「second channel interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for determining a transmission parameter of a channel at a multi-channel interface between a plurality of nodes of a transmission system for the channel which serves for communication between the plurality of nodes in response to one of transmission parameters in a first set or serves for communication with a subscriber in response to one of transmission parameters in a second set.例文帳に追加

第１組の伝送パラメータの１つに応じて複数のノード間で通信を行うか又は第２組の伝送パラメータの１つに応じて加入者と通信を行うチャネルに対し、伝送システムの複数のノード間のマルチ・チャネル・インタフェースにてチャネルの伝送パラメータを求める。 - 特許庁

The second channel ype heat sink assembly (28) is joined to the POL (24) only through a soft heat radiation interface material (26) without the need for planarizing, brazing or metallurgical joining.例文帳に追加

第二の流路型ヒート・シンク・アセンブリ（２８）は、平坦化、ろう付け又は冶金的接合の必要なく軟質の放熱界面材料（２６）のみを介してＰＯＬ（２４）に接合される。 - 特許庁

A demand agent 102 of the information retrieval system includes a user interface for enabling a user 101 to specify a search representation, and a query specification interface for enabling the user to specify a channel between a first query and a second query, and provides a search result about a first query attribute as a second query attribute.例文帳に追加

情報検索システムのデマンドエージェント１０２は、ユーザー１０１がサーチ表現を特定することができるユーザーインタフェースと、ユーザーが第１問合せと第２問合せ間のチャンネルを特定することができる問合せ仕様インタフェースとを備え、第１問合せの属性に関するサーチ結果を第２問合せの属性として提供する。 - 特許庁

An external device is connected to a digital broadcast receiving device with a digital interface 10, and first channel image data received, demodulated and decoded by the digital broadcast receiving device and second channel image data received, demodulated and decoded by the external device and then inputted through the digital interface are displayed simultaneously by a display 6 of the digital broadcast receiving device.例文帳に追加

デジタル放送受信装置にデジタルインターフェースで外部機器を接続し、デジタル放送受信装置が受信して復調ならびに復号した第１のチャンネルの映像データと、外部機器で受信して復調ならびに復号し、デジタルインターフェースを介して入力した第２のチャンネルの映像データとをデジタル放送受信装置の表示部に同時に表示させる。 - 特許庁

In a body 3 of the semiconductor device 1, a semiconductor layer 33 and a second semiconductor layer 34 are laminated and a channel region 36 is formed in the side of the semiconductor layer 33 on an interface between the semiconductor layer 33 and the second semiconductor layer 34.例文帳に追加

半導体デバイス１において、本体部３では、半導体層３３と第２の半導体層３４とが積層し、半導体層３３と第２の半導体層３４との間の界面の半導体層３３側にチャネル領域３６が形成される。 - 特許庁

The p-channel MOS transistor groups 11 are arranged to be mutually adjacent and the n-channel MOS transistor groups 12 are arranged to be mutually adjacent in each interface of a first circuit block 1A, a second circuit block 1B, a third circuit block 1C, and a fourth circuit block 1D.例文帳に追加

また、第１の回路ブロック１Ａ、第２の回路ブロック１Ｂ、第３の回路ブロック１Ｃ、第４の回路ブロック１Ｄは、各境界で、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ群１１同士が互いに隣接し、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ群１２同士が互いに隣接するように配置される。 - 特許庁

An output routing network that routes the compressed A/V data to each of the users over a corresponding communication channel via a second interface, and the compression unit is operable to modify a compression rate responsive to current characteristics of the corresponding communication channel for each user to optimize performance of the applications.例文帳に追加

出力ルーティングネットワークは、圧縮されたＡ／Ｖデータを、第２のインターフェイスを経、対応する通信チャンネルを経て各ユーザへルーティングし、圧縮ユニットは、各ユーザの前記対応する通信チャンネルの現在特性に応答して、アプリケーションの性能を最適化するように圧縮レートを変更する。 - 特許庁

This information retrieval system is provided with a demand agent, the demand agent is provided with a user interface for enabling a user 101 to specify a search expression and an interface for enabling the user to specify a channel between first and second inquiries, and the search result related to the attribute of the first inquiry is provided as the attribute of the second inquiry.例文帳に追加

本情報検索システムは、デマンドエージェントを備え、デマンドエージェントは、ユーザー１０１がサーチ表現を特定することができるユーザーインタフェースと、ユーザーが第１問合せと第２問合せ間のチャンネルを特定することができるインタフェースとを備え、第１問合せの属性に関するサーチ結果を第２問合せの属性として提供する。 - 特許庁

An authentication key exchange processing part establishes a secure channel by performing authentication key exchange processing with a host device via an interface part through the use of the medica device key, a media device key certificate, and the second controller identification information.例文帳に追加

認証鍵交換処理部は、メディアデバイス鍵、メディアデバイス鍵証明書、及び第２コントローラ識別情報とを用いて、インタフェース部を介してホスト装置と認証鍵交換処理を行い、セキュアチャネルを確立する。 - 特許庁

Mating edges of the first housing 120 and the second housing are configured to be coupled together and may be provided with one or more crushed ribs fitted at an elongated channel 128/elongated shoulder interface.例文帳に追加

第一のハウジング１２０及び第二のハウジングの嵌（かん）合縁部は互いに結合するように構成されており、細長いチャンネル１２８／細長い肩部の境界に設けられた１個以上の押潰（つぶ）されたリブを備えていてもよい。 - 特許庁

Since the interface between the first and second layers 10 and 11 has a very small uneven surface, that is, a smooth surface, carriers moving through the channel region are not subjected to surface scanning and thus the transistor has a high carrier mobility.例文帳に追加

第１の炭化珪素半導体層１０と第２の炭化珪素半導体層１１との界面の凹凸は非常に小さく平滑なため、チャネル領域を走行するキャリア担体が表面散乱されることなく高い移動度を持つ。 - 特許庁

An information processing apparatus capable of communication with peripheral devices through a communication interface includes: first communication means for performing data communication using the communication interface through a single communication channel; second communication means for performing data communication using the communication interface through a plurality of communication channels; and selection means for selecting any one of the first communication means and the second communication means depending on the content of data communication performed with the peripheral devices.例文帳に追加

通信インターフェースを介して周辺装置と通信可能な情報処理装置であって、前記通信インターフェースを使用したデータ通信を単一の通信チャネルを介して行う第１の通信手段と、前記通信インターフェースを使用したデータ通信を複数の通信チャネルを介して行う第２の通信手段と、前記周辺装置と行うデータ通信の内容に応じて前記第１の通信手段または前記第２の通信手段のいずれかを選択する選択手段とを有する。 - 特許庁

The interface section 12 writes volume data to the volume register 14L or 14R corresponding to a channel designated by the volume control data Dcnt in a first mode, and writes the volume data to all the volume registers 14 in a second mode.例文帳に追加

インタフェース部１２は、第１モードにおいて、ボリューム制御データＤｃｎｔによって指示されたチャンネルに対応するボリュームレジスタ１４Ｌまたは１４Ｒに、ボリュームデータを書き込み、第２モードにおいて、すべてのボリュームレジスタ１４にボリュームデータを書き込む。 - 特許庁

A second silicon carbide semiconductor layer 11 having a band gap larger than that of a first silicon carbide semiconductor layer 10 is formed in the first silicon carbide semiconductor layer 10 to form a channel region in a Schottky gate type field effect transistor on one side of an interface between the first and second semiconductor layers 10 and 11.例文帳に追加

第１の炭化珪素半導体層１０に、それよりもバンドギャップの大きい第２の炭化珪素半導体層１１を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第１の炭化珪素半導体層１０の、第２の炭化珪素半導体層１１との界面側に形成する。 - 特許庁

A control circuit applies a positive hole removing voltage higher than the voltages being applied to the first and second impurity diffusion regions to the gate electrode, and discharges holes trapped in each layer between the gate electrode and the channel region or on the interface of adjacent layers.例文帳に追加

制御回路が、第１と第２の不純物拡散領域のいずれに印加される電圧よりも高い正の正孔排除電圧をゲート電極に印加し、ゲート電極とチャネル領域との間の各層または相互に隣接する層の界面にトラップされている正孔を放出する。 - 特許庁

In the semiconductor device including a first silicon nitride film, having a thickness of 200 to 500 nm formed on a glass substrate; a second silicon nitride film formed on the first silicon nitride film; and an amorphous semiconductor film which is formed on the second silicon nitride film and includes a region which serves as a channel formation region, the configuration includes boron at the interface between the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 - 特許庁

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁