「schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The potential difference between the Schottky electrode 3 and a cathode electrode 4 varies, and thereby a condition where current is carried between the Schottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a condition where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is formed into a depletion layer to cut a current path between the Schottky electrode 3 and the cathode electrode 4 can be selected.例文帳に追加

ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

The field-effect transistor includes: a semiconductor layer 5; a source electrode 1 that is in ohmic contact with the semiconductor layer 5; a drain electrode 2 that is in ohmic contact with the semiconductor layer 5; a gate electrode 3 that is in Schottky contact with the semiconductor layer 5; and a Schottky electrode 4 that is provided in a gap formed in a portion of the source electrode 1 and is in Schottky contact with the semiconductor layer 5.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、半導体層５と、半導体層５とオーミック接合したソース電極１と、半導体層５とオーミック接合したドレイン電極２と、半導体層５とショットキ接合したゲート電極３と、ソース電極１の一部に形成された空隙に設けられた、半導体層５とショットキ接合したショットキ電極４と、を有する。 - 特許庁

In the Schottky diodes, the semiconductor area forming a Schottky interface is formed in the same process in which an N well area forming the channel region of a PMOS transistor or a P well area forming the channel region of an NMOS transistor is formed, and the metal area forming the Schottky interface is formed in the same process in which a silicide area forming the contact area of a MOS transistor is formed.例文帳に追加

ショットキーダイオードは、ショットキー界面を構成する半導体領域が、ＰＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＮウェル領域、または、ＮＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＰウェル領域と同一の過程で形成し、ショットキー界面を構成する金属領域はＭＯＳトランジスタのコンタクト領域を構成するシリサイド領域と同一の過程で形成する。 - 特許庁

The rectifier element 10 can select a state where the difference in potential between the Schottky electrodes 3, 5 and the cathode electrode 4 changes, thereby applying a current between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 between the Schottky electrode 5 and the cathode electrode 4 is made into a depletion layer to disconnect a current path.例文帳に追加

ショットキー電極５およびショットキー電極３と、カソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極５とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ショットキー電極５とカソード電極４との間に存在するｎ^-半導体層２を空乏層化することによって電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

This system is equipped with a cellular phone 1, a Schottky diode 2 which receives electromagnetic waves emitted from the cellular phone 1 and converts them into currents and also rectify the currents, and a first charging means (for example, nickel hydrogen battery 3) which is electrically connected with a Schottky diode 2 and accumulates electricity, based on the current obtained by the Schottky diode 2.例文帳に追加

携帯電話機１と、携帯電話機１から発せられる電磁波を受信して電流に変換するとともに、その電流の整流を行うショットキーダイオード２と、ショットキーダイオード２と電気的に接続され、ショットキーダイオード２によって得られる電流に基づき蓄電する第１の蓄電手段（例えばニッケル水素バッテリー３）と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

Ohmic electrodes 111, 112 and 113 are formed on the surfaces of the anode-electrode side heavily-doped, cathode-electrode side heavily- doped, and Schottky-electrode side heavily-doped semiconductor layers 105, 110 and 102, respectively, and at the same time, a Schottky electrode 115 is formed on the surface of the Schottky-electrode side lightly-doped semiconductor layer 103.例文帳に追加

アノード電極側高濃度半導体層１０５の表面およびカソード電極側高濃度半導体層１１０の表面、並びにオーミック電極側高濃度半導体層１０２の表面にそれぞれオーミック電極１１１，１１２，１１３を形成するとともに、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３の表面にショットキー電極１１５を形成する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode 20 is formed, which has an N-silicon region 21 in a region neighboring a vertical P-channel power MOSFET and demarcated by an insulating layer, a Schottky electrode 23 Schottky-connected with the N-silicon region 21, an N+silicon region 22 formed in the surface layer part of the N-silicon region 21, and a diode electrode 24 electrically connected with the N+silicon region 22.例文帳に追加

縦型ＰチャネルパワーＭＯＳＦＥＴに隣接し、絶縁層により区画された領域にＮ−シリコン領域２１と、Ｎ−シリコン領域２１とショットキー接続されるショットキー電極２３と、Ｎ−シリコン領域２１の表層部に形成されたＮ＋シリコン領域２２と、Ｎ＋シリコン領域２２と電気的に接続されたダイオード電極２４と、を有するショットキーバリアダイオード２０を形成する。 - 特許庁

Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure.例文帳に追加

従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。 - 特許庁

The new 200 kV TEM features a high-brightness Schottky field emission electron gun that produces a probe size of less than 0.15 nm. 例文帳に追加

その新型200kV-TEMは、0.15nmよりも小さなプローブサイズを生み出す高輝度のショットキー電界放出型電子銃を特徴とする。 - 科学技術論文動詞集

A Schottky FEG uses a thin layer of ZrO that covers the W tip to decrease the work function. 例文帳に追加

ショットキーFEGは、仕事関数を低下させるために、タングステンチップを覆う酸化ジルコニウムの薄膜層を利用する。 - 科学技術論文動詞集

HREM, electron holography, Lorentz microscopy and STEM can function satisfactory with a Schottky emitter. 例文帳に追加

HREM、電子線ホログラフィー、ローレンツ顕微鏡法およびSTEMは、ショットキー・エミッタによって満足に機能する。 - 科学技術論文動詞集

The obtained tunnel diode has a sharper rise of sensitivity than conventional Zener diode or Schottky diode.例文帳に追加

得られたトンネルダイオードは通常のツェナーダイオードやショットキーダイオードより立ち上がりが急峻である。 - 特許庁

The semiconductor device includes the schottky device and a trench-type semiconductor switching device such as the MOSFET formed in the common mold.例文帳に追加

半導体装置は共通ダイに形成されたショットキー装置及びＭＯＳＦＥＴのようなトレンチ型半導体スイッチング装置を含む - 特許庁

For this gate electrodes 7, metal is used which reacts on the semiconductor layer 3 and has Schottky junction with the conductive semiconductor layer 3.例文帳に追加

このゲート電極７は、前述の半導体層３と反応すると共に、導電性半導体層３とショットキー接合をする金属が用いられる。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 41, a gallium nitride epitaxial layer 45 is formed on a group III nitride substrate 45 having a conductivity.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード４１では、窒化ガリウム系エピタキシャル層４５は、導電性を有するIII族窒化物基板４５上に設けられている。 - 特許庁

The present device includes a plurality of mesa regions in which Schottky contact metal layers 310 are formed on mesas.例文帳に追加

本デバイスは複数のメサ領域を含み、これらのメサの上にショットキー接触金属層３１０が形成される。 - 特許庁

To form an ohmic electrode or Schottky electrode without characteristic deterioration on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

シリコンカーバイド基板に、特性劣化のないオーミック電極あるいはショットキー電極を形成する。 - 特許庁

A Schottky diode formed by the Shottky electrode 60 and the semiconductor region 5 functions as a feedback or regenerative or protective diode.例文帳に追加

ショットキー電極６０と半導体領域５とで形成されたショットキーダイオードは、帰還又は回生又は保護ダイオードとして機能する。 - 特許庁

A parasitic diode of MOSFET and Schottky barrier diodes are set in reverse to the forward direction.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードとショットキーバリアダイオードは、それぞれの順方向が反対向きに設定されている。 - 特許庁

A Schottky diode 23 prevents saturation with an output voltage Vo and suppresses phase variation small.例文帳に追加

ショットキーダイオード２３は、出力電圧Ｖｏの飽和を防止するとともに、位相変動を小さく抑える。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus including a Schottky barrier diode obtaining high voltage resistance and using a nitride semiconductor.例文帳に追加

高耐圧を得ることのできる窒化物半導体を用いたショットキーバリアダイオードを含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

The switching element can be various elements including a Zener diode, a Schottky barrier diode, or an MIM.例文帳に追加

スイッチング素子は、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオード、または、ＭＩＭを含む様々な素子であることが可能である。 - 特許庁

The Schottky electrode 15 is made of palladium copper, a kind of copper alloy, whose copper content is 5% in weight.例文帳に追加

ここで、ショットキー電極１５はパラジウム銅という銅合金であって、銅の重量含有率は５％である。 - 特許庁

Schottky junctions are formed between the second main electrode and the first semiconductor layer on the side surfaces of the second trench.例文帳に追加

第２のトレンチの側壁において、第２の主電極と、第１の半導体層と、によるショットキー接合が形成されている。 - 特許庁

The insulation layer 4 is formed to adjoin the Schottky electrode 5 on the surface of the GaN epitaxial layer 3.例文帳に追加

絶縁層４は、ＧａＮエピタキシャル層３の表面上において、ショットキー電極５に隣接するように形成される。 - 特許庁

A silicon nitride (SixNy) thin film is provided between a semiconductor substrate and the schottky electrode.例文帳に追加

半導体基板とショットキー電極との間に窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）薄膜が設けてあることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device is a Schottky diode comprising a semiconductor substrate 11, a semiconductor layer 12, an electrode 51, and regions 21, 22.例文帳に追加

当該半導体装置は、ショットキーダイオードであって、半導体基板１１、半導体層１２、電極５１及び領域２１，２２を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor element using Schottky diodes to remove noise and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ショットキーダイオードを用いたノイズ除去のための半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a Schottky diode is used as the SiC diode and a PN junction diode or PIN diode is used as the Si diode.例文帳に追加

また、ＳｉＣダイオードをショットキー型ダイオード、ＳｉダイオードをＰＮ接合型ダイオードまたはＰＩＮ型ダイオードとする。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes a GaN epitaxial layer 3 formed on the surface 2a of a GaN self-supporting substrate 2.例文帳に追加

このショットキーバリアダイオード１は、ＧａＮ自立基板２の表面２ａ上に形成された、ＧａＮエピタキシャル層３を備える。 - 特許庁

A resistor 52 of the delay circuit is parallel provided with a diode 51 and further provided with a Schottky diode as a diode.例文帳に追加

遅延回路の抵抗器５２に並列にダイオード５１、更にはダイオードとしてショットキーダイオードを具えた。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a Schottky barrier diode, capable of obtaining full margin with respect to current surge endurance.例文帳に追加

電流サージ耐量に対して充分なマージンを得ることが可能なショットキーバリアダイオードを有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The rectification circuit includes a DC cut capacitor, a Schottky barrier diode, and a smoothing capacitor.例文帳に追加

整流回路は、直流遮断用キャパシタと、ショットキーバリアダイオードと、平滑用キャパシタを含んでいる。 - 特許庁

A metal thin film 2 and an SOI layer 3 form a Schottky barrier diode (hereinafter, a diode) 1.例文帳に追加

金属薄膜２とＳＯＩ層３とは、ショットキー・バリア・ダイオード（以下、ダイオード）１を形成している。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, SCHOTTKY BARRIER DIODE, LIGHT-EMITTING DIODE, LASER DIODE AND MANUFACTURING METHOD OF THESE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法、ショットキーバリアダイオード、発光ダイオード、レーザダイオード、およびそれらの製造方法 - 特許庁

An upper portion of the GaN layer 13 is in a projecting mesa section 13a, and a Schottky electrode 15 is formed on the mesa section 13a.例文帳に追加

ＧａＮ層１３の上部は，突出したメサ部１３ａとなっており、メサ部１３ａ上にショットキー電極１５が形成されている。 - 特許庁

To provide nitride-based semiconductor devices, such as Schottky diodes, having a layer formed to allow re-creating very low and uniform doping.例文帳に追加

極めて低く、且つ均一にドープすることを再現可能にした層を有するショットキーダイオードのような窒化物基半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To realize a Schottky diode of high breakdown voltage which uses a nitride semiconductor without passing through a complicated process such as ion implantation.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた高耐圧のショットキーダイオードをイオン注入等の煩雑な工程を経ることなく実現できるようにする。 - 特許庁

The second electrode 10 is also used as a thin-film part 11-side electrode of the Schottky diode.例文帳に追加

第２の電極１０はショットキーダイオードの半導体薄膜部１１側の電極としても用いられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a field effect transistor which has a low Schottky barrier between source/drain electrodes and a semiconductor layer.例文帳に追加

ソース／ドレイン電極と半導体層とのショットキーバリアが低い電界効果トランジスタを具備する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A source electrode 17 and a Schottky gate electrode 19 are provided on the main surface 15a of the gallium nitride semiconductor region 15.例文帳に追加

ソース電極１７およびショットキゲート電極１９は、窒化ガリウム系半導体領域１５の主面１５ａ上に設けられている。 - 特許庁

On the second semiconductor layer 4, a Schottky electrode 6 and an ohmic electrode 7 are formed, with a space separating them.例文帳に追加

第２の半導体層４の上には、ショットキー電極６とオーミック電極７とが間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

The lower electrode 6 has the silicon system substrate 2 and the Schottky junction, and is composed of metal or metal alloy having the large work function.例文帳に追加

下部電極６は、シリコン系基板２とショットキー接合を有し、仕事関数の大きい金属または合金から構成されている。 - 特許庁

The third electrode penetrates the second electrode, electrically connected to the second electrode, and forms a Schottky contact to the second semiconductor layer.例文帳に追加

第３電極は、第２電極を貫通し、第２電極に電気的に接続され、第２半導体層に対してショットキー接触を形成する。 - 特許庁