「schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the efficiency of conversion by forming a fine opening in an electrode of a Schottky solar cell.例文帳に追加

ショットキー型太陽電池の電極に微細な開口を有することにより変換効率を向上させる。 - 特許庁

A Schottky electrode directly contacting SiC uses a stable and very slow reactive material.例文帳に追加

（１）ＳｉＣに直接接触するショットキー電極として安定かつ反応の非常に遅い材料を用いた。 - 特許庁

The distance (x) between an edge 15a of the Schottky electrode 15 and an upper edge 13b of the mesa section 13a is not more than 2 μm.例文帳に追加

ショットキー電極１５の端部１５ａと、メサ部１３ａの上面端部１３ｂとの間の距離ｘは、２μｍ以下である。 - 特許庁

The silicon film 15 may be formed between the Schottky-contact electrode 16 and the III-V group nitride semiconductor layer 14.例文帳に追加

ショットキ接触する電極１６とIII−Ｖ族窒化物半導体層１４との間に、珪素膜１５を形成してもよい。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode exhibiting a sufficient characteristic and having a mesa-structure, and to provide a method of manufacturing the diode.例文帳に追加

良好な特性を示す、メサ構造部を備えたショットキーバリアダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A GaN-based Schottky diode 20 as a protective element is connected between the source and drain of a power FET 10 being a switching element.例文帳に追加

スイッチング素子としてのパワーＦＥＴ１０のソース・ドレイン間に、保護素子としてのＧａＮ系ショットキーダイオード２０が接続されている。 - 特許庁

Moreover, each Schottky barrier diode is allocated in each output terminal side of the armature coil 31.例文帳に追加

また、各ショットキーバリアダイオードは、ＭＯＳＦＥＴよりも電機子巻線３１の各出力端側に配置されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SCHOTTKY BARRIER DIODE, METHOD OF MANUFACTURING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法及び半導体装置 - 特許庁

Injecting electrons are generated at a high luminance electron source 3 such as an electric field emitting type emitter or a Schottky type emitter.例文帳に追加

注入される電子は、電界放出型放出体又はショットキー型放出体のような高輝度電子源３で生成される。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 17 is provided which electrically connects base layers 3 and 7 to a collector layer 13.例文帳に追加

ベース層３，７とコレクタ層１３とを電気的に接続するショットキーバリアダイオード１７を備える。 - 特許庁

To obtain the manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device equipped with a Schottky electrode having stabilized characteristics.例文帳に追加

安定した特性を有する、ショットキ電極を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The density of the source region of the MOSFET is reduced, and a Schottky junction is formed between the source region and an electrode layer (source electrode layer).例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのソース領域の濃度を低減し、ソース領域と電極層（ソース電極層）間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

The fourth terminal may act as a second base region or Schottky gate electrode as well as the second cathode type structure 122.例文帳に追加

上記第４の端子は、第２のカソードタイプの構造１２２の他に、第２のベース領域またはショットキーゲート電極の形態をとることができる。 - 特許庁

The Schottky junction of the SBD 20 is formed between the plurality of base regions 4 of the SJMOSFET 17.例文帳に追加

ＳＢＤ２０のショットキー接合は、ＳＪＭＯＳＦＥＴ１７の複数のベース領域４の間に形成されている。 - 特許庁

To achieve a high voltage resistance Schottky barrier diode by reducing current leakage in backward direction thereof.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの逆方向の電流リークを低減して、高耐圧のショットキーバリアダイオードを実現する。 - 特許庁

To prevent peeling and breakage of a gate electrode in a manufacturing process of a Schottky junction gate type field-effect transistor.例文帳に追加

ショットキー接合ゲート型の電界効果トランジスタの製造工程でゲート電極の剥がれや折れを完全に防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which can easily manufacture a Schottky barrier diode with good current characteristics, small area, and desired characteristics.例文帳に追加

電流特性が良く、かつ小面積であり、所望の特性を有するショットキーバリアダイオードを容易に作製できる製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the first conductive type is the P-type, wirings 30, 40, 50 respectively indicate a cathode wiring, a Schottky contact cathode wiring and a gate wiring.例文帳に追加

第１の導電型がＰ型の場合、３０はカソード配線、４０はショットキー接触カソード配線、５０はゲート配線である。 - 特許庁

When the silicide film is formed, no silicon atom is consumed inside the silicon carbide substrate, so that a Schottky contact having a sharp change in composition is formed.例文帳に追加

シリサイド膜の生成において、炭化珪素基板内のシリコン原子は消費されず、組成変化が急峻なショットキーコンタクトが形成される。 - 特許庁

Comb-like Schottky electrodes 10 and 11 are formed in contact with the light absorbing layer 4 and separated from each other by a certain distance.例文帳に追加

そして、光吸収層４と接すると共に互いに隔たった櫛型ショットキー電極１０，１１を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a Schottky electrode formed thereon without causing the increase of the number of manufacturing processes, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

製造工程数の増加を招くことなく、ショットキー電極を形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The Schottky electrode 15 is in ohmic contact with an inner surface 30a and an upper surface 30c of the guard ring 30.例文帳に追加

ショットキー電極１５は、ガードリング３０の内側面３０ａおよび上面３０ｃにオーミック接触している。 - 特許庁

A first electrode 17 forms a Schottky junction in the first Al_X1In_X2Ga_1-X1-X2N layer 13a.例文帳に追加

第１の電極１７は、第１のＡｌ_Ｘ１Ｉｎ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ１−Ｘ２Ｎ層１３ａにショットキ接合を成す。 - 特許庁

To reduce a forward voltage drop by increasing the area of a Schottky junction for a horizontal element.例文帳に追加

横型の素子のためショットキー接合の面積を十分大きく取ることができず、順方向電圧降下が十分低減できない。 - 特許庁

Further, the portion of the ZnO layer which is present correspondingly just under the n-electrode 1 is constituted to become a Schottky junction.例文帳に追加

ｎ電極１の直下に相当する部分のＺｎＯ層がショットキー接合となるように構成する。 - 特許庁

To integrate a MOSFET and a Schottky barrier diode on the same semiconductor substrate, to suppress power consumption, and to reduce a chip size.例文帳に追加

同一半導体基板に、ＭＯＳＦＥＴとショットキーバリアダイオードを集積し、消費電力を抑制し、チップサイズを縮小する。 - 特許庁

A signal which synchronizes with a reference clock is sent from a high-frequency transmitter 10 and received by an antenna block 11 composed of a Schottky diode.例文帳に追加

高周波送信機１０から基準クロックに同期した信号を送信して、ショットキーダイオードによるアンテナブロック１１で受信する。 - 特許庁

For instance, in the case of a silicon carbide Schottky barrier diode, a p-type region 104 is provided on the side of an ohmic cathode electrode 103.例文帳に追加

例えば炭化シリコンショットキー障壁ダイオードの場合、オーミック電極たるカソード電極１０３側にｐ形領域１０４を設ける。 - 特許庁

To provide a GaN-based semiconductor device that is excellent in power performance and reliability by improving the heat resistance of a Schottky junction electrode.例文帳に追加

ショットキー接合電極の耐熱性を改善し、パワー性能、信頼性に優れたＧａＮ系半導体装置を提供する。 - 特許庁

The anode electrode 9 is subjected to Schottky-contacts with the n-layers 3, and is connected electrically with the p-layers 5.例文帳に追加

アノード電極９は、ｎ層３にショットキー接触し、かつ、ｐ層５に電気的に接続されている。 - 特許庁

The Schottky diode is formed directly on the surface of the support base made of a GaN-based thick film material.例文帳に追加

本発明では、ＧａＮ系厚膜材料よりなる支持基体の表面に直接、ショットキーダイオードを形成する。 - 特許庁

The reflective layer 7 is composed of Al and Schottky connection is made with the footprint 2a of the substrate 2 in order to reflect the light.例文帳に追加

反射層７は、Ａｌからなり、光を反射するために基板２の底面２ａとはショットキー接続されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier semiconductor device which can improve withstand voltage with keeping a reduction of a leakage current IR.例文帳に追加

リーク電流ＩＲの低減を維持しつつ耐圧の向上をはかることのできるショットキーバリア型半導体装置を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 19 is provided on the GaN epitaxial layer 17, and is Schottky-bonded onto the GaN epitaxial layer 17.例文帳に追加

ゲート電極１９は、ＧａＮエピタキシャル層１７上に設けられており、該ＧａＮエピタキシャル層１７にショットキ接合する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode semiconductor device which has forward and reverse characteristics relative to various applications.例文帳に追加

使用用途に応じた順方向特性、逆方向特性を有するショットキーバリアダイオード半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the first conductive type is the N-type, the wirings 30, 40, 50 respectively indicate an anode wiring, a Schottky contact anode wiring and a gate wiring.例文帳に追加

第１の導電型がＮ型の場合、３０はアノード配線、４０はショットキー接触アノード配線、５０はゲート配線である。 - 特許庁

A top surface 42 of the Schottky layer directly under the resistive layer opening 38 provides a recess 44 having a second width W2 narrower than the first width W1.例文帳に追加

上記抵抗層開口部38直下の上記ショットキー層の上部表面42により、第一の幅W1よりも小さな第二の幅W2をもつリセス44ができる。 - 特許庁

According to the invention, the MOS gate is used for accurately separating the guard ring from the Schottky barrier 56.例文帳に追加

本発明によれば、ガード・リングをショットキー・バリヤ５６から正確に隔てるためにＭＯＳゲートが使用される。 - 特許庁

To achieve the high withstand voltage of a vertical Schottky barrier diode (SBD) employing a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた縦型ショットキバリアダイオード（ＳＢＤ）の高耐圧化を実現できるようにする。 - 特許庁

Ohmic electrodes 9, 10 and 11 are formed in the layer 3, the layer 5 and the layer 7, respectively; and a Schottky electrode 8 is formed in the layer 7.例文帳に追加

オーミック電極９、１０、１１を夫々層３、層５、層７に形成し、ショットキ電極８を層７に形成する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which a leak current hardly occurs in application of a reverse voltage and an on-voltage is low.例文帳に追加

逆電圧印加時のリーク電流が生じ難く、かつ、オン電圧が低いショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which uses a barium nitride semiconductor and has a p-type guard ring.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体を用いると共にｐ型ガードリングを有するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To effectively suppress leakage current by realizing a Schottky barrier having sufficient height which cannot be obtained by conventional techniques.例文帳に追加

従来技術では得ることのできなかった充分な高さを有するショットキ障壁を実現し、リーク電流を効果的に抑制すること。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier type semiconductor radiation detecting element hard to be affected by polarization effect.例文帳に追加

ポーラリゼーション効果の影響を受けにくいショットキー障壁型半導体放射線検出素子を提供する。 - 特許庁

To increase a level of a drive signal outputted from the buffer circuit employing a Schottky FET.例文帳に追加

ショットキーゲート型ＦＥＴを用いたバッファ回路が出力する駆動信号の振幅を大きくする。 - 特許庁