「schottky」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a silicon carbide wafer, can significantly enhance the reverse breakdown voltage, when it is applied to a Schottky barrier diode (SBD).例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）に適用場合に、逆方向耐圧を大幅に向上させた炭化珪素ウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having satisfactory Schottky characteristics by suppressing the generation of reverse currents in a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子における逆方向電流の発生を抑制して、良好なショットキ特性を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky diode wherein a means for forming a depletion layer can be formed in a desired shape and at a desired position.例文帳に追加

空乏層を形成するため手段を所望の形状及び位置に形成することが可能な構造をしたショットキーダイオードを提供すること。 - 特許庁

To improve resistance to electric current in reverse mode while reducing the forward voltage drop of a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの順方向電圧降下を最低限に抑えながら、逆方向電流耐性を高める。 - 特許庁

To realize a high performance Schottky barrier diode improved to avoid parasitic capacitance increase and lowering reverse breakdown voltage drop.例文帳に追加

寄生容量の増加の防止と逆方向耐圧の低下の防止を図った高性能なショットキーバリアダイオードを実現する。 - 特許庁

After the Schottky electrode is formed, a semiconductor layer surface is coated with an insulating film and a heat treatment for forming a solid-phase reaction layer is carried out.例文帳に追加

ショットキー電極を形成した後、半導体層表面を絶縁膜で被覆し、固相反応層を形成する熱処理を行う。 - 特許庁

This discloses a thin-film transistor, equipped with a sub gate and a Schottky source/drain, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明はサブゲート及びショットキーソース／ドレインを備えた薄膜トランジスタ並びにその製造方法を開示する。 - 特許庁

Thus, it is possible to arbitrarily control one-dimensional channel width and electron concentration by a voltage applied to the back gate and the split Schottky electrode.例文帳に追加

バックゲートとスプリットショットキー電極に加える電圧により一次元チャネル幅も電子濃度も任意に制御できる。 - 特許庁

To reduce on-resistance at forward bias while improving breakdown strength by reducing an electric field on a Schottky junction.例文帳に追加

ショットキー接合面での電界を緩和して耐圧を向上させつつ、順バイアス時のオン抵抗を下げることができる。 - 特許庁

The barrier layers 24 can be formed by using AlGaN, etc., which forms a Schottky junction with the p-electrode 26.例文帳に追加

電流障壁層２４は、ｐ電極２６とショットキ接合するＡｌＧａＮ等によって形成することができる。 - 特許庁

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light.例文帳に追加

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。 - 特許庁

At least either of a Schottky electrode and an ohmic electrode is of three-layered structure composed of a Ti layer, an Ni layer, and an Au layer which are successivey laminated from an SiC side.例文帳に追加

ショットキー電極とオーミック電極のうちの少なくとも一方を、ＳｉＣ側からＴｉ／Ｎｉ／Ａｕなる三層構造とする。 - 特許庁

A function equivalent to the Schottky diode is achieved with the use of the current control circuit (3) and the semiconductor switching element (2).例文帳に追加

電流制御回路（３）と半導体スイッチング素子（２）によって、ショットキ・ダイオードと等価な機能を実現する。 - 特許庁

To provide a schottky diode of a semiconductor device having a high reverse-breakdown voltage, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高い逆方向降伏電圧特性を持つ半導体素子のショットキーダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce on-resistance of a field-effect transistor and to suppress leakage current in a Schottky barrier diode.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ部のオン抵抗を下げ、かつショットキーバリアダイオード部のリーク電流を抑制する。 - 特許庁

A first electrode layer 17 forms Schottky junctions in the first region 15a and the third region 15c.例文帳に追加

第１の電極層１７は第１の領域１５ａおよび第３の領域１５ｃにショットキ接合を成す。 - 特許庁

The gate electrodes 7 are Schottky bonded to the channel layer 1 and have a field plate in a specified form of an appentice.例文帳に追加

ゲート電極７は、チャネル層１とショットキ接合し、所定の庇状のフィールドプレート部を有する。 - 特許庁

To provide a Schottky-barrier type ZnO-based semiconductor device having a further reduced leakage current and improved electrical characteristics.例文帳に追加

リーク電流をより小さくし、かつ、電気的特性を改善したショットキーバリア型のＺｎO系半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky junction type charge coupled device which has an inter-gate gap, and its manufacture.例文帳に追加

ゲート間ギャップの小さいショットキー接合型の電荷結合素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier GaN-based semiconductor light-receiving element, in which the surface leakage current is suppressed, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

表面リーク電流が抑制されたショットキー障壁型のＧａＮ系半導体受光素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enhance a soft recovery characteristic by reducing the possibility of generation of a defect in a Schottky junction interface.例文帳に追加

ショットキー接合界面に欠陥が生じてしまうおそれを低減し、ソフトリカバリー特性を向上させる。 - 特許庁

The surface is subjected to a hydrogen terminal treatment and is thermally treated at a 700 to 800°C, and then a Schottky electrode is formed immediately after it.例文帳に追加

表面を水素終端処理し、温度７００〜８００℃の熱処理後直ちにショットキー電極を形成する - 特許庁

To provide a method of manufacturing silicon carbide Schottky barrier diodes having uniform characteristics by reducing variations in their forward characteristics.例文帳に追加

順方向特性のばらつきを低減し、特性の揃った炭化珪素ショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which can reduce leak current, while restraining rise of ON-resistance.例文帳に追加

オン抵抗の上昇を抑える共に、リーク電流を低減することが可能なショットキバリアダイオードの提供。 - 特許庁

To provide an SiC Schottky diode, where a forward on voltage is low, and a reverse leakage current is small and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

順方向のオン電圧が小さく、逆漏れ電流の小さいＳｉＣショットキーダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a high breakdown voltage in a Schottky junction type field effect transistor.例文帳に追加

ショットキー接合型電界効果型トランジスタにおいて、高耐圧特性を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode using a group III nitride semiconductor which has a low on resistance and a high withstanding voltage.例文帳に追加

低オン抵抗・高耐圧を有しIII族窒化物半導体を用いるショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a switching control device, along with Schottky diode, which can operate at a high temperature and has a high voltage resistance.例文帳に追加

高温動作が可能で、かつ、高耐圧を達成するスイッチング制御装置及びショットキーダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode, whose breakdown voltage does not decrease by reducing the thickness of an epitaxial layer, to thereby reduce the forward bias voltage.例文帳に追加

エピタキシャル層の厚みを薄くして順方向電圧を低くし、耐圧も低下することがないショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode whose parasitic current is small as compared with its output current and which has good characteristics.例文帳に追加

出力電流に対して寄生電流が低く、特性の良いショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

An SBD (Schottky Barrier Diode) 1 includes a SiC substrate 10 and an n-SiC layer 20 formed on one main surface 10A of the SiC substrate 10.例文帳に追加

ＳＢＤ１は、ＳｉＣ基板１０と、ＳｉＣ基板１０の一方の主面１０Ａ上に形成されたｎ−ＳｉＣ層２０とを備えている。 - 特許庁

A cathode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a cathode of the first PN junction diode 11a.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード２１のカソードは、第１のＰＮ接合ダイオード１１ａのカソードに接続されている。 - 特許庁

An electromagnetic wave detecting device comprises a Schottky barrier diode 111, 112 and an antenna which are provided on a substrate 11.例文帳に追加

電磁波検出素子は、基板１１に設けられたショットキーバリアダイオード１１１、１１２とアンテナとを含む。 - 特許庁

A first Schottky barrier diode 21 as an unipolar device is connected in parallel to a first PN junction diode 11a as a bipolar device.例文帳に追加

バイポーラデバイスであるＰＮ接合ダイオード１１ａに、ユニポーラデバイスであるショットキーバリアダイオード２１が並列に接続されている。 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for semiconductor device capable of realizing a semiconductor device having high reliability in reverse characteristics of Schottky junction.例文帳に追加

ショットキー接合の逆方向特性についての信頼性が高い半導体素子を実現可能な、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

An SBD metal electrode 30 provided between a drain electrode 26 and a gate electrode 28 is Schottky-joined to an AlGaN layer 20.例文帳に追加

ドレイン電極２６とゲート電極２８との間に設けられたＳＢＤ金属電極３０がＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されている。 - 特許庁

A Schottky diode 10 as a semiconductor device includes a substrate 11 made of a semiconductor and an n-type layer 12 formed on the substrate 11.例文帳に追加

半導体装置としてのショットキーダイオード１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２とを備えている。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element capable of suppressing formation of Schottky barriers on interfaces between contact layers and electrodes.例文帳に追加

接触層と電極との界面にショットキー障壁が形成されるのを抑制可能な窒化物系半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

The surface Mo electrode can secure the Schottky junction with the semiconductor substrate even when subjected to the sintering processing at 900°C or higher.例文帳に追加

表面Ｍｏ電極は、９００℃以上のシンター処理を行っても、半導体基板とのショットキー接合を確保できる。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave detecting device capable of reducing an impedance mismatch between a Schottky barrier diode and an antenna.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードとアンテナとのインピーダンスミスマッチを低減することができる電磁波検出素子を提供する。 - 特許庁

To provide inexpensive material which carries a semiconductor layer used for a schottky diode device exhibiting good rectification characteristics.例文帳に追加

良好な整流特性を示すショットキー型ダイオードデバイスに利用可能な、半導体層を担持した安価な材料を提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode is provided between the first conductive element and the second conductive element in a manner electrically connecting these elements to each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードが、第一導電要素と第二導電要素との間に電気的に接続されて設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of preventing reduction in Schottky junction area and is manufactured at low cost with simple processes.例文帳に追加

ショットキー接合部の面積の減少を防ぐことができるとともに、簡便なプロセスで低コストの半導体装置を得る。 - 特許庁

Meanwhile, for the laminated structure, an MOS structure, a Schottky junction structure, a heterostructure, or their combination can be used.例文帳に追加

なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Schottky diode which allows a desired reverse breakdown voltage to be easily obtained.例文帳に追加

所望の逆耐圧を容易に設定できるショットキーダイオードの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁