「schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

In the GaN-based Schottky diode 20, an undoped AlGaN layer 24 is formed on an undoped GaN layer 23.例文帳に追加

このＧａＮ系ショットキーダイオード２０では、アンドープのＧａＮ層２３上にアンドープのＡｌＧａＮ層２４が形成されている。 - 特許庁

By this constitution, it is possible to realize a state that a Schottky barrier diode is formed across both electrodes 102, 103.例文帳に追加

この構成により、両電極１０２、１０３間には、ショットキーバリアダイオードが形成されている状態が実現される。 - 特許庁

With this configuration, the sheet resistance value in the cathode region in the Schottky barrier diode 1 is reduced.例文帳に追加

この構造により、ショットキーバリアダイオード１のカソード領域でのシート抵抗値が低減される。 - 特許庁

A Schottky drain electrode 102 is formed on a first region R1 on the surface 101S1 of an n-type silicon carbide layer 101.例文帳に追加

ｎ型炭化シリコン層１０１の表面１０１Ｓ１の第１領域Ｒ１上には、ショットキードレイン電極１０２が形成されている。 - 特許庁

Each of the Schottky barrier diodes D1, D2, D3, and D4 is formed of a barrier film, an electrode, and the semiconductor substrate.例文帳に追加

各ショットキーバリアダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４は、バリア膜、電極、半導体基板で構成されている。 - 特許庁

A source electrode 9 is formed in the second trench 6b to form a Schottky junction at a bottom part of the second trench 6b.例文帳に追加

前記第二トレンチ６b内にソース電極９を形成して第二トレンチ６b底部にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky-barrier diode having a field plate structure capable of stably providing an electric field concentration mitigating effect.例文帳に追加

安定して電界集中緩和効果を得ることが可能なフィールドプレート構造を有するショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof in which a Schottky source/drain MOSFET is effectively microfabricated.例文帳に追加

ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴを効果的に微細化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A Schottky diode 10 as a semiconductor device includes a substrate 11 composed of a semiconductor and an n-type layer 12 formed on the substrate 11.例文帳に追加

半導体装置としてのショットキーダイオード１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２とを備えている。 - 特許庁

The Schottky electrode portion 10b is in direct contact with the surface of the drift semiconductor region 12.例文帳に追加

ショットキー電極部１０ｂは、ドリフト半導体領域１２の表面に直接的に接触している。 - 特許庁

A source ohmic electrode 16, a gate Schottky electrode 17 and a drain ohmic electrode 18 are provided on the second semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２半導体層１９の上にソースオーミック電極１６、ゲートショットキ電極１７、およびドレインオーミック電極１８を備える。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which forward voltage drop can be lowered while ensuring breakdown voltage surely.例文帳に追加

耐圧を確実に確保しながら、順方向降下電圧が低くすることが出来るショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An anode electrode 7 is Schottky-joined onto a first surface of the SiC epitaxial layer 4 so as to penetrate the field insulating film 5.例文帳に追加

このフィールド絶縁膜５を貫通して、ＳｉＣエピタキシャル層４の表面に、アノード電極７をショットキー接合させる。 - 特許庁

To improve backward breakdown voltage of a Schottky diode or a pn junction diode without adding an intricate step or processing.例文帳に追加

複雑な工程や処理を追加することなく、ショットキーダイオードやｐｎ接合ダイオードの逆方向耐圧を改善する。 - 特許庁

An attaching hole 27b for housing and arranging a pair of schottky diodes 41, 42 is formed near the tip of the arm 27.例文帳に追加

アーム２７の先端部近くには、一対のショットキーダイオード４１、４２を収容配置するための取付孔２７ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide an electrode structure for an SiC Schottky diode having a guard ring for improving a forward surge breakdown voltage and its manufacturing method.例文帳に追加

ガードリングを有するＳｉＣショットキーダイオードにおいて、順サージ電流耐量を向上させるための電極構造と形成方法を与える． - 特許庁

In this sample structure, a Schottky electrode 23 is formed on the surface of a semiconductor substrate 22 where a field pattern 21 is formed.例文帳に追加

このサンプル構造では、フィールドパターン２１が形成された半導体基板２２の表面にショットキー電極２３が形成されている。 - 特許庁

An element separating region for such as a trench and a Schottky diode, etc. for electrically separating adjoining segments 1 is provided.例文帳に追加

相隣接するセグメント１同士間を電気的に分離するためのトレンチ，ショットキーダイオード等の素子分離領域を備えている。 - 特許庁

A Schottky connection 120 is formed between a part of the drain electrode 110 and a P-type SiC substrate 10.例文帳に追加

ドレイン電極１１０の一部とＰ型ＳｉＣ基板１０との間にショットキー接続１２０が形成されている。 - 特許庁

The Schottky electrode 23 is formed on the surface of the substrate 22 so as to cover a plurality of field patterns 21.例文帳に追加

ショットキー電極２３は、複数のフィールドパターン２１を覆うようにして基板２２の表面上に形成されている。 - 特許庁

A Schottky barrier metal 3 as an anode electrode is formed so as to join to the entire face of the SiC layer 2.例文帳に追加

ＳｉＣ層２の全面に接合するように、アノード電極となるショットキーバリア金属３が形成されている。 - 特許庁

An interval between the Schottky barrier diode and the smoothing capacitor is set to λg/22.5 to λg/14 wherein λg is a wavelength of a microwave to be received.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードと平滑用キャパシタとの間隔を、受信するマイクロ波の波長をλｇとして、λｇ／２２．５〜λｇ／１４とする。 - 特許庁

Since a current flows in the Schottky diode when a radiation is incident on the substrate 210, it is possible to detect the radiation.例文帳に追加

基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 - 特許庁

To provide a magnetic RAM using a Schottky diode achieving high integration of the memory device.例文帳に追加

メモリ素子の高集積化を可能にするショットキーダイオードを用いたマグネチックＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A high-resistance region 5 is established in the peripheral part of the SBD, enclosing the Schottky electrode 6 and the ohmic electrode 7.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの周縁部には、ショットキー電極６とオーミック電極７とを囲むように高抵抗領域５が設けられている。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor element such as, a Schottky diode, MOSFET, etc., which is processed to suppress silicon nitride particulates and provide good characteristics.例文帳に追加

窒化珪素微粒子の発生を抑え，特性の良好なショットキーダイオードやＭＯＳＦＥＴ等の炭化珪素半導体素子を提供する。 - 特許庁

The VF, IR characteristics can be controlled in the detailed ranges by a Schottky junction area ratio of the two metal layers.例文帳に追加

２つの金属層のショットキー接合面積比により、ＶＦ、ＩＲ特性が詳細なレンジで制御できる。 - 特許庁

A TaN layer 22 having a high nitriding rate is stacked on an AlGaN layer 14 to obtain a Schottky junction having good characteristics.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層１４に、高窒化率のＴａＮ層２２を積層し、良好な特性のショットキー接合を得る。 - 特許庁

A Schottky electrode 120 is formed on the low concentration layer 102 and the guard ring region 104.例文帳に追加

低濃度層１０２およびガードリング領域１０４上にはショットキー電極１２０が形成されている。 - 特許庁

A Schottky electrode 17 is formed on the n^--type GaN layer 2 exposed from contact opening 16 of the gate insulating film 9.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９のコンタクト開口１６から露出するｎ^-型ＧａＮ層２上には、ショットキー電極１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode improved in reverse breakdown voltage through a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for easily controlling a height and a width of a Schottky barrier and effectively suppressing a short-channel effect.例文帳に追加

ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御でき、短チャネル効果を効果的に抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, in the temperature compensating circuit 20, the second MESFET 21 functions as a Schottky barrier diode (SBD) in the manner of an equivalent circuit.例文帳に追加

したがって、この温度補償回路２０内では、第２のＭＥＳＦＥＴ２１は等価回路的にショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）として機能する。 - 特許庁

A metal electrode 5 is arranged, so as to come into Schottky contact with the layers 4 including the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上面を含めてｎ型エピタキシャル層４とショットキー接触するように金属電極５が配置されている。 - 特許庁

A compensating electrode is laminated on the Schottky electrode to prevent this electrode from having effect on characteristics, if reacting.例文帳に追加

更に、（２）仮にショットキー電極が反応しても特性に影響が生じ難いようにショットキー電極上にさらに補償電極を積層した。 - 特許庁

The potential barrier region 12 comprises, for example, a metal layer 12a and a semiconductor layer 12b, between which a Schottky barrier is formed.例文帳に追加

ポテンシャル障壁領域１２は例えば金属層１２ａおよび半導体層１２ｂからなり、それらの間にショットキー障壁が形成される。 - 特許庁

A guard ring 30 in a regular hexagonal ring shape for surrounding the Schottky electrode 15 is provided on the GaN layer 13.例文帳に追加

ＧａＮ層１３の上には、ショットキー電極１５を囲む正六角形リング状のガードリング３０が設けられている。 - 特許庁

The protection film 12 is composed of a semiconductor and has a Schottky barrier with the magnet element assembly 11.例文帳に追加

保護膜１２は半導体により構成されており、磁石素体１１との間にショットキー障壁を有している。 - 特許庁

This Schottky junction part is included in the diaphragm region 18 of the semiconductor substrate 17 and becomes the region for sensing pressure.例文帳に追加

このショットキー接合部分が、半導体基板１７におけるダイヤフラム領域１８に含まれており、圧力を感知する領域となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is controlled by a Schottky gate electrode capable of decreasing a gate leakage current.例文帳に追加

ショットキーゲート電極で制御する半導体装置において、ゲートリーク電流を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A side 13c of the mesa section 13a is an m face, and a side 15b of the Schottky electrode 15 is formed along the m face.例文帳に追加

メサ部１３ａの側面１３ｃはｍ面であり、ショットキー電極１５の側面１５ｂは、ｍ面に沿うように形成されている。 - 特許庁

To produce a semiconductor device having a nano structure by producing a atom-level Schottky barrier on the surface of a semiconductor wafer using wet process.例文帳に追加

半導体ウエーハ表面に原子レベルのショットキー障壁を湿式法により作製し、ナノ構造の半導体素子を作製すること。 - 特許庁

This Schottky junction part is included in the diaphragm part 5 in the n-type semiconductor substrate 3 to form a region for sensing pressure.例文帳に追加

このショットキー接合部分が、ｎ型半導体基板３におけるダイヤフラム部５に含まれており、圧力を感知する領域となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which both of a schottky device and a MOSFET are formed in a common mold.例文帳に追加

共通のダイにショットキー装置及びＭＯＳＦＥＴの両方を形成して含む半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device in which a P-channel power MOSFET and a Schottky barrier diode are formed on an identical substrate.例文帳に追加

ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードとが同一半導体基板に形成された半導体装置を実現する。 - 特許庁