「schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING BURIED LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SCHOTTKY BARRIER DIODE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体装置の埋込み層形成方法、ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

The Schottky electrode 19 is disposed on the Al_YGa_1-YN epitaxial layer 15.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層１５上に設けられる。 - 特許庁

STRUCTURE OF GUARD RING IN SELF-ALIGNED GATED SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

セルフ・アライン型ゲーテッド・ショットキー・ダイオードのガード・リングの構造 - 特許庁

The silicide layer 7 and the low-concentration n-type SOI layer 12 form a Schottky junction.例文帳に追加

シリサイド層７と低濃度Ｎ型ＳＯＩ層１２はショットキー接合を形成する。 - 特許庁

As the diode, e.g. a PN diode, a heterojunction diode, a Schottky diode, etc., can be used.例文帳に追加

ダイオードはたとえば、ＰＮダイオード、ヘテロ接合ダイオード、ショットキーダイオードなどである。 - 特許庁

A Schottky source/drain 12 is formed so that a gate electrode 7 can be interposed.例文帳に追加

ゲート電極７を挟むように、ショットキーソース・ドレイン１２を形成する。 - 特許庁

Then, the thin film 9 is removed, and a Schottky electrode is quickly formed.例文帳に追加

その後，薄膜９を除去し，その後，速やかに，ショットキ電極を形成する。 - 特許庁

A Schottky electrode 19 comprises a first part 19a and a second part 19b.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、第１の部分１９ａと第２の部分１９ｂを含む。 - 特許庁

The mounts at an equal space of Schottky barrier diodes 11a-11d using SiC substrates are performed.例文帳に追加

ＳｉＣ基板を用いたショットキバリアダイオード１１ａ〜１１ｄを等間隔に実装する。 - 特許庁

SCHOTTKY DIODE WITH IMPROVED HIGH CURRENT BEHAVIOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

改善された高電流挙動を有するショットキーダイオード、およびこれを製造する方法 - 特許庁

The semiconductor chip is mounted on a substrate of a package to form a Schottky barrier on the reverse surface.例文帳に追加

また、その裏面にショットキー障壁を形成するようにパッケージの基板にマウントする。 - 特許庁

The cathode electrode 14 is joined to the detection part 13 by means of a Schottky-type joint.例文帳に追加

そして、カソード電極１４と半導体検出部１３との接合は、ショットキー型接合である。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has high ESD resistance and a small backward leakage current.例文帳に追加

ＥＳＤ耐量が高く、逆方向漏れ電流の少ないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element in which leakage current is reduced from a Schottky electrode.例文帳に追加

ショットキ電極からのリーク電流が低減されるIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

Thus, the contact resistance is reduced and Schottky characteristics is improved.例文帳に追加

そのため、コンタクト抵抗の低減やショットキー特性の改善が実現できる。 - 特許庁

SILICON-CARBIDE JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

炭化珪素ジャンクションバリアショットキーダイオードおよびその製造方法 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR EQUIPPED WITH SUB GATE AND SCHOTTKY SOURCE/DRAIN, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

サブゲート及びショットキーソース／ドレインを備えた薄膜トランジスタ並びにその製造方法 - 特許庁

To protect an insulating gate field-effect transistor in which a Schottky diode is built.例文帳に追加

ショットキーダイオードを内蔵する絶縁ゲート電界効果トランジスタの保護が要求されている。 - 特許庁

InP-BASED HEMT WITH SCHOTTKY BARRIER WHERE PERCENTAGE OF ALUMINUM VARIES SLANTINGLY例文帳に追加

アルミニウムのパーセンテージが傾斜して変化するショットキー障壁を有するＩｎＰ系ＨＥＭＴ - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has a low ON resistance and a small chip size.例文帳に追加

オン抵抗が低くチップサイズが小さいショットキーバリアダイオードを提供すること。 - 特許庁

To control reduction in inverse voltage resistance characteristics of a Schottky diode.例文帳に追加

ショットキーダイオードの逆耐圧特性の低下を抑制することが目的とされる。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier tunnel transistor and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Electrodes 17a, 17b form a Schottky junction in the first and third areas 15a, 15c.例文帳に追加

電極１７ａ、１７ｂは第１および第３の領域１５ａ、１５ｃにショットキ接合を成す。 - 特許庁

In other words, a leak current generated on the Schottky junction interface and flowing to the cathode side can be interrupted.例文帳に追加

つまり、ショットキー接合界面で発生したリーク電流がカソード側に漏れるのを遮断できる。 - 特許庁

The ohmic electrode is formed of a material different from that of the Schottky electrode.例文帳に追加

オーミック電極は、ショットキ電極とは異なる材料によって形成される。 - 特許庁

To provide an n-type schottky barrier tunnel transistor and a method of fabricating the same.例文帳に追加

ｎ型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gate electrode can be a Schottky contact or an insulated metal contact.例文帳に追加

ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which well operates in response to a high-frequency signal.例文帳に追加

高周波の信号に応じて精度よく動作するショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To increase the reliability of an HFET (Hetero structure Field Effect Transistor) or a Schottky diode using a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体を用いたＨＦＥＴまたはショットキーダイオードにおける信頼性を高める。 - 特許庁

On the top surface of the layer end part 14a, the Schottky junction disappears to eliminate electric field concentration.例文帳に追加

層端部１４ａの表面でのショットキー接合が消滅し、電界集中を無くすことができる。 - 特許庁

METHOD FOR JUNCTION BARRIER SCHOTTKY DIODE, DIODE AND METHOD OF OPERATION THEREOF例文帳に追加

ジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードに関する方法と、そのダイオードおよびその使用方法 - 特許庁

The insulating layer is positioned between the conductor 15 and the Schottky electrode 19.例文帳に追加

導電体１５とショットキ電極１９との間には絶縁層が位置している。 - 特許庁

The gate electrode extends in a first direction, while bringing Schottky-contact to a surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート電極が、半導体基板の表面にショットキ接触し、第１の方向に延在する。 - 特許庁

The Schottky electrode 19 is the gate electrode of HEMT 11.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、高電子移動度トランジスタ１１のゲート電極である。 - 特許庁

To provide a termination structure of a Schottky electrode by which a stable breakdown voltage is realized.例文帳に追加

安定した耐圧を実現するショットキー電極の終端構造を提供する。 - 特許庁

Thus, a Schottky diode 15 with excellent characteristics can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

特性のすぐれたショットキーダイオード１５を安価に製造することが可能となる。 - 特許庁

The Schottky electrode 19 is disposed on the gallium nitride epitaxial layer 15.例文帳に追加

ショットキ電極１９は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５に設けられている。 - 特許庁

The Schottky electrode 4 is formed of a base metal and has oxygen concentration ≥4×10^19 cm^-3.例文帳に追加

ショットキー電極４は、卑金属で、かつ４×１０^19ｃｍ^-3以上の酸素濃度を有する。 - 特許庁

The first gate electrode 109 is brought into Schottky contact with the third nitride semiconductor 108.例文帳に追加

第１のゲート電極１０９は第３の窒化物半導体１０８とショットキー接触している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining Schottky characteristics good for an SBD.例文帳に追加

半導体装置がＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができるようにする。 - 特許庁

The surface negative electrode 7 and the barrier layer 6 are subjected to Schottky junction.例文帳に追加

また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device securing a low threshold and higher voltage resistance, even if a Schottky electrode is not installed.例文帳に追加

ショットキー電極を設けなくても閾値が低く、高耐圧化が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A Schottky barrier ϕBn_2 satisfies a relation of 1.06 eV<ϕBn_2.例文帳に追加

上記ショットキー障壁φＢｎ_２は、１．０６ｅＶ＜φＢｎ_２という関係を満足する。 - 特許庁

To make a nitride-based Schottky barrier diode high in breakdown voltage and to reduce a leakage current.例文帳に追加

窒化物系ショットキーバリアダイオードを高耐圧化し、且つリーク電流が低減する。 - 特許庁

To provide a Schottky diode capable of performing a sure normally-off operation and reduced in leak current.例文帳に追加

確実なノーマリオフ動作とリーク電流の少ないショットキダイオードを提供する。 - 特許庁