意味 | 例文 (999件) |
schottkyを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1144件
The Schottky electrode 5 is formed to contact a surface of the GaN epitaxial layer 3.例文帳に追加
ショットキー電極5は、GaNエピタキシャル層3の表面に接触するように形成される。 - 特許庁
A gallium nitride semiconductor region 3 for a Schottky barrier diode is formed on the buffer layer 2.例文帳に追加
バッファ層2の上シヨットキバリアダイオ−ド用の窒化ガリウム半導体領域3を形成する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SCHOTTKY DIODE TO REMOVE NOISE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ショットキーダイオードを用いたノイズ除去のための半導体素子及びその製造方法 - 特許庁
SILICON CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE WITH SUPPRESSED MINORITY CARRIER INJECTION例文帳に追加
少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード - 特許庁
A Schottky electrode 19 is provided in the gallium-nitride epitaxial layer 15.例文帳に追加
ショットキ電極19は、窒化ガリウムエピタキシャル層15に設けられている。 - 特許庁
SCHOTTKY BARRIER DIODE HAVING LATERAL TRENCH STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
横型トレンチ構造を有するショットキー・バリア・ダイオード及びその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (SELF-ALIGNED SCHOTTKY DIODE)例文帳に追加
半導体構造体およびその製造方法(自己整合型ショットキー・ダイオード) - 特許庁
A gate electrode 8 which is a Schottky electrode consists of a TaNx layer 6 and an Au layer 7.例文帳に追加
ショットキー電極であるゲート電極8は、TaNx層6とAu層7とを有している。 - 特許庁
A portion of a schottky electrode 4 which directly contacts with SiC is comprised of an oxide layer 4a.例文帳に追加
ショットキー電極4のうちSiCと直接接触する部分を酸化物層4aにて構成する。 - 特許庁
The Schottky electrode 60 is connected to the source electrode 7 by a conductor 60a.例文帳に追加
ショットキー電極60は導体60aによってソース電極7に接続されている。 - 特許庁
The anode electrode 4 is formed so as to have the channel layer 3 and a Schottky junction.例文帳に追加
アノード電極4は、チャネル層3とショットキー接合を有するように形成されている。 - 特許庁
A Schottky junction 16 is formed by providing an anode electrode 15 in an n-offset region 6.例文帳に追加
nオフセット領域6にアノード電極15を設けてショットキー接合16を形成する。 - 特許庁
Each Schottky barrier diode is isolated by an insulating region formed by ion implantation.例文帳に追加
イオン注入による絶縁化領域により、各ショットキーバリアダイオードを分離する。 - 特許庁
To actualize a high avalanche resistance compared with that of a Schottky junction diode or the like.例文帳に追加
ショットキー接合ダイオード等に比べて高いアバランシェ耐量を実現することを課題とする。 - 特許庁
To improve contact resistance and Schottky characteristics of a nitride semiconductor device.例文帳に追加
窒化物半導体装置のコンタクト抵抗並びにショットキー特性の向上を図る。 - 特許庁
A source/drain electrode 114 is formed on the Schottky junction source/drain 115.例文帳に追加
ショットキー接合・ソース/ドレイン115上にソース/ドレイン電極114が形成されている。 - 特許庁
A current of this Schottky diode is not disturbed by a depletion layer based on the gate electrode 12.例文帳に追加
このショットキーダイオードの電流はゲート電極12に基づく空乏層に妨害されない。 - 特許庁
A Schottky gate electrode 104 is formed on a third region R3.例文帳に追加
更に、第3領域R3上にはショットキーゲート電極104が形成されている。 - 特許庁
The diode, used for the light-emitting diode driving circuit 100, is to be a Schottky diode.例文帳に追加
尚、発光ダイオード駆動回路100に用いられるダイオードは、ショットキーダイオードとする。 - 特許庁
To provide an integrated circuit structure which allows integral realization of multiple Schottky diodes and capacitors.例文帳に追加
複数のショットキーダイオードおよびコンデンサを一体に具現する集積回路構造物の提供。 - 特許庁
For example, the problem can be solved by forming the Schottky electrode in a concentric annular shape.例文帳に追加
例えば、ショットキー電極を同心環状とすることで、上記課題を解決することができる。 - 特許庁
Instead of the Schottky barrier diodes, MOS transistors is combined in its structure.例文帳に追加
またショットキーバリアダイオードに代わってMOSトランジスタを組み合わせた構成とする。 - 特許庁
Thus, the formation of a gate electrode having a good Schottky junction is obtained.例文帳に追加
これらにより、良好なショットキー接合を有するゲート電極の形成が実現される。 - 特許庁
A gate electrode 107 is brought into Schottky-contact with the electron supply layer 104.例文帳に追加
ゲート電極107は電子供給層104に対してショットキー接触している。 - 特許庁
A first Schottky barrier electrode 30a is formed by a pattering method or the like.例文帳に追加
そして、パタニング法等により、第一のショットキー障壁電極30aを形成する。 - 特許庁
A Schottky barrier diode 2 is connected in parallel between an internal circuit 5 and the LC filter 3.例文帳に追加
内部回路5とLCフィルタ3の間にショットキーバリアダイオード2を並列に接続する。 - 特許庁
The substrate and the wide-band gap semiconductor compose a Schottky junction, using Ni.例文帳に追加
Niを使用して基板とワイドバンドギャップ半導体とのショットキー接合を行っている。 - 特許庁
SCHOTTKY BARRIER RECTIFYING DEVICE HAVING MOS TRENCH AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
MOSトレンチを有するショットキー障壁整流装置及びその製造方法 - 特許庁
Further, after the Schottky junction, heat treatment is performed under a nitrogen gas atmosphere at 600°C, for 30 seconds.例文帳に追加
さらに、ショットキー接合後に窒素ガス雰囲気下で600℃、30秒の熱処理を行う。 - 特許庁
The gate portion 10 has an insulated gate electrode portion 10a and a Schottky electrode portion 10b.例文帳に追加
ゲート部10は絶縁ゲート電極部10aとショットキー電極部10bを有している。 - 特許庁
The n^- semiconductor area 5 and the source metallic layer 4 are Schottky-joined with each other.例文帳に追加
n-半導体領域5とソース金属層4とはショットキー接合されている。 - 特許庁
In the protection element (13), a Schottky barrier diode is formed as the protection element.例文帳に追加
保護素子部分(13)に保護素子としてのショットキーバリアダイオードが形成されている。 - 特許庁
A Schottky diode or a high-speed recovery type diode is used as a clamp diode DD.例文帳に追加
また、クランプダイオードDDをショットキーダイオード又は高速リカバリ型ダイオードとする。 - 特許庁
The gate electrode 203 is formed in a Schottky junction with the n-AlGaN layer 104.例文帳に追加
ゲート電極203は、n−AlGaN層104とショットキー接合を形成している。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
ショットキーバリアダイオードを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
To provide a Schottky barrier diode which materializes a miniaturization and a low cost, and can decrease noises.例文帳に追加
小型化・低コスト化を実現しつつ雑音を低減できるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁
A portion of the dielectric layer is removed, and a Schottky metal is deposited in its void.例文帳に追加
誘電体層の一部分を除去し、その空洞の中にショットキー金属を付着させる。 - 特許庁
SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME例文帳に追加
ショットキーバリアダイオードを備えた炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
A gate electrode 22 is in contact with a bottom surface 48 of the recess W2 of the Schottky layer 20.例文帳に追加
ゲート電極22は、上記ショットキー層20の上記リセスW2の底部表面48と接触する。 - 特許庁
To provide a technique for suppressing local overheating of a vertical type Schottky diode.例文帳に追加
縦型のショットキーダイオードの局所的な過熱を抑制する技術を提供する。 - 特許庁
A second Schottky barrier electrode 30b is formed by the patterning method or the like.例文帳に追加
そして、パタニング法等により、第二のショットキー障壁電極30bを形成する。 - 特許庁
SCHOTTKY ELECTRODE, FORMATION THEREOF, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加
ショットキー電極、ショットキー電極の形成方法、半導体素子、及び半導体素子の製造方法 - 特許庁
The gate electrode 3 forms a Schottky junction to the nitride semiconductor layer 7.例文帳に追加
ゲート電極3は、窒化物半導体層7に対するショットキ接合を形成している。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a Schottky electrode having a characteristic near an ideal characteristic.例文帳に追加
理想的な特性に近いショットキー電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁
The first element 20 is a transistor and the second element 50 is a Schottky diode.例文帳に追加
第1素子はトランジスタであって、第2素子はショットキーダイオードである。 - 特許庁
The second region is in contact with the first silicon carbide region and the Schottky contact.例文帳に追加
第2の領域は、第1の炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと接触する。 - 特許庁
SILICON CARBIDE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING BUILT-IN SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
ショットキーダイオードを内蔵した炭化ケイ素MOS電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
To provide a Schottky barrier diode which is improved in surge resistance without changing rectifying characteristics.例文帳に追加
整流特性を変えることなくサージ耐性を向上させたショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁
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