「schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a Schottky barrier diode having comprehensively superior leakage characteristics and withstanding voltage characteristics.例文帳に追加

リーク特性および耐圧特性が総合的に優れたショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a Schottky layer 118, a cap layer 120 covering the Schottky layer, and a Schottky electrode having two stage structure of a lower structure 152 penetrating the cap layer to reach the Schottky layer and an upper structure 154 having a larger cross-section than the lower structure and riding over the cap layer.例文帳に追加

この半導体装置は，ショットキ層１１８と，ショットキ層を覆うキャップ層１２０と，キャップ層を貫通しショットキ層に到達する下部構造１５２と，下部構造よりも拡大した断面を有しキャップ層上に乗り上げる上部構造１５４との２段構造を有するショットキ電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The substrate and the topside of the trench are planarized, and a Schottky metal layer 1 is jointed with them.例文帳に追加

基板及びトレンチ上面を平坦化てショッキー金属層１を接合させる。 - 特許庁

The first part 19a is connected to the first region 13a of the semiconductor region 13 through Schottky connection.例文帳に追加

第１の部分１９ａは、半導体領域１３の第１の領域１３ａにショットキ接合を成す。 - 特許庁

An SBD (Schottky barrier diode) chip 3 is fixed on the die pad 17 via an anisotropic conductive film 21.例文帳に追加

ダイパッド１７上に異方性導電膜２１を介してＳＢＤチップ３が固着されている。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor element in which a PN junction and a Schottky junction are arranged adjacently.例文帳に追加

ＰＮ接合とショットキ接合とが隣接した、信頼性の高い半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky electrode for a gallium oxide single crystal substrate which has a superior Schottky property for the gallium oxide single crystal substrate and is obtained in an easy method.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板とのショットキー性に優れると共に簡便な方法で得ることができる酸化ガリウム単結晶基板用ショットキー電極を提供する。 - 特許庁

A diode (Schottky diode) D1 is composed of the gate electrode 25 which is a Schottky electrode and a source electrode 26 which is an ohmic electrode.例文帳に追加

また、ショットキー電極であるゲート電極２５とオーミック電極であるソース電極２６とでダイオード（ショットキーダイオード）Ｄ１が構成される。 - 特許庁

Tunneling state density by the quantum-mechanical tunneling effect through a Schottky barrier potential of the Schottky source/drain MOSFET is calculated.例文帳に追加

ショットキー・ソース／ドレインＭＯＳＦＥＴのショットキー障壁ポテンシャルの、量子力学的トンネル効果によるトンネル状態密度を計算する。 - 特許庁

A Schottky diode 22 includes a silicon-containing semiconductor layer 23 and an electrode 28 of Al-Si, where the semiconductor layer 23 and the electrode 28 are joined together to form a Schottky junction.例文帳に追加

ショットキーダイオード２２は、シリコンを含む半導体材料から成る半導体層２３と、Ａｌ−Ｓｉから成る電極２８とを含み、半導体層２３と電極２８とがショットキー接合している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which facilitates an integrating diode having negative resistance and a Schottky diode having a Schottky characteristic on the same substrate, a manufacturing method therefor and a millimeter wave band communication apparatus.例文帳に追加

負性抵抗を有するダイオードとショットキー特性を有するショットキーダイオードとを同一基板上に容易に集積できる半導体装置およびその製造方法およびミリ波帯通信装置を提供する。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 1, a guard ring 13 contacting a Schottky metal 9 of the anode electrode 7 is formed in a surface portion of the SiC epitaxial layer 4.例文帳に追加

このショットキーバリアダイオード１において、ＳｉＣエピタキシャル層４の表層部に、アノード電極７のショットキーメタル９に接するガードリング１３を形成する。 - 特許庁

The electrode part 7 is connected to the Schottky electrode 5, extends in contact with the insulation layer 4, and is formed of a material different from the material constituting the Schottky electrode 5.例文帳に追加

電極部分７は、ショットキー電極５と接続され、絶縁層４上に接触して延在するとともにショットキー電極５を構成する材料と異なる材料により構成される。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode wherein the peeling of a metal layer which covers an oxide film in contact is suppressed even when platinum is used as a Schottky barrier metal.例文帳に追加

ショットキーバリア金属として白金を用いた場合でも、酸化膜に接触して覆う金属層の剥がれを抑制することのできるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A Schottky electrode 53 is formed in an exposure range on a top surface side including side surfaces 6 of the grooves 2 to form a Schottky junction J2 with the n-type semiconductor region 30.例文帳に追加

ショットキー電極５３は、溝２の側面６を含む表面側の露出範囲に形成されてn型半導体領域３０にショットキー接合Ｊ２している。 - 特許庁

To provide a Schottky junction element having desired characteristics while reducing the cost when the Schottky junction element is formed by laminating a metal oxide film and a conductive polymer film.例文帳に追加

金属酸化物膜と導電性高分子膜を積層してショットキー接合素子を形成する際に、従来よりもコストを抑え、且つ、所望の特性を有するショットキー接合素子を提供する。 - 特許庁

There are also provided: a silicon carbide Schottky diode including a silicon carbide junction barrier region disposed within a drift region of the diode; and a method for manufacturing the silicon carbide Schottky diode.例文帳に追加

ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法も提供される。 - 特許庁

To constitute a Schottky barrier diode element which allows high-speed operation with lower forward voltage by allowing a Schottky contact surface to be partially low impurity concentration.例文帳に追加

ショットキー接触面を部分的に低不純物濃度にすることにより、高速動作が可能で順方向電圧ＶＦが小さいＳＢＤ素子を構成する。 - 特許庁

This Schottky-barrier diode 1 is provided with: a GaN epitaxial layer 3 formed on a GaN self-standing substrate 2; a Schottky electrode 5, an insulation layer 4, and an electrode part 7.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、ＧａＮ自立基板２上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ショットキー電極５と、絶縁層４と、電極部分７とを備える。 - 特許庁

In the pulse modulator for a nonradiative dielectric line, a metallic member 8 having a face opposed to a Schottky barrier diode 7 is arranged closely on the side opposite to a mode suppressor 1b of the Schottky barrier diode 7.例文帳に追加

非放射性誘電体線路用のパルス変調器において、ショットキーバリアダイオード７のモードサプレッサ１ｂと反対側に、ショットキーバリアダイオード７に対向する面を有する金属部材８が近接配置されている。 - 特許庁

To provide a Schottky diode which is improved in electrical properties by forming a clean Schottky interface where irregularities at atomic level are not present and no crystal defect and no contaminant reside.例文帳に追加

ショットキーダイオードにおいて、原子レベルで凹凸がなく、結晶欠陥や汚染物を挟まない清浄なショットキー界面を形成することによって、電気特性を向上させること。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 7 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層７が形成されている。 - 特許庁

A metal layer 14 for Schottky barrier is formed on the surface of the epitaxial layer 3 and a P type diffusion layer 9 is formed under the end 20 of the metal layer 14 for Schottky barrier.例文帳に追加

エピタキシャル層３表面にはショットキーバリア用金属層１４が形成され、ショットキーバリア用金属層１４の端部２０の下方にはＰ型の拡散層９が形成されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of preventing an increase in resistor in a forward direction and preventing deterioration in VF characteristics due to reduction of a Schottky contact region.例文帳に追加

順方向の場合の抵抗が増加するのを抑制し、ショットキー接合領域の低減によるＶＦ特性劣化を防止するショットキーダイオードを提供する。 - 特許庁

To contrive to set optimal conditions considering a barrier height of a Schottky metal and practice a device in a vertical-type MOS field-effect transistor comprising a Schottky junction on its reverse face.例文帳に追加

裏面にショットキー接合を備えた縦型ＭＯＳ電界効果トランジスターにおいて、ショットキー金属のバリア高さを考慮した最適条件の設定と、デバイスの実用化を図る。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a Schottky barrier diode, with which a leakage current when applying a reverse voltage can be reduced, and a Schottky barrier diode.例文帳に追加

逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することができるショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide the device structure of a p-n junction guard-type Schottky diode, in which the interval between the guard ring and a Schottky barrier can be controlled accurately, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ガード・リングとショットキー・バリヤとの間隔を正確に制御することができるｐ‐ｎ接合ガード型ショットキー・ダイオードのデバイス構造およびそれを製造するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light-receiving element which has light-receiving sensitivity superior to that of a conventional Schottky diode type light-receiving element and also has sufficiently-strengthened junction of a Schottky electrode.例文帳に追加

従来のショットキーダイオード式の受光素子よりも受光感度が優れており、かつショットキー電極の接合が十分に強化された受光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that forms a Schottky gate electrode on a group III nitride semiconductor layer and is intended to reduce a gate leak current of the Schottky gate electrode.例文帳に追加

III族窒化物半導体層上にショットキゲート電極を形成するとともに，ショットキゲート電極のゲートリーク電流の低減が図られた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that a Schottky barrier diode deteriorates in diode characteristics and so on owing to mechanical damage due to a load and ultrasonic vibration when wire bonding to an anode electrode of the Schottky barrier diode is carried out.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードのアノード電極にワイヤボンディングする時の荷重と超音波振動による機械的ダメージにより、ダイオード特性が劣化するなどの問題が発生していた - 特許庁

To provide a Schottky barrier semiconductor device, which can be increased in dielectric strength by eliminating electric field concentration at an end edge of a stacked semiconductor layer forming a Schottky junction, and its manufacture.例文帳に追加

ショットキー接合を形成する積み上げ半導体層の端縁における電界集中を解消して高耐圧化を実現できるショットキーバリア半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a process for producing a Schottky junction semiconductor device, adapted to allow controlling the height of a Schottky barrier to a desired value to minimize electric power loss, without causing n factor to increase.例文帳に追加

ｎ因子を増加させることなくショットキー障壁の高さを電力損失が小さくなる所望の値に制御可能なショットキー接合型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode and its manufacturing method whereby a metal layer and a low-resistance epitaxial layer form a Schottky junction, thereby improving the backward current characteristic, without degrading the forward voltage characteristic.例文帳に追加

金属層と低抵抗エピタキシャル層とでショットキ接合を形成することにより、順方向電圧特性を低下させることなく、逆方向電流特性を向上させたショットキバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor luminescent element, a ZnO layer 6 for Schottky is laminated on a ZnO layer 7, and a ZnO layer 5 for contact is formed on the ZnO layer 6 for Schottky while leaving a portion of the ZnO layer 6 as it is.例文帳に追加

ＺｎＯ層７上に、ショットキー用ＺｎＯ層６が積層され、ショットキー用ＺｎＯ層６の一部を残して、コンタクト用ＺｎＯ層５が形成されている。 - 特許庁

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode which can make compatible the reduction of a leakage current and the increase of an on-current while avoiding the reduction of a breakdown voltage of the junction barrier Schottky diode.例文帳に追加

ジャンクションバリアショットキーダイオードの耐圧を低下させることなく、リーク電流の低減とオン電流の増大を両立したダイオードを提供する。 - 特許庁

When a Schottky diode is equipped with an electrode which is formed by processing an Al-Si thin film that is formed under conditions where a magnetic field is controlled as mentioned above, the Schottky diode can be restrained from varying in electrical properties within the surface of the work 8.例文帳に追加

このように磁場が制御された状況下で成膜されたＡｌ−Ｓｉ薄膜を加工して得られる電極をショットキーダイオードが有する場合、ショットキーダイオードの電気的特性の面内ばらつきが押えられる。 - 特許庁

Preferably in the Schottky barrier diode 10, peak concentration of carbon in the interface between the GaN layer 3 and the Schottky electrode 4 is ≥1×10^19 cm^-3.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１０において好ましくは、ＧａＮ層３とショットキー電極４との界面の炭素のピーク濃度は、１×１０^19ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

This Schottky barrier diode 10 includes a substrate, a GaN layer 3 formed on the substrate, and a Schottky electrode 4 formed in contact with a surface of the GaN layer 3.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１０は、基板と、基板上に形成されたＧａＮ層３と、ＧａＮ層３上に接して形成されたショットキー電極４とを備えている。 - 特許庁

A Schottky electrode 3 comes into Schottky contact with an n^- semiconductor layer 2 formed of SiC, and is electrically connected to p-type semiconductor layers 5a, 5b formed of SiC.例文帳に追加

ショットキー電極３は、ＳｉＣよりなるｎ^-半導体層２とショットキー接触し、かつＳｉＣよりなるｐ型半導体層５ａ，５ｂと電気的に接続している。 - 特許庁

The third nitride-semiconductor layer 124 has a p-type impurity and is formed in between the first ohmic electrode 131 and the Schottky electrode 132, as well as, selectively formed so as to be in contact with the Schottky electrode 132.例文帳に追加

第３の窒化物半導体層１４１は、ｐ型の不純物を含み第１のオーミック電極１３１とショットキー電極１３２との間に形成され且つショットキー電極１３２と接するように選択的に形成されている。 - 特許庁

Unevenness is formed on the surface of the second semiconductor layer 4, and the Schottky metal layer 5 comes into Schottky-contact with both recessed and projected sections of the unevenness formed in the second semiconductor layer 4.例文帳に追加

第２の半導体層４の表面に凹凸が形成されており、ショットキー金属層５が第２の半導体層４内に形成された凹凸の凹部および凸部との双方にショットキー接触している。 - 特許庁

A Schottky conductive portion 15a never raises the on resistance by forming a Schottky junction 21 in the second area 13c of the group III nitride semiconductor drift region 13 in the opening 19.例文帳に追加

ショットキ導電部１５ａは、開口１９においてIII族窒化物半導体ドリフト領域１３の第２のエリア１３ｃにショットキ接合２１を成すことにより、オン抵抗を高くすることがない。 - 特許庁

By this invention, by forming the Schottky junction of the nitride semiconductor layer and the GZO layer 22, the leakage current of the reverse current of the Schottky junction is suppressed and the ideal coefficient of a forward current is brought close to 1.例文帳に追加

本発明によれば、窒化物半導体層とＧＺＯ層２２とのショットキ接合を形成することにより、ショットキ接合の逆方向電流のリーク電流を抑制し、順方向電流の理想係数を１に近づけることができる。 - 特許庁

The Schottky metal 5 and the insulating film 4 are formed on a guard ring 3 formed of a reverse conductivity diffusion layer, and a certain conductivity epitaxial layer 2 through a means such as evaporation or sputtering without bringing the Schottky metal 5 into contact with the insulating film 4.例文帳に追加

ショットキメタル５を絶縁被膜４に接触させることなく、蒸着，スパッタリング等の手段で逆導電型拡散層からなるガードリング３と一導電型エピタキシャル層２上に形成している。 - 特許庁