxide.例文帳に追加

この弾性は、金属または半導体の酸化物からなる層中にカーボン混在物を設けることにより達成される。 - 特許庁

The metal oxide layer 105 functions as a protective layer for suppressing incorporation of impurities into the oxide semiconductor layer 103.例文帳に追加

金属酸化物層１０５は、酸化物半導体層１０３への不純物の侵入を抑制する保護層として機能する。 - 特許庁

Presented here is a semiconductor diode with a structure having laminated a metal oxide layer, a silicon oxide layer, and a conductive polymer layer in sequence.例文帳に追加

金属酸化物層、シリコン酸化物層及び導電性ポリマー層を順次積層した構造を有する半導体ダイオード。 - 特許庁

To reproducibly form a high-quality, homogeneous metal oxide layer as a transparent conductive oxide film on a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層上に透明導電酸化膜としての金属酸化物層を高品質で均一性、再現性良く形成する方法を提供する。 - 特許庁

Further, by providing the metal oxide film, a parasitic channel is prevented from being generated on the back channel side of the oxide semiconductor film in the transistor is prevented.例文帳に追加

また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 - 特許庁

The oxide catalyst 1 uses thermal excitation of an oxide semiconductor, in which an oxide semiconductor film 3 is formed by fixing by electrophoresis a metal oxide on a surface 2a of a support 2 that consists of either a metal, ceramics, or carbon.例文帳に追加

本発明の酸化物触媒１は、酸化物半導体の熱励起を利用した酸化物触媒であり、金属、セラミックス、炭素のいずれかからなる支持体２の表面２ａに、金属酸化物を電気泳動法により固着してなる酸化物半導体被膜３を形成した。 - 特許庁

In a transistor including an oxide semiconductor film, a metal oxide film having an antistatic function that contacts with the oxide semiconductor film and covers a source electrode and a drain electrode is formed, an halogen element is introduced (added) through the metal oxide film, and heat treatment is performed.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極およびドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、該金属酸化膜を通過してハロゲン元素を導入（添加）し、加熱処理を行う。 - 特許庁

The source electrode layer or the drain electrode layer is formed in a layered structure of two layers or more, and one layer abutting on the oxide semiconductor layer from among the layer stack is made of an oxide of metal having a work function smaller than that of the oxide semiconductor layer or an oxide of a metal alloy thereof.例文帳に追加

ソース電極層又はドレイン電極層を２層以上の積層構造とし、その積層のうち、酸化物半導体層と接する一層を酸化物半導体層の仕事関数より小さい仕事関数を有する金属の酸化物又はその金属合金の酸化物とする。 - 特許庁

The method also comprises the step of reacting the oxide of the metal or the oxide of the semiconductor of the oxide layer with the oxygen of an excited state to manufacture an oxide layer (insulating layer) 106 of a second stage, and a second ferromagnetic layer (free layer) 107 on the insulating layer.例文帳に追加

その酸化物層の金属の酸化物または半導体の酸化物を励起状態にある酸素と反応させることで、第２段階の酸化物層（絶縁層）１０６を作製する。 - 特許庁

This transfer body for manufacturing a metal oxide electrode is a transfer body for manufacturing a semiconductor electrode layered sequentially with the first metal oxide layer 2, the second metal oxide layer 3 and a transparent electrode layer 4, on one face of a heat-resistant base material 1, and the first metal oxide layer comprises a metal oxide fine particle of an insulator.例文帳に追加

耐熱基材(1)の一方の面に、第一金属酸化物層(2)と第二金属酸化物層(3)と、透明電極層(4)とを順次積層してなる半導体電極製造用転写体であって、前記第一金属酸化物層が絶縁体の金属酸化物微粒子からなることを特徴とする金属酸化物電極製造用転写体。 - 特許庁

Moreover, it is preferable that the metal oxide semiconductor is titanium oxide or zinc oxide and that the optical gap of the optical semiconductor layer is 2.8 eV or higher.例文帳に追加

更に、前記金属酸化物半導体が、酸化チタン又は酸化亜鉛である態様、前記光半導体層の光学ギャップが２．８ｅＶ以上である態様が好ましい。 - 特許庁

In a transistor including an oxide semiconductor film, a metal oxide film having an antistatic function, which contacts the oxide semiconductor film and covers a source electrode and a drain electrode is formed, and a heat treatment is performed.例文帳に追加

酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film transistor, using a new oxide semiconductor easily and efficiently enabling conversion to the oxide semiconductor from a metal oxide precursor by the application of a heat pattern for an active layer.例文帳に追加

熱パターンの適用により、金属酸化物前駆体からの酸化物半導体への転換を、容易にかつ効率よく行うことのできる新しい酸化物半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

The semiconductor composite device having the semiconductor thin films 304-308 joined on the metal layer 102 is in a structure with a region which includes an oxide of the metal layer between the semiconductor thin films and the metal layer 102.例文帳に追加

この金属層１０２の上に半導体薄膜３０４−３０８を接合してなる半導体複合装置であり、半導体薄膜と金属層１０２との間に金属層の酸化物を含む領域を有する構造とする。 - 特許庁

To provide a laminated body for an oxide semiconductor electrode and an oxide semiconductor electrode with superior semiconductor characteristics capable of forming an electrode layer made of metal oxide by using a spray thermal decomposition method on a porous layer including metal oxide semiconductor fine particles without damaging semiconductor characteristics of the porous layer.例文帳に追加

本発明は、金属酸化物半導体微粒子を含有する多孔質層上に、当該多孔質層の半導体特性を損なうことなく、スプレー熱分解法によって金属酸化物からなる電極層を形成することが可能であり、半導体特性に優れた酸化物半導体電極用積層体および酸化物半導体電極を提供することを主目的とする。 - 特許庁

The dummy metal oxide field effect transistor may be formed simultaneously with a metal oxide semiconductor field effect transistor located over a semiconductor substrate that includes the isolation region.例文帳に追加

ダミー金属酸化物電界効果トランジスタは、分離領域を含む半導体基板の上に配置された金属酸化物半導体電界効果トランジスタと同時に形成することができる。 - 特許庁

To inexpensively manufacture a metal oxide semiconductor and control characteristics of the metal oxide semiconductor in a wide range without using a complicated and expensive apparatus such as a sputtering system or an ion implanter.例文帳に追加

スパッタリング装置やイオン注入装置などの複雑かつ高価な装置を用いることなく、金属酸化物半導体を廉価に製造するとともに、金属酸化物半導体の特性を広範囲に制御する。 - 特許庁

The metal oxide semiconductor particle dispersion composition contains metal oxide semiconductor particles and a dispersion medium.例文帳に追加

更に、本発明は、該金属酸化物半導体粒子分散組成物を用いた金属酸化物半導体薄膜、透明導電膜及び薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a layered structure of a metal-oxide dielectric film/electrode whereby reduction in the metal-oxide dielectric film can be prevented in semiconductor processes.例文帳に追加

半導体プロセス中での金属酸化物誘電体膜の還元を防止できる、金属酸化物誘電体膜／電極の積層構造を含む半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide an organic dye sensitized metal oxide semiconductor electrode having metal oxide semiconductor film which can be easily obtained at low temperature, and to provide a solar cell having the above film.例文帳に追加

低温で簡易に得られる金属酸化物導電体膜を有する有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びこれを有する太陽電池を提供すること。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF TREATED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PARTICLE, MANUFACTURING METHOD OF PHOTOELECTRIC CONVERSION ELECTRODE USING THE TREATED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR PARTICLE MANUFACTURED BY THE METHOD, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION CELL例文帳に追加

処理金属酸化物半導体粒子の製造方法、該方法で製造される処理金属酸化物半導体粒子を用いた光電変換電極の製造方法および光電変換セル - 特許庁

To provide a forming method of a metal oxide semiconductor film capable of obtaining with ease and at low cost a metal oxide semiconductor film with a dye absorption property improved.例文帳に追加

色素吸着性の向上した金属酸化物半導体膜を簡易かつ低コストにて得ることができる金属酸化物半導体膜の形成方法を提供する。 - 特許庁