「single layer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

An epitaxial base layer 24 comprising a p-type single crystal semiconductor is formed in an island shape on a substrate region 17 of a semiconductor layer 2 surrounded by a shallow trench 3 and a deep trench 6.例文帳に追加

シャロートレンチ３、ディープトレンチ６に囲まれた半導体層２の基板領域１７に、ｐ型の単結晶半導体からなるエピタキシャル・ベース層２４が島状に形成される。 - 特許庁

Hydrogen ions are injected in a layer from the uneven surface of an N-type single-crystal silicon to a depth of 100 nm, then the uneven surface is stuck to an electrode layer 3 on a glass substrate 2.例文帳に追加

Ｎ型単結晶シリコンの凹凸面から１００nmの深さまで水素イオンを層状にイオン注入した後、ガラス基板(2) 上の電極層(3) に前記凹凸面を固着する。 - 特許庁

The innermost layer of the packaging material disposed on the photosensitive material side is formed with a blended resin comprising 50-98 pts.wt. single site type ethylene/α-olefin copolymer resin obtained by polymerization with a single site catalyst and 2-50 pts.wt. non-single site type ethylene resin obtained by the polymerization with a catalyst other than the single site catalyst.例文帳に追加

感光材料用包装材料の感光材料側に配置される最内層が、シングルサイト触媒で重合して得られたシングルサイト系エチレン・α−オレフィン共重合体樹脂５０〜９８重量部と、シングルサイト触媒以外の触媒で重合して得られた非シングルサイト系エチレン樹脂２〜５０重量部とからなるブレンド樹脂で形成されている。 - 特許庁

An intrinsic semiconductor layer is grown on a P-type semiconductor layer 70 and, after a plurality of quantum holes are formed in the intrinsic semiconductor layer, an indium-gallium-nitride(InGaN) is single-crystal grown in the quantum holes to fill the quantum holes with the InGaN, and a quantum hole layer 72 is formed in the layer 70.例文帳に追加

また、Ｐ型半導体層７０上に真性半導体層を成長させ、該真性半導体層に複数のクアンタムホールを形成した後、クアンタムホール内には、インジウムガリウムニトリド（ＩｎＧａＮ）を単結晶成長させて充填し、クアンタムホール層７２を形成する。 - 特許庁

The light-receiving part 3 consists of a P-type single crystal silicon film, and is constituted of a buried layer 13 buried between the substrate 11 and the layer 12, and a diffused layer 14 which is exposed on the surface of the layer 12 and at the same time is formed in such a way as to communicate with the layer 13.例文帳に追加

受光部３はｐ型単結晶シリコンからなり、基板１１とエピタキシャル層１２との間に埋設された埋込層１３と、エピタキシャル層１２の表面に露出するとともに埋込層１３に連通して形成された拡散層１４とから構成されている。 - 特許庁

To provide a positive charge type single layer photoreceptor having high sensitivity, excellent in charge stability and free of occurrence of abnormal images such as a residual image even after repeated use.例文帳に追加

高感度であり且つ帯電安定性に優れ、繰り返し使用しても残像などの異常画像の生じない正帯電型単層感光体を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a split gate type nonvolatile memory cell of source-side implantation system, which can be formed in a single-layer polysilicon process.例文帳に追加

１層ポリシリコンプロセスで形成可能なソースサイド注入方式のスプリットゲート型不揮発性メモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A pair of source/drain region 14 of first conductivity type is formed so that a channel region is specified on the main front surface of the single crystal silicon layer.例文帳に追加

第１導電型の１対のソース／ドレイン領域１４は、単結晶シリコン層の主表面にチャネル領域を規定するように形成されている。 - 特許庁

After subjecting an Si single-crystal substrate to a temperature rise to 270-320°C, an In buffer layer is formed by an electron-beam heating type vacuum deposition method (A region).例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板を２７０〜３２０℃まで昇温させた後、電子ビーム加熱式真空蒸着法によりＩｎ緩衝層を形成する（Ａ領域）。 - 特許庁

In the n-type silicon single crystal region 2, the dispersed resistance layer 7 functioning as a deformation detector is formed at the part of the diaphragm 1.例文帳に追加

ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。 - 特許庁

To provide a projection display-type LCD(liquid crystal display) SOI substrate by a method, where a pixel array is formed on a single crystal silicon without bonding a silicon layer on a glass substrate.例文帳に追加

シリコンの層をガラス基板に接着することなく、単結晶シリコンに画素アレイを形成し投影表示型ＬＣＤ用ＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing a photovoltaic device comprises the steps of forming a substantially true i-type amorphous silicon layer 2a on the surface of an n-type single crystal silicon substrate 1, and thereafter introducing hydrogen into the substantially true i-type amorphous silicon layer 2a.例文帳に追加

この光起電力装置の製造方法は、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面上に実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａを形成する工程と、この後、前記実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａに水素を導入する工程とを備えている。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

A single-crystalline or epitaxial buffer layer 12 comprising Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 is disposed on the surface of a single crystal substrate 10 and a single-crystalline or epitaxial electrically conductive or semiconductive thin film 14 having an ABO3 type perovskite phase structure is formed on the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

単結晶基板１０の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のＰｂ_1-xＬａ_x（Ｚｒ_yＴｉ_1-y）_1-x/4Ｏ_3からなるバッファ層１２を設けた後に、該バッファ層１２の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありＡＢＯ_3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a single layer-type electrophotographic photoreceptor which effectively prevents the occurrence of filming and the occurrence of dark spots due to the filming even if an image is formed under any usage conditions, and also to provide an image-forming device on which such a single layer-type electrophotographic photoreceptor is mounted.例文帳に追加

いずれの使用条件下で画像形成を行った場合であっても、フィルミングの発生及びそれに起因した黒点の発生を効果的に抑制することができる単層型電子写真感光体及びそのような単層型電子写真感光体を搭載した画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body that suppresses the occurrence of transfer memory so that the occurrence of an image defect is suppressed in an image forming apparatus that has a charging portion applying direct voltage by a contact charging method and uses the positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body.例文帳に追加

接触帯電方式により直流電圧を印加する帯電部を備え、正帯電単層型電子写真感光体を用いる画像形成装置において、転写メモリの発生を抑制することにより画像不良の発生を抑制できる正帯電単層型電子写真感光体を提供することを目的とする。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

A maltilayered film is constituted by forming an ethylenic resin layer on the single surface of a biaxially stretched polypropylene film and further forming a non-chlorine type part coat layer on the surface thereof and a packaging bag is produced from the multilayered film.例文帳に追加

二軸延伸ポリプロピレンフィルムの片面にエチレン系樹脂層、さらにその表面に非塩素系パートコート剤層が形成されている多層フィルム、およびそれから製造した包装袋である。 - 特許庁

The p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor layer is formed by adding beryllium (Be) to the boron phosphide (BP)-based semiconductor layer provided on the surface of a single-crystal substrate and containing boron (B) and phosphorus (P) as constituent elements as the p-type impurity.例文帳に追加

単結晶からなる基板の表面上に設けられた、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素（ＢＰ）系半導体層に、ｐ形不純物としてベリリウム（Ｂｅ）を添加し、ｐ形リン化硼素（ＢＰ）系半導体層を形成する。 - 特許庁

A single crystal silicon substrate 21 having a heavily doped P type impurity layer 22 formed on one side thereof is subjected to anisotropic etching with potassium hydroxide added with surfactant to leave the heavily doped P type impurity layer 22 thus forming a diaphragm 10.例文帳に追加

片面に高濃度Ｐ型不純物層２２が形成された単結晶のシリコン基板２１を、界面活性剤を添加した水酸化カリウム水溶液で異方性エッチングして、高濃度Ｐ型不純物層２２を残留させて振動板１０を形成した。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a single crystal semiconductor portion 19 including an n-type first semiconductor layer 15 and a p-type second semiconductor layer 17 arranged alternately on the surface of a semiconductor substrate to constitute a stripe plane.例文帳に追加

半導体装置１は、ストライプ状の平面が構成されるように、半導体基板の表面上に交互に配置されたｎ型の第１半導体層１５とｐ型の第２半導体層１７を含む単結晶半導体部１９を備える。 - 特許庁

In the multilayer structure type optical recording medium wherein a single layer or more for recording/reproducing a signal by light or heat and a single light transmission layer or more exist, the light transmission layer is characterized in that the layer is made of a thermoplastic resin and the thermoplastic resin contains an infrared ray absorption agent.例文帳に追加

光や熱により信号を記録・再生する層の単層または複数層と光透過層の単層または複数層が存在する多層構造型光記録媒体において、前記光透過層が熱可塑性樹脂から成り、且つ該熱可塑生樹脂中に赤外線吸収剤を含有していることを特徴とする多層構造型光記録媒体。 - 特許庁

Then a semiconductor layer 111 doped with a p-type impurity is formed in the base opening 110 by performing nonselective epitaxial growth so that the layer 111 may have a single-crystal structure 111a on a collector layer 102 and a polycrystalline structure 111b on the undoped polysilicon layer 109.例文帳に追加

ベース開口部１１０にはＰ型不純物がドープされた半導体層１１１を非選択的にエピタキシャル成長により形成し、半導体層１１１は、コレクタ層１０２上では単結晶構造部１１１ａが、アンドープポリシリコン層１０９上では多結晶構造部１１１ｂとする。 - 特許庁

Between a first semiconductor layer to be a drift layer being a layer in which a component of a semiconductor device will be built and a foundation substrate comprising a silicon carbide single crystal wafer, a buffer layer comprising two or more semiconductor layers of the same conductive type as the drift layer is provided by epitaxial growing.例文帳に追加

半導体装置の構成要素が作りこまれるための層であるドリフト層となる第１の半導体層と，炭化珪素単結晶ウエハからなる下地基板の間に，ドリフト層と同一伝導型の２層以上の半導体層によって構成されるバッファ層をエピタキシャル成長によって設ける。 - 特許庁

Specifically, the luminous layer in the organic compound layer is doped with the blue color luminous material (pyrene derivative) of the above formula (1) as a host and a chalcone type pigment as expressed by the above formula (2) as an orange-color doping material, and is constructed by a single luminous layer.例文帳に追加

具体的には、有機化合物層中の発光層が、上式（１）の青色発光材料（ピレン誘導体）をホストとし、上式（２）に表されるカルコン型色素を橙色ドーピング材料としてドーピングされ、単一発光層により構成される。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor layer 101 formed of single crystal silicon, n-type source 102 and drain 103 formed in the semiconductor layer 101, and a channel region 104 formed in the semiconductor layer 101 interposed between the source 102 and the drain 103.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる半導体層１０１、半導体層１０１に形成されたｎ形のソース１０２及びドレイン１０３、ソース１０２及びドレイン１０３に挾まれた半導体層１０１に形成されたチャネル領域１０４を備える。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁

This light emitting element 100 has a structure in which the light emitting layer 24 is stuck to the main surface MP2 of a conductive n-type single-crystal Si substrate 7 through an Au layer 40 on the Si substrate side 7 and an ITO layer (transparent conductive oxide layer for joining) 10 which is in contact with the Au layer 40 and on the light emitting layer 24 side.例文帳に追加

発光素子１００は、導電性基板であるｎ型Ｓｉ単結晶基板７の主表面ＭＰ２上に、該ｎ型Ｓｉ単結晶基板７側のＡｕ層４０と、これと接する発光層部２４側のＩＴＯ層（接合用透明導電性酸化物層）１０とを介して、発光層部２４が貼り合わされた構造を有する。 - 特許庁

To provide a CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetoresistance effect type sensor having a free layer in which magnetization is stabilized in a single longitudinal direction magnetic domain even under an existence of high-density sense current.例文帳に追加

高密度センス電流の存在下であっても磁化が単一の長手方向磁気ドメインに安定化されている自由層を持つCPP磁気抵抗効果型センサを提供する。 - 特許庁

Specifically, an exemplary device 300 may comprise a source region 306, a channel region 310, and a drain region 308 in a thin semiconductor layer, and the source, channel, and drain regions may all share a single doping type of varying concentrations.例文帳に追加

特に、典型的なデバイス３００は、薄い半導体層にソース３０６、チャネル３１０、およびドレイン３０８と、異なる濃度の単一のドーピングタイプを全て共有する。 - 特許庁

A single-side-luster-paper is used as a base material, and an image receiving sheet is produced by forming a heat fusion transfer type image receiving layer containing an organic minute hollow polymer on a flat and smooth face of this base material.例文帳に追加

片艶紙を基材とし、この基材の平滑面側に、有機微小中空ポリマーを含有する熱溶融転写型の受像層を形成して受像シートとする。 - 特許庁

The multi-layer coil can attain the effect equivalent to an increase in the cross-sectional area of the single flat-type electric wire and a molded transformer of a large capacity can be realized.例文帳に追加

この多段コイルは、平角電線単線の断面積を大きくすることと同等の作用を奏することができ、モールド変圧器の大容量化が実現可能である。 - 特許庁

The cut surface 38 is subjected to laser annealing to form a coating layer 21 having a single conduction type corresponding to the impurity ion injected in the surface of the cut surface 38.例文帳に追加

切断面３８にレーザアニールを施し、切断面３８の表面に注入された不純物イオンに応じた単一の導電型を有する被覆層２１を形成する。 - 特許庁

This cleaning device 23 is, arranged on the side of a photoreceptor drum 11, in an image forming device 34 of the digital system provided with the positively charged single layer type organic photoreceptor.例文帳に追加

クリーニング装置２３は、正帯電単層型有機感光体を備えるデジタル方式の画像形成装置３４において、感光ドラム１１の側方に配置される。 - 特許庁

The base paper for the gas barrier paper container with the low adsorbing sealant layer is formed by laminating the vapor deposited film layer comprising the vapor deposited thin layer made of at least the inorganic oxide formed on a paper substrate, a laminating resin layer comprising a laminating resin composition of a linear polyethylene type resin produced by using a single site catalyst and the sealant layer of the polyester type resin in order.例文帳に追加

紙基材上に、少なくとも無機酸化物からなる蒸着薄膜層を形成した蒸着フィルム層、シングルサイト触媒から得られる直鎖状ポリエチレン系ラミネート用樹脂組成物からなるラミネート樹脂層、ポリエステル系樹脂からなるシーラント層とを、順次積層したことを特徴とする低吸着性シーラント層を有するバリア性紙容器用原紙である。 - 特許庁

An amorphous silicon-based photoelectric conversion device comprises a conductivity type layer formed of an amorphous silicon-based semiconductor, a buffer layer containing a microcrystalline silicon phase, a photoelectric conversion layer formed of a substantially intrinsic amorphous silicon-based semiconductor and a reverse conduction type layer formed of a non-single-crystal silicon-based semiconductor which are arranged from a light incident side in this order.例文帳に追加

光入射側から順に、非晶質シリコン系半導体からなる一導電型層と、微結晶シリコン相を含むバッファ層と、実質的に真性の非晶質シリコン系半導体からなる光電変換層と、非単結晶シリコン系半導体からなる逆導電型層とが、配置されてなる非晶質シリコン系光電変換装置によって、解決する。 - 特許庁

In this case, the P-conductive type columns PC1-PC4 and the N-conductive type columns NC1-NC4 are formed of single crystal silicon and are isolated electrically from diffusion layers having conductivity except the column layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４は、単結晶シリコンにて形成されており、コラム層１０以外の導電性を有する拡散層と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

To provide a light emitting element emitting light of a plurality of wavelengths from a single emission layer and emitting light of multiple colors, especially white color, by simply injecting a current into a set of p-type and n-type electrodes.例文帳に追加

単一の発光層から複数の波長の光を発し、しかも一組のｐ型及びｎ型電極に電流を注入するだけで多色発光する、特に白色発光する発光素子を提供すること。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer W is produced by forming a silicon epitaxial layer 2 on the major surface 11 of a lightly doped p^- type or n^- type silicon single crystal substrate 1 having a resistivity of 0.02 Ωcm or above.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハＷは、抵抗率が０．０２Ω・ｃｍよりも高いｐ^−型又はｎ^−型の低ドープのシリコン単結晶基板１の主表面１１にシリコンエピタキシャル層２が形成されたものである。 - 特許庁

The laminate sheet material comprises the following first layer and at least two types of layers, with a single layer for each type, selected from the second, third and fourth layers.例文帳に追加

本発明の積層シート状物は、下記第１層を少なくとも１層有し、さらに、第２層、第３層、及び第４層からなる群より選ばれる２種類以上の層を少なくとも各１層有することを特徴とする。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor provided with the single layer type organic photosensitive layer contains a charge generating agent, a hole transport agent, an electron transport agent and at least one kind of an electron acceptive compound on a conductive substrate.例文帳に追加

単層型有機感光層を備える電子写真感光体は、導電性基体上に電荷発生剤、正孔輸送剤、並びに電子輸送剤及び電子受容性化合物の少なくとも１種、を含有する。 - 特許庁

The light emitting element 100 has such a structure as an emission layer part 24 is pasted through a transparent conductive layer 30 to the major surface of a transparent conductive substrate, i.e. a GaP substrate 7 of n-type GaP single crystal.例文帳に追加

発光素子１００は、透明導電性基板であるｎ型ＧａＰ単結晶よりなるＧａＰ基板７の主表面上に、発光層部２４が透明導電層３０を介して貼り合わされた構造を有する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor having a single layer type photosensitive layer provided on a conductive support, comprises at least one kind of enamine compound expressed by formula (1).例文帳に追加

導電性支持体上に単層型感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、下記式（１）で表されるエナミン系化合物を少なくとも一種含有することを特徴とする、電子写真感光体。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor having a single layer type photosensitive layer excellent in adhesion to a conductive substrate, strength and sensitivity and excellent also in filming preventing effect, and to provide an image forming apparatus using the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

導電性基体に対する密着性や強度、感度等に優れる上、フィルミングを防止する効果にも優れた単層型の感光層を有する電子写真感光体と、それを用いた画像形成装置とを提供する。 - 特許庁

The entire side panel of opposite conductivity type resistance diffusion layer 107a provided on the surface of one conductivity type single crystal silicon layer 104 of an SOI substrate 101 are making direct contact with a dielectrically isolating region wherein an embedding insulating film 115 is filled up in a trench 113a reaching an embedding insulating layer 103.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０１の一導電型の単結晶シリコン層１０４の表面に設けられた逆導電型の抵抗拡散層１０７ａの側面の全面は、埋め込み絶縁層１０３に達する溝１１３ａに埋め込み絶縁膜１１５が充填してなる誘電体分離領域に、直接に接触している。 - 特許庁