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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > potential dependenceに関連した英語例文

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potential dependenceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 21



例文

PARAMETR DEPENDENCE MEASUREMENT METHOD OF LOCAL POTENTIAL BARRIER HEIGHT例文帳に追加

局所ポテンシャル障壁高さのパラメータ依存性測定方法 - 特許庁

To reduce the potential variation dependence of power source voltage of negative boosting voltage.例文帳に追加

負の昇圧電圧の電源電圧の電位変動依存性を低減する。 - 特許庁

To generate a reference potential whose temperature dependence and absolute value can be independently controlled.例文帳に追加

温度依存性と絶対値を独立に制御できる参照電位を生成する。 - 特許庁

A temperature-dependent potential-generating section 14 outputs forward direction potential V_F of a diode D1 that varies in the dependence of temperature from the node N8.例文帳に追加

温度依存電位発生部14は、ノードN8から、温度に依存して変化するダイオードD1の順方向電位V_Fを出力する。 - 特許庁

例文

To provide a non-volatile semiconductor memory device, including a reference potential generating circuit having dependence on temperature and dependence on power supply voltage.例文帳に追加

温度に対する依存性と、電源電圧に対する依存性を有する参照電位発生回路を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁


例文

Furthermore, comparison of the surface potential with a reference value after a fixed time, measurement of a residual film amount based on the time dependence of the surface potential, and estimation of an overetch are carried out.例文帳に追加

さらに、一定時間後の表面電位の基準値との比較や、表面電位の時間依存性により残膜量の測定、オーバエッチ量の推定を行う。 - 特許庁

The layout verification apparatus includes: a voltage potential recognition processing section that recognizes the voltage potential of a conductive layer based on graphic data of a layout; and a reference verification section of voltage potential dependence design that verifies the layout of the semiconductor apparatus based on the recognized potential of the conductive layer.例文帳に追加

本発明の一態様は、レイアウトの図形データに基づいて、導電層の電位を認識する電位認識処理部と、認識された前記導電層の電位に基づいて、前記半導体装置のレイアウトを検証する電位依存設計基準検証部とを備えたレイアウト検証装置である。 - 特許庁

To provide an electric potential measuring apparatus that has a relatively high-speed responsiveness, can improve the accuracy and spatial resolution, and can measure the surface potential of a measuring object without dependence on the distance.例文帳に追加

比較的高速な応答性を有し、精度、空間分解能を向上させられる測定対象の表面電位を距離依存性なしに測定可能な電位測定装置を提供することである。 - 特許庁

To allow potential ability of a network to be sufficiently exerted to minimize human-induced dependence on the network.例文帳に追加

ネットワークの潜在能力を十分に発揮させ、ネットワーク上の人為的な依存度を必要最小限に抑えるようにすることを課題とする。 - 特許庁

例文

To provide a delay circuit for adjusting a power-source voltage dependence on display time by providing a difference in electric potential between a source and a substrate (back gate).例文帳に追加

ソースと基板(バックゲート)間に電位差を設けることにより、ディレイ時間の電源電圧依存性を調整することができるディレイ回路を提供する。 - 特許庁

例文

The intermediate layer 2 has low moisture absorption, which decreases the environmental dependence of the photosensitive characteristics of the photoreceptor and suppresses increase in the residual potential.例文帳に追加

この中間層2は吸湿性が小さく、感光体は感光特性の環境依存性が小さくなるとともに、残留電位の上昇が抑制される。 - 特許庁

The reference voltage Vsn1 does not have external high potential side power supply Vdd voltage dependence from a low temperature area to a high temperature area in a range wherein an external high potential side power supply Vdd voltage is 0.8-4 V, and is a nearly constant voltage.例文帳に追加

参照電圧Vsn1は、外部高電位側電源Vdd電圧が0.8Vから4Vの範囲で、低温から高温領域まで、外部高電位側電源Vdd電圧依存性がなく、略一定な電圧である。 - 特許庁

To provide an electrifying member with little dependence on passage of time and variation in temperature and humidity in regard to electrifying efficiency and with little variation in electrified potential of a body to be electrified.例文帳に追加

帯電効率の経時および温湿度変化に対する依存性が小さく、被帯電体の帯電電位のバラツキの小さい帯電部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a power supply circuit compatible with multiple set potentials wherein the dependence of its voltage boosting capability on set potential can be reduced, and further ripples can be reduced.例文帳に追加

複数の設定電位に対応して、昇圧能力の設定電位依存を低減させるとともに、リップルを低減することが可能な電源回路を提供する。 - 特許庁

To provide a voltage supply device capable of reducing the set potential dependence of a boosting capability and ripples corresponding to a plurality of set potentials.例文帳に追加

複数の設定電位に対応して、昇圧能力の設定電位依存を低減させるとともに、リップルを低減することが可能な電圧供給回路を提供する。 - 特許庁

To provide a system and method for testing electrification, capable of evaluating the temperature dependence of electrification characteristic and capable of performing the measurement of exposure and potential.例文帳に追加

帯電特性の温度依存性を評価することができ、また、露光と電位測定とを同時に行うことができる帯電試験システムおよび帯電試験方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor that exhibits higher sensitivity compared with a photoreceptor using a conventional Y-type titanyl phthalocyanine and that has high potential stability during repeated use and no humidity dependence of the sensitivity.例文帳に追加

従来のY型チタニルフタロシアニンに比べて高感度であり、繰り返し電位安定性が高く、かつ感度の湿度依存性がない電子写真感光体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a considered particle system, the number of particles is N, mass of each the particle is m, and interaction potential is expressed by a product of an interaction coefficient ε and a dimensionless function f representing inter-particle distance dependence.例文帳に追加

粒子数がNであり、各粒子の質量がmであり、相互作用ポテンシャルが、粒子間距離依存性を表す無次元化関数f及び相互作用係数εの積で表される粒子系を考える。 - 特許庁

To obtain both a liquid crystal composition having a low temperature dependence of viscosity without reducing liquid crystal characteristics such as threshold potential, steepness, etc., and a liquid crystal display element having a high speed of response and a high contrast using the liquid crystal composition.例文帳に追加

閾値電圧、急峻性等の液晶諸特性を低下させずに粘度の温度依存性の小さい液晶組成物、またこの液晶組成物を使用した応答速度が速くコントラストの高い液晶表示素子の提供。 - 特許庁

A potential generating circuit generating the driving VDC is constituted of a BGR circuit 11 outputting a VBGR_TEMP having temperature dependence and resistances R3 and R4 connected in series between an output end of the BGR circuit 11 and a grounding point.例文帳に追加

VDCを発生する電位発生回路は、温度依存性を持つVBGR_TEMPを出力するBGR回路11と、このBGR回路11の出力端と接地点との間に直列接続される抵抗R3,R4とから構成される。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor memory device capable of latching the sense amplifier input of a sufficiently large potential difference not near VDD by changing latch timing according to the variation of a ferroelectric substance or temperature/power supply dependence.例文帳に追加

本発明は、ラッチタイミングを強誘電体のバラツキや温度・電源依存性に応じて変化させることで、VDDに近くない十分大きな電位差のセンスアンプ入力をラッチ可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。 - 特許庁




  
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