「schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

SCHOTTKY GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキゲート電界効果トランジスタ - 特許庁

A Schottky barrier diode 100 includes a semiconductor layer 1 containing GaN, and a Schottky electrode 2.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１００は、ＧａＮを含む半導体層１と、ショットキー電極２とを備えている。 - 特許庁

Schottky diode 35 is formed by bringing Schottky contact (metal) into contact with the Si semiconductor layer.例文帳に追加

ショットキー・ダイオード３５はＳｉ半導体層にショットキー・コンタクト（金属）を接触させて形成する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride-based compound semiconductor that is provided with a Schottky electrode having an excellent Schottky characteristic and high adhesiveness.例文帳に追加

優れたショットキー特性と高い密着性とを兼ね備えたショットキー電極を有する窒化ガリウム系化合物半導体を提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR FORMING SCHOTTKY JUNCTION, SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND SCHOTTKY BATTIER DIODE例文帳に追加

ショットキー接合形成用半導体基板、それを使用した半導体素子、およびショットキーバリアダイオード - 特許庁

A guard ring is formed in a semiconductor region that is part of a Schottky junction or Schottky diode.例文帳に追加

保護リングは、ショットキー接合又はショットキーダイオードの一部である半導体領域に形成される。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which suppresses an exfoliation of the Schottky barrier diode and enhances a characteristic as a diode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの剥離を抑制し、かつ、ダイオードとしての特性の向上が図られるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A base terminal of the Tr2 is grounded through the schottky diode D1, the schottky diode D2, and the Tr3 short-circuited between base collectors.例文帳に追加

また、Ｔｒ２のベース端子は、ショットキーダイオードＤ１、Ｄ２と、ベース−コレクタ間を短絡したＴｒ３とを介して接地されている。 - 特許庁

The Schottky diode 1 comprises a substrate 2, first and second semiconductors 3, 4, a Schottky metal 5, and an ohmic metal 6.例文帳に追加

ショットキーダイオード１は、基板２と、第１の半導体３と、第２の半導体４と、ショットキー金属５と、オーミック金属６とを備える。 - 特許庁

The bias circuit 10 is provided with bipolar transistors Tr1, Tr2, Tr3, a schottky diode D1, and a schottky diode D2.例文帳に追加

バイアス回路１０は、バイポーラトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３と、ショットキーダイオードＤ１、Ｄ２とを備える。 - 特許庁

The Schottky electrodes 30 are Schottky-connected to an AlGaN layer 20 and are electrically connected to the source electrode 24.例文帳に追加

ショットキー電極３０は、ＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されており、ソース電極２４に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a horizontal Schottky barrier diode (SBD) semiconductor device which operates fast by reducing Schottky junction capacitance.例文帳に追加

ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型ＳＢＤ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To easily obtain an SiC Schottky barrier diode, small in the leakage current of a Schottky electrode and excellent in element characteristics.例文帳に追加

ショットキー電極のリーク電流が小さい良好な素子特性のＳｉＣショットキーバリアダイオードを容易に得る。 - 特許庁

A schottky diode 11 has a group III nitride support substrate 13, a gallium nitride region 15 and a Schottky electrode 17.例文帳に追加

ショットキダイオード１１は、III族窒化物支持基体１３と、窒化ガリウム領域１５と、ショットキ電極１７とを備える。 - 特許庁

A Schottky metal contact is formed on the layer, and the edges of the Schottky contact are disposed on the guard ring.例文帳に追加

ショットキー金属接点は、層の上に形成され、ショットキー接点のエッジ部は、保護リングの上に配置される。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＪＭＯＳＦＥＴ（Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）１７の寄生ダイオードと並列に、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）２０を備えている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which an area of a Schottky junction surface can be increased even if a chip size is small.例文帳に追加

小さなチップサイズでもショットキ接合面の面積を大きくすることができるショットキバリアダイオードを提供すること。 - 特許庁

LATERAL CONDUCTION SCHOTTKY DIODE WITH PLURAL MESAS例文帳に追加

複数のメサを有するラテラル導電型ショットキーダイオード - 特許庁

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SCHOTTKY BARRIER DIODE例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 - 特許庁

CROSSPOINT RESISTOR MEMORY DEVICE WITH BIDIRECTIONAL SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

双方向ショットキーダイオードを備えるクロスポイント型抵抗メモリ装置 - 特許庁

SCHOTTKY EMITTER CATHODE HAVING STABILIZED ZrO2 RESERVOIR例文帳に追加

安定化ＺｒＯ２リザーバーを有するショットキーエミッタカソード - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED THEREWITH例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードおよびそれを具備する半導体装置 - 特許庁

To provide a high-output gallium nitride Schottky diode element.例文帳に追加

高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SCHOTTKY BARRIER DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

炭化けい素ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

Thus, a low-VF and low-IR Schottky barrier diode is realizable.例文帳に追加

これにより、低ＶＦ、低ＩＲのショットキーバリアダイオードが実現できる。 - 特許庁

UNIPOLAR PHOTODIODE HAVING SCHOTTKY JUNCTION CONTACT例文帳に追加

ショットキー接合接点を備えたユニポールフォトダイオード - 特許庁

ZrO/W ENHANCED SCHOTTKY EMISSION TYPE ELECTRON GUN例文帳に追加

ＺｒＯ／Ｗエンハンスドショットキー放出型電子銃 - 特許庁

The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer.例文帳に追加

アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER QUANTUM WELL RESONANCE TYPE TUNNEL TRANSISTOR例文帳に追加

ショットキーバリア量子井戸共振型トンネルトランジスタ - 特許庁

LOW SCHOTTKY BARRIER PENETRATING TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

低いショットキー障壁貫通トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER PENETRATION SINGLE ELECTRONIC TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SORTING METHOD FOR n-GaN WAFER FOR MANUFACTURE OF SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ショットキーダイオードを作製するｎ−ＧａＮウエハの選別法 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE AND INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた集積回路 - 特許庁

An undoped channel layer 28 is disposed below the Schottky layer 20.例文帳に追加

非ドープチャネル層28を上記ショットキー層20の下に配置する。 - 特許庁

Also, a gate electrode 11 is formed on the Schottky layer 6.例文帳に追加

また、ショットキー層６上には、ゲート電極１１が形成されている。 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER DIODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードおよびショットキーバリアダイオードの製造方法 - 特許庁

SCHOTTKY BARRIER TUNNEL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

ショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING ELECTRODE OF SCHOTTKY DIODE AND PRODUCT THEREOF例文帳に追加

ショットキーダイオードの電極形成方法及びその製品 - 特許庁

A Schottky layer of Al_yIn_1-yAs 20 is disposed below the resistive layer 18.例文帳に追加

Al_yIn_1-yAsのショットキー層20を上記抵抗層18の下に配置する。 - 特許庁

To improve characteristics of a semiconductor device and a Schottky barrier diode.例文帳に追加

半導体装置、ショットキーバリアダイオードの特性を向上させる。 - 特許庁

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

炭化けい素ショットキーダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

SCHOTTKY DIODE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキーダイオード、電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH SCHOTTKY BARRIER ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキバリア電極を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

JBS, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SCHOTTKY BARRIER DIODE例文帳に追加

ＪＢＳおよびその製造方法ならびにショットキーバリアダイオード - 特許庁

A Schottky electrode 82 is formed in the second opened part.例文帳に追加

次に、第２開孔部内にショットキー電極８２を形成する。 - 特許庁