「ohmic-contact」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

OHMIC CONTACT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のオーミックコンタクト構造 - 特許庁

A first ohmic electrode is formed on the contact layer.例文帳に追加

コンタクト層上に第１オーミック電極を形成する。 - 特許庁

To reduce a contact resistance of an ohmic electrode.例文帳に追加

オーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide an electrode contact structure capable of realizing ohmic contact.例文帳に追加

オーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。 - 特許庁

A source electrode 5 is brought into ohmic connection to the source contact layer 4a while a drain electrode 6 is brought into ohmic connection to the drain contact layer 4b.例文帳に追加

ソ−スコンタクト層４ａにソ−ス電極５をオ−ミック接続し、ドレインコンタクト層４ｂにドレイン電極６をオ−ミック接続する。 - 特許庁

A passivation capping layer 42 overlies the ohmic contact and has an oxidation rate which is less than the oxidation rate of the ohmic contact.例文帳に追加

パッシベーションキャップ層４２は、オーミック接触の上に重なり、オーミック接触の酸化速度よりも小さい酸化速度を有する。 - 特許庁

The non-alloy ohmic contact layer is interposed between the metal layer and the luminous structure, thus achieving required ohmic contact.例文帳に追加

非合金オームコンタクト層は金属層と発光構造の間に介装され、これにより必要なオームコンタクトを達成する。 - 特許庁

A second ohmic contact layer, which is brought into ohmic contact with the surface layer of the luminescence laminate structure, is formed on the front surface of the luminescence laminate structure.例文帳に追加

発光積層構造の表面上に、発光積層構造の表面層とオーミック接触する第２のオーミックコンタクト層を形成する。 - 特許庁

An ohmic contact with AlGaN is difficult, however, ohmic contact can readily obtained, by interposing the P-type GaN layer 18.例文帳に追加

ＡｌＧａＮとのオーミック接触は困難であるが、Ｐ型ＧａＮ層１８を介在させることでオーミック接触を容易に得ることができる。 - 特許庁

To provide an improved ohmic contact structure and a formation method of an ohmic contact structure on a p-type nitride material.例文帳に追加

改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To form a low-resistance ohmic contact layer of a thin-film transistor so that the ohmic contact layer will not vary due to zinc oxide film.例文帳に追加

薄膜トランジスタの低抵抗のオーミックコンタクト層を酸化亜鉛膜によってバラツキが生じないように形成する。 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING OHMIC CONTACT LAYER FOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF PRODUCING LIGHT EMITTING ELEMENT WITH THE OHMIC CONTACT LAYER例文帳に追加

発光素子用のオーミックコンタクト層の製造方法及びこれを備えた発光素子の製造方法 - 特許庁

Then ohmic electrodes 1 and 3 are formed on the contact layer.例文帳に追加

このコンタクト層上にオーミック電極１、３が形成されている。 - 特許庁

To form an electrode having a low resistance ohmic contact layer.例文帳に追加

低抵抗のオーム接触層を有する電極を形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING OHMIC CONTACT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

オームコンタクトを具えた半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

A first bonding layer is formed on the first ohmic contact layer.例文帳に追加

第１のオーミックコンタクト層の上に第１の接合層を形成する。 - 特許庁

On the n^+-type GaN layer 4, a source electrode 15 forms an ohmic contact.例文帳に追加

ｎ^+型ＧａＮ層４には、ソース電極１５がオーミック接触している。 - 特許庁

A second bonding layer is formed on the second ohmic contact layer.例文帳に追加

第２のオーミックコンタクト層の上に第２の接合層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor element is provided with an n-type gallium nitride compound semiconductor and an electrode forming an ohmic contact with such semiconductor.例文帳に追加

極を有する、半導体素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this state, a film for forming an ohmic contact layer has a high resistance.例文帳に追加

この状態では、オーミックコンタクト層形成用膜は高抵抗である。 - 特許庁

METHOD OF FORMING OHMIC CONTACT IN III-NITRIDE LIGHT- EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−窒化物発光デバイスにオーミックコンタクトを形成する方法 - 特許庁

The forming material of the support substrate is heat treated at the temperature lower than the eutectic point of the forming material of the first ohmic contact layer, and the ohmic contact of the support substrate and the first ohmic contact layer is performed.例文帳に追加

支持基板の形成材料と、第１のオーミックコンタクト層の形成材料と共晶点よりも低い温度で熱処理を行い、支持基板と第１のオーミックコンタクト層とをオーミック接触させる。 - 特許庁

To reduce contact resistance of an ohmic electrode which is ohmic-bonded to an SiC semiconductor substrate using silicon carbide as a material.例文帳に追加

炭化ケイ素を材料とするＳｉＣ半導体基板にオーミック接合するオーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。 - 特許庁

Patterned ohmic contact metal regions are formed on the barrier layer and annealed to provide first and second ohmic contacts.例文帳に追加

パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。 - 特許庁

To provide a method for forming an ohmic electrode that makes a good ohmic contact on diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド上に良好なオーミックコンタクトを有する電極を形成することができるオーミック電極形成方法の提供。 - 特許庁

A p-electrode 5 is made in close contact on the p-GaN layer 4, making ohmic contact.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層４上にｐ電極５が密着して形成されオーミック接触している。 - 特許庁

To reduce the contact resistance of an ohmic contact provided on a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体層に設けるオーミックコンタクトのコンタクト抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

To reduce contact resistance value, thereby achieving ohmic contact with a base film.例文帳に追加

接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。 - 特許庁

The diode comprises a Group III nitride heterojunction diode with a p-type Group III nitride contact layer 14, and ohmic contact 16 to the p-type contact layer, and a passivation layer 17 on the ohmic contact.例文帳に追加

ｐ型第ＩＩＩ族窒化物接触層１４を有する第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合ダイオード、前記ｐ型接触層に対するオーミック接触１６、及び前記オーミック接触上のパシベーション層１７を含む。 - 特許庁

To provide III-nitride based light emitting diode device having high reflectance ohmic contact.例文帳に追加

高反射率オーミックコンタクトを有するＩＩＩ−窒化物系発光ダイオードデバイスを提供する。 - 特許庁

A P+ ohmic contact region is formed by sublimating metallic salt on a CdTe layer.例文帳に追加

金属塩をＣｄＴｅ層上へ昇華することによってｐ＋オーム接点領域を形成する。 - 特許庁

Further, a drain electrode 18 is in ohmic contact with the other surface of the substrate 1.例文帳に追加

また、基板１の他方表面には、ドレイン電極１８がオーミック接触している。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting element having good ohmic contact.例文帳に追加

良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

On the other side surface of the n^+-type GaN substrate 1, a drain electrode 18 forms an ohmic contact.例文帳に追加

また、ｎ^+型ＧａＮ基板１の他方表面には、ドレイン電極１８がオーミック接触している。 - 特許庁

On the contact semiconductor layer 6, an ohmic connection layer 11 of source or drain is formed.例文帳に追加

コンタクト半導体層６上に、ソースまたはドレインのオーミック接続層１１が形成されている。 - 特許庁

The chemical compound semiconductor device is constituted using the electrode having a good ohmic contact property.例文帳に追加

このオーミック接触性に優れる電極を利用して化合物半導体素子を構成する。 - 特許庁

To take an ohmic contact between a semiconductor layer and electrode material in a GaN semiconductor device.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置において、半導体層と電極材料とのオーミックコンタクトをとる。 - 特許庁

PASSIVATION CAPPING LAYER FOR OHMIC CONTACT IN II-VI SEMICONDUCTOR LIGHT TRANSDUCING DEVICE例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族半導体光変換素子内のオーミック接触のパッシベーションキャップ層 - 特許庁

A GaInN FLIP CHIP LIGHT EMITTING DEVICE HAVING HIGH REFLECTANCE OHMIC CONTACT例文帳に追加

高反射率オーミックコンタクトを有するＡｌＧａＩｎＮフリップ・チップ発光デバイス - 特許庁

An electrode coming into ohmic contact with the second nitride semiconductor layer under deposition state is also provided.例文帳に追加

成膜状態の第２の窒化物半導体層にオーミック接触する電極とを備えている。 - 特許庁

The ohmic electrode 6 is formed in contact with an N atomic plane 9 of the GaN substrate 2.例文帳に追加

オーミック電極６はＧａＮ基板２のＮ原子面９に接触して形成される。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING OHMIC CONTACT USING SELF DOPING LAYER FOR THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタのために自己ドーピング層を使用してオーム接触部を形成する方法 - 特許庁

The back electrode makes an ohmic contact with the first surface of the silicon substrate.例文帳に追加

前記背面電極は、前記シリコン基板の該第一表面とオーミック接触する。 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING IMPROVED OHMIC CONTACT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

オーミック接触を改善した窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method of forming an ohmic electrode of an n-type group III nitride semiconductor with low contact resistance.例文帳に追加

低コンタクト抵抗なｎ型III 族窒化物半導体のオーミック電極の形成方法。 - 特許庁