「quantum structures」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The quantum cascade laser element comprises a quantum cascade structure having a multi quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, and in which a plurality of unit structures consisting of active regions and injection regions are arranged in a lamination direction.例文帳に追加

量子カスケードレーザ素子は、量子井戸層およびバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、活性領域および注入領域からなる複数の単位構造が積層方向に配置された量子カスケード構造部を備える。 - 特許庁

To realize a structure control method for selectively annihilating a low-dimensional quantum structure of specific structure from a mixture of low-dimensional quantum structures of nano scale.例文帳に追加

ナノスケールの低次元量子構造体の混合物から特定の構造の低次元量子構造体を選択的に消滅させる構造制御方法を実現する。 - 特許庁

Quantum well structures, having different widths for controlling the distribution of two-dimensional carriers by electronic holes or electrons, are formed by utilizing the lengths of different photo-isolation confinement structures, and the structures are stuck to form into a multiple structure.例文帳に追加

異なる光分離閉じ込め構造の長さを利用して、電子ホール、もしくは電子によって二次元キャリアの分布を制御する幅の異なる量子井戸構造を形成し、これを積み重ねて多重構造とする。 - 特許庁

In the multilayered quantum dot structure having InGaAs quantum dot laminate structures provided on a GaAs buffer layer, an arbitrary number of InGaAs quantum dot laminate structures 6 are laminated, each of the laminate structures 6 including an InGaAs thin-film layer 3 provided with a plurality of InGaAs quantum dots 4 and a GaAs buffer layer 5 provided on the InGaAs thin-film layer 3 so as to bury the InGaAs quantum dots 4.例文帳に追加

ＧａＡｓバッファ層上にＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体を設けた多積層量子ドット構造体では、前記ＩｎＧａＡｓ量子ドット積層構造体６は、複数のＩｎＧａＡｓ量子ドット４を設けたＩｎＧａＡｓ薄膜層３と、そのＩｎＧａＡｓ量子ドット４を埋め込むようにＩｎＧａＡｓ薄膜層３上に設けたＧａＡｓバッファ層５から構成するＩｎＧａＡｓ量子ドット構造体６を任意数層積層して構成する。 - 特許庁

Furthermore, the width of wavelength is adjusted, by adjusting the composition of materials of the bottom and barrier layers of the different multiple quantum wells or the width of the quantum well or the length of the photo-isolation confinement structures.例文帳に追加

また、該異なる多重量子井戸の底面とバリア層の材料の組成、もしくは量子井戸の幅、もしくは光分離閉じ込め構造の長さを調整して波長の長さを調整する。 - 特許庁

The mixture of the low-dimensional quantum structures of nano scale is irradiated with electromagnetic wave in an oxygen atmosphere to selectively oxidize the low-dimensional quantum structure of state density resonant with the irradiated electromagnetic wave.例文帳に追加

酸素雰囲気下で、ナノスケールの低次元量子構造体の混合物に電磁波を照射し、照射した電磁波と共鳴する状態密度の低次元量子構造体を選択的に酸化させる。 - 特許庁

The quantum dot organic electroluminescent element includes: a substrate 100; a first electrode layer 110 on the substrate 100; a plurality of quantum dot structures 120 including an organic electroluminescent layer on the first electrode layer 110; and a second electrode layer 130 on the quantum dot structure 120.例文帳に追加

本発明の量子ドット有機電界発光素子は、基板１００と、基板１００上の第１電極層１１０と、第１電極層１１０上の有機発光層を含む複数の量子ドット構造１２０と、量子ドット構造１２０上の第２電極層１３０と、を含む。 - 特許庁

This infrared detector array 150 has a plurality of detector pixel structures 154 to 164, and each of the structures has a plurality of quantum well infrared radiation absorbing photoconductor (QWIP) elements, which are long extended.例文帳に追加

赤外検出器アレイ１５０は複数の検出器ピクセル構造１５４−１６４を持ち、その各々は複数の長く延びている量子井戸赤外輻射吸収光導電体（ＱＷＩＰ）エレメントを持つ。 - 特許庁

After step structures 2 are formed on a compound semiconductor substrate 1 by using lithography, quantum dots 6 are selectively formed only in specific portions on the substrate 1 having the step structures 2 by using a crystal growing technique.例文帳に追加

化合物半導体基板１にリソグラフィー技術を用いて段差構造２を形成し、結晶成長技術により上記段差構造を有する基板上の特定の部位にのみ選択的に量子ドット６を形成する。 - 特許庁

To provide an avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser which is easily manufactured by including a simple compact structure which consists of a little laminated structures.例文帳に追加

少ない数の積層構造からなる単純なコンパクト構造を有し、これにより、製造が容易なアバランシェ量子サブバンド遷移半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Each section of the pixel structures has a plurality of quantum well infrared radiation absorbing photoconductor (QWIP) elements, and the elements are formed into diffraction gratings with respect to the received infrared radiations.例文帳に追加

ピクセル構造の各セクションは複数の量子井戸赤外輻射吸収光導電体（ＱＷＩＰ）エレメントを持ち、それは受けた赤外輻射にたいする回折格子となっている。 - 特許庁

The crystal of the semiconductor film 23a for quantum well structures containing distortion can be deformed elastically, and the stress of the essentially separated semiconductor film 23a is reduced without any dislocation, or the like.例文帳に追加

歪みを内包した量子井戸構造のための半導体膜２３ａの結晶が弾性的に変形でき、実質的に分離された半導体膜２３ａの応力が転位等の発生無しに低減される。 - 特許庁

To obtain new semiconductor superfine particles binding amino groups capable of linking various chemical structures and having stabilized light absorbing and emitting characteristics by quantum effects of a semiconductor crystal such as water resistance.例文帳に追加

多様な化学構造を連結可能なアミノ基を結合し、かつ、耐水性等、半導体結晶の量子効果による吸発光特性が安定化された、新規な半導体超微粒子を提供する。 - 特許庁

When a GaAs substrate is used as the compound semiconductor substrate 1, a small number of quantum dots 6 having diameters of 30-50 nm and heights of 5-15 nm are formed only on tops 3 of the step structures 2 by forming the tops 3 as GaAs (001) faces and inclined side faces 5 of the structures 2 as facet faces other than (001) faces.例文帳に追加

化合物半導体基板１としてＧａＡｓ基板を用いる場合、段差構造の頂上部３をＧａＡｓ（００１）面、側面傾斜部５を（００１）面以外のファセット面とすることにより、頂上部３にのみ、直径３０〜５０ｎｍ、高さ５〜１５ｎｍの量子ドット６を少数個形成する。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁