「self- alignment」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A cell structure is realized by (i) providing a side wall control gate on the laminated film of oxide film, nitride film, oxide film (ONO) on both sides of a ward gate, and (ii) forming a control gate and a bit impurity film by self-alignment so that the control gate and the bit impurity film are shared between adjoining memory cells due to high integration.例文帳に追加

セル構造は、（ｉ）ワードゲートの両サイド上の酸化膜−窒化膜−酸化膜（ＯＮＯ）の積層膜上にサイドウォール制御ゲートを配設すること、および（ｉｉ）自己整合によって制御ゲートおよびビット不純膜を形成し、高集積のために隣接するメモリセル間の制御ゲートおよびビット不純膜を共有することによって実現される。 - 特許庁

A foundation pattern 6 consisting of a cyclic rugged pattern is formed between the groove 5 and the optical waveguide 30 on the one surface side of the substrate 1, and an optical coupling device 40 consisting of a refractive index cyclic structural body for optically coupling the optical fiber 20 and the optical waveguide 30 is formed in a self-alignment manner on the pattern 6.例文帳に追加

支持基板１の上記一表面側において位置決め溝５と光導波路３０との間に周期的な凹凸パターンよりなる下地パターン６が形成されており、光ファイバ２０と光導波路３０とを光結合する屈折率周期構造体よりなる光結合デバイス４０が、下地パターン６上に自己整合的に形成されている。 - 特許庁

The connector member 4 of the tool 1 is assembled as follows: a ferrule 43 having self-alignment property is disposed through a spring 42 on a holder 41 provided on the base stand 2; a connection nut 44 is mounted; and slip-out of the ferrule 43 and the connection nut 44 is prevented and a frame 45 with a guide key is screwed with the holder 41.例文帳に追加

治具１のコネクタ部材４は、基台２に設けられたホルダ４１にスプリング４２を介してセルフアラインメント性を有するフェルール４３が配設されるとともに、接続ナット４４が装着され、これらのフェルール４３および接続ナット４４の抜け出しを防止してガイドキー付きフレーム４５がホルダ４１に螺合されて組み立てられる。 - 特許庁

The method for forming the germanide structure within the germanium region on the semiconductor substrate through the self-alignment method includes a step of depositing a metal layer on the substrate and the germanium region, a step of heating the structure to form a metal and a germanium compound, and a step of selectively removing unreacted metals from germanide and the substrate.例文帳に追加

本発明は、半導体基板上のゲルマニウム領域内で、自己整列方法でゲルマニド構造を形成する方法に関するものであり、基板およびゲルマニウム領域にわたって金属層を付着させるステップ、さらに金属およびゲルマニウムの化合物を形成するために構造を加熱するステップ、およびゲルマニドおよび基板から未反応金属を選択的に除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

A lightly doped region Y where both n+-type impurities and p+-type impurities do not exist is made on a gate electrode 14 by providing a predetermined interval between the openings of ion implantation masks, when forming the source/drain diffusion layer 37 in an n MOSFET region and the source/drain region 38 in a p MOSFET region in a self alignment process at the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合的にｎＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３７およびｐＭＯＳＦＥＴ領域のソース／ドレイン拡散層３８を形成する際に、それぞれのイオン注入マスクの開口部間に所定の間隔を設けて、ゲート電極１４上に、ｎ＋型不純物とｐ＋型不純物とがともに存在しない低濃度な領域Ｙを形成する。 - 特許庁