「single layer type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

POSITIVE CHARGE TYPE SINGLE LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR例文帳に追加

正帯電単層型電子写真用感光体 - 特許庁

At the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer, a band gap of the p-type single crystal SiGeC layer is not smaller than the n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面において、ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のバンドギャップは、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層以上である。 - 特許庁

FUNCTIONALITY SINGLE LAYER SPRAYING TYPE SURFACE TREATMENT METHOD例文帳に追加

機能性単層型散布式表面処理工法 - 特許庁

A high-concentration n-type single crystal semiconductor layer 8, an n-type single crystal semiconductor layer 4, a p-type single crystal semiconductor substrate 1 and a high-concentration p-type single crystal semiconductor layer 10 are function as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

高濃度ｎ型の単結晶半導体層８、ｎ型の単結晶半導体層４、ｐ型の単結晶半導体基板１、高濃度ｐ型の単結晶半導体層１０は、光電変換層として機能する。 - 特許庁

INTEGRALLY-MOLDED METALLIC PIPE OF SINGLE-LAYER AND DOUBLE-LAYER PLASTIC BUILT-IN TYPE例文帳に追加

単層および復層プラスチック内蔵式一体成型金属製パイプ - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁

SINGLE-LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS例文帳に追加

単層型電子写真感光体及び画像形成装置 - 特許庁

The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.例文帳に追加

又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 7 is disposed on a n-type semiconductor layer 2 which is a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層であるｎ−型半導体層２の上に、ｐ型の多結晶シリコン層７を設ける。 - 特許庁

In a p-type clad layer 16, a first p-type clad layer 16A comprising a single layer, and a second p-type clad layer 16B comprising a superlattice structure are formed.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。 - 特許庁

On a ZnO single crystal substrate 1, an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10 are sequentially laminated.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶基板１上にｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、及びｐ形コンタクト層１０が順次積層されている。 - 特許庁

The base body 2 is formed of an n-type single crystal silicon layer which is used as a first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

基体２は、第１導電型半導体としてのｎ型単結晶シリコンによって形成されている。 - 特許庁

The photosensitive layer can be a laminate type one comprising a charge generating layer and a charge transport layer or a monolayer type one comprising a single layer.例文帳に追加

感光層は、電荷発生層および電荷輸送層からなる積層型、または、単一層からなる単層型のいずれであってもよい。 - 特許庁

To detect tracking error signals with a high degree of accuracy for various types of optical disks, such as read-only type, WORM (write-once-read-many times) type, rewritable type, or single layer type, and multiple layer type.例文帳に追加

再生専用型、追記型、書き換え型、或いは単層型、多層型等の各種光ディスクに対してトラッキングエラー信号を高品位で検出する。 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE例文帳に追加

単層型電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 8 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にＮ型のエピタキシャル層８が形成されている。 - 特許庁

OPTICAL RETARDATION PLATE COMPENSATION AND SINGLE POLARIZING PLATE REFLECTION TYPE TWO-LAYER LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加

位相差板補償・単偏光板式反射型２層液晶ディスプレイ - 特許庁

The second layer 12 comprises a p-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加

第２層１２はｐ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁

An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。 - 特許庁

The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。 - 特許庁

SINGLE-LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING APPARATUS PROVIDED THEREWITH例文帳に追加

単層型電子写真感光体およびそれを備えた画像形成装置 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR AND IMAGE FORMING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

単層型電子写真感光体、及びそれを使用した画像形成装置 - 特許庁

The first layer 11 comprises an n-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加

第１層１１はｎ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁

A buffer layer 2 and a one-conductivity type semiconductor layer 3 (an ohmic contact layer 3a, a single layer stressed layer or a stressed superlattice layer 3a and a clad layer (electron injected layer) 3c) are sequentially laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２と一導電型半導体層３（オーミックコンタクト層３ａ、単層歪み層または歪み超格子層３ｂ、クラッド層（電子の注入層）３ｃ）する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁

Further, a semiconductor layer 108 of a conductive type reverse to the single conductive type, which forms bonding with single conductive type crystalline semiconductor particles 104, is formed.例文帳に追加

さらに、一導電型の結晶性半導体粒子１０４と接合を形成する一導電型とは逆の導電型の半導体層１０８を形成する。 - 特許庁

An insulating layer 6 is formed on the single crystal silicon layer 3 including the n-type and the p-type impurity regions 3a, 3b.例文帳に追加

Ｎ型およびＰ型不純物領域３ａ，３ｂを含む単結晶シリコン層３の上には絶縁層６が形成される。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

A barrel vault type single layer unit 21 is constructed of frame materials 7 and hubs 8.例文帳に追加

フレーム材７とハブ８とでバレルヴォールト型のシングルレイヤーユニット２１を構築する。 - 特許庁

Apart from hitoe (a single layer of kimono) and awase (lined garment), there is donuki (juban undergarment) tailored type without lining. 例文帳に追加

単衣や袷（あわせ）のほかに、胴裏を省いた胴抜（どうぬき）仕立てがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The light-receiving body 3 is a diffused layer consisting of a p-type single crystal silicon layer, which is used as a second conductivity type semiconductor layer, and is buried in the surface of the base body 2.例文帳に追加

受光体３は、第２導電型半導体としてのｐ型単結晶シリコンからなる拡散層であり、基体２の表面に埋設されている。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51A and an N-type epitaxial silicon layer 51B are laminated, and P-type well area 52C is formed in the N-type epitaxial silicon layer 51B.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板上５０に、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１ＡとＮ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂとを積層し、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂの中にＰ型ウエル領域５２Ｃを設ける。 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

An optical conversion device of one embodiment includes a first conductivity-type substrate (p-type single crystalline silicon substrate 100); a first intermediate layer (i-type semiconductor layer 110 or a dielectric layer 160); and a second conductivity-type semiconductor layer (n-type semiconductor layer 120).例文帳に追加

本発明の一態様の光電変換装置は、第１導電型基板（ｐ型単結晶シリコン基板１００）、第１の中間層（ｉ型半導体層１１０または絶縁層１６０）、及び第２導電型半導体層（ｎ型半導体層１２０）を備える。 - 特許庁

POSITIVE CHARGE TYPE SINGLE-LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, IMAGE FORMING APPARATUS, AND IMAGE FORMING METHOD例文帳に追加

正帯電単層型電子写真感光体、画像形成装置、及び画像形成方法 - 特許庁

CURTAIN COATING DISPERSION AND SINGLE LAYER-TYPE SELF-COLORING PRESSURE SENSITIVE RECORDING PAPER USING THIS DISPERSION例文帳に追加

カーテン塗工用分散液及びそれを用いた単一層型自己発色性感圧記録紙 - 特許庁

The solar battery is provided with a thin non-single crystal silicon semiconductor film 14 containing the I-type semiconductor layer.例文帳に追加

Ｉ型半導体層を含む非単結晶シリコンの半導体薄膜１４を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor photodetector of the single-carrier traveling type, n+type area is formed in the neighborhood of the interface of a p+ type photoabsorption layer and an n-type carrier traveling layer, thereby suppressing the diffusion of p type impurities to the carrier traveling layer from the photoabsorption layer.例文帳に追加

単一キャリア走行型半導体受光装置において、ｐ^+型光吸収層とｎ^-型キャリア走行層との界面近傍に、ｎ^+型領域を形成し、もって光吸収層からキャリア走行層へのｐ型不純物の拡散を抑制する。 - 特許庁

The i-type amorphous silicon film 6 has a two layer structure of an i-layer 61 on the n-type single crystal silicon substrate 1 side and an i-layer 62 on the n-type amorphous silicon film 7 side.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜６は、ｎ型単結晶シリコン基板１側のｉ層６１およびｎ型非晶質シリコン膜７側のｉ層６２からなる２層構造を有する。 - 特許庁

A buried conductive layer 23 is buried in a silicon oxide layer 11 under a base lead-out layer 21 while surrounded by a base layer 15, an emitter layer 17 and a p^+ type single crystal silicon layer 19.例文帳に追加

埋込導電層２３がベース引出層２１下のシリコン酸化層１１に、ベース層１５、エミッタ層１７及びｐ^＋型単結晶シリコン層１９を囲んで埋め込まれている。 - 特許庁

The group-III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a multiple quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron blocking layer 23, and a p-type contact layer 24 laminated successively from the side of the GaN single-crystal substrate 1.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、多重量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁

The single cell for the solid electrolyte type fuel cells has an electrolyte layer 3, sandwiched with an upper electrode layer 4 and a lower electrode layer 5.例文帳に追加

電解質層３を上部電極層４と下部電極層５で挟持した固体電解質型燃料電池用の単セルである。 - 特許庁

A conductive portions 7 contacting with an electrode of the zebra type connector is composed of a single and partial zebra type conductive part which is a single layer of conductive layer or composed of a thin conductive layer and a thin insulation layer.例文帳に追加

該ゼブラ型コネクタの電極に接触する導電部分７が導電層の単一層であるかまたは薄層の導電層と薄層の絶縁層からなる単一の部分的ゼブラ型導電部分からなることを特徴とする。 - 特許庁