「single layer type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In this semiconductor device, an n-type epitaxial layer 5 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上にＮ型のエピタキシャル層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a single layer type organic electrophotographic photoreceptor of high sensitivity with which the occurrence of the degradation in photoreceptor performance due to strong light fatigue is averted by improving the strong light fatigue characteristic in a photosensitive layer of a single layer type.例文帳に追加

単層型の感光層における強光疲労特性を改良することで、強光疲労による感光体性能の低下を生ずることがない、高感度の単層型有機電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

In addition, a buried emitter is formed with little dimensional fluctuation on the single-crystal structure section 111a positioned in the emitter opening 114 by forming an n-type semiconductor layer.例文帳に追加

またこの上にＮ型半導体層で埋めエミッタ寸法バラツキを少なく形成する。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity, single-layer type electrophotographic photoreceptor usable at both positive and negative polarities.例文帳に追加

正負両極性で使用できる高感度な単層型の電子写真感光体の提供。 - 特許庁

POSITIVE CHARGE TYPE SINGLE-LAYER ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR INCLUDING 1, 3, 5-TRIAZINE DERIVATIVE AS ELECTRON TRANSPORT MATERIAL例文帳に追加

１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とする正帯電単層型電子写真感光体 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an n-type MgZnO clad layer 103, a non-doped quantum well active layer 105, a p-type MgZnO second clad layer 109, and a p-type ZnO contact layer 110, are successively laminated upon an n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１上に、ｎ型ＭｇＺｎＯクラッド層１０３、ノンドープ量子井戸活性層１０５、ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０を順次積層する。 - 特許庁

A part used for a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 1 is etched up to a SiO2 layer 2 used as an etching stopper layer.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 層２をエッチングストッパ層としてｎ型単結晶Ｓｉ層１の感圧領域に相当する部分をＳｉＯ_2 層２までエッチングする。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

To provide a light-confining-type single crystal silicon solar cell whose film photoelectric conversion layer is a single crystal silicon having high crystallinity.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, an n-type epitaxial layer 4 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板３上にＮ型のエピタキシャル層４が形成されている。 - 特許庁

It is desirable to form the p-type layer 11 on the surface including zinc atoms of the n-type ZnO bulk single crystal substrate 10.例文帳に追加

ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor is preferably a single layer type one containing the above charge generating agent and hole transport agent in the same layer.例文帳に追加

好ましくは、上記電荷発生剤および正孔輸送剤を同一層内に含む単層型電子写真感光体とする。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of this P-type well area 52 is formed, and an N-type embedded layer 56 which is formed partially interposed with this (P^+)-type embedded layer 55 and electrically separates the P-type well area 52 from the P-type single crystal silicon substrate 50 is formed.例文帳に追加

このＰ型ウエル領域５２の底部に接するＰ＋型埋め込み層５５、このＰ＋型埋め込み層５５に部分的に重畳して形成され、Ｐ型ウエル領域５２を単結晶シリコン基板５０から電気的に分離するＮ型埋め込み層５６を設ける。 - 特許庁

A Pd-electrode 36 coats the ridge 26 and a part of the single-layer adhesive layer 34 and is connected to a p-type GaN contact layer 24 of the ridge 26.例文帳に追加

Ｐｄ電極３６がリッジ部２６及び単層密着層３４の一部を覆い、リッジ部２６のｐ型ＧａＮコンタクト層２４に接続されている。 - 特許庁

The depletion layer extended from the junction part 23 is also spread in a p- type silicon single crystalline region 17.例文帳に追加

また、ｐ^-型シリコン単結晶領域１７中には、接合部２３から延びてきた空乏層が広がる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE LAYER OF TWO-COLOR ROTATING PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING ROTATING PARTICLE TYPE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

二色回転粒子の単層の製造方法および回転粒子型表示装置の製造方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory of a single layer gate type capable of suppressing deterioration of a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の劣化を抑制することができる単層ゲート型の不揮発性メモリを提供すること。 - 特許庁

Then, the temperature is heated to 500°C, a gap is formed in the layer of the hydrogen ions, and the single-crystal silicon is separated by the gap, thus forming an N-type single- crystal silicon layer 4 on the electrode layer 3.例文帳に追加

その後、５００℃に加熱して前記水素イオンの層に空隙を形成して前記単結晶シリコンを前記空隙により切り離し、前記電極層(3) 上にＮ型単結晶シリコン層(4) を形成する。 - 特許庁

To provide a light confining type single-crystal silicon solar cell, in which a single-crystal silicon with high crystallinity is used for a photo conversion layer in a thin film.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした光閉じ込め型単結晶シリコン太陽電池を提供する。 - 特許庁

In this optical semiconductor device, an N+ type buried layer 34 is formed between a P-type single crystal silicon substrate 24 and a first epitaxial layer 25 in the dummy photodiode 22.例文帳に追加

この光半導体装置では、ダミーホトダイオード２２におけるＰ型の単結晶シリコン基板２４と第１のエピタキシャル層２５との間にＮ^+型埋め込み層３４が形成される。 - 特許庁

A high concentration n type single-crystal silicon layer 18 from the first principal plane of the semiconductor layer 12 to the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

半導体層１２の第１主面から半導体基板１１に至る高濃度のｎ型単結晶シリコン層１８を形成する。 - 特許庁

A second-type single layer package P2, provided with a lead 133 exposed over the lower surface of a molded part 136, is mounted to a first- type single layer package P1 provided with a lead 33 extending to outside a molded part 36.例文帳に追加

成形部３６の外側まで延長されたリード３３を有する第１型単層パッケージＰ１上に、成形部１３６の下面に露出されたリード１３３を有する第２型単層パッケージＰ２を実装する。 - 特許庁

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer.例文帳に追加

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。 - 特許庁

A base body 2 comprises a substrate 11 of p-type single- crystalline silicon wafer and an epitaxial layer 12 of n-type single-crystalline silicon formed on a surface of the substrate 11.例文帳に追加

基体２は、ｐ型単結晶シリコンウエハからなる基板１１と、その基板１１の表面に形成されたｎ型単結晶シリコンからなるエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

This electrophotographic photoreceptor including an electroconductive supporting body and a single layer type photoreceptor layer is provided with that in the single layer type photoreceptor layer, the aromatic polycarbonate containing a constituting unit (1) derived from a compound having an asymmetric bishydroxyenamine basic backbone expressed by general formula (1) is incorporated.例文帳に追加

導電性支持体と単層型感光層とを含む電子写真感光体において、単層型感光層に、一般式で表される非対称ビスヒドロキシエナミン基本骨格を有する化合物から誘導される構成単位（１）を含む芳香族ポリカーボネートを含有させる。 - 特許庁

To provide a single-crystal silicon solar cell as a see-through type solar cell, wherein a thin film light conversion layer is high-crystallinity single crystal silicon.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal silicon solar cell as a see-through type solar cell, in which a thin-film photoconversion layer contains single crystal silicon having high crystallinity.例文帳に追加

薄膜の光変換層を結晶性の高い単結晶シリコンとした単結晶シリコン太陽電池を、シースルー型太陽電池として提供する。 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOCONDUCTOR, ELECTROPHOTOGRAPHIC METHOD, ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS AND PROCESS CARTRIDGE FOR ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS例文帳に追加

単層型電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置、及び電子写真装置用プロセスカートリッジ - 特許庁

A light-receiving part 43 of p-type single-crystal silicon is formed on the surface layer part 42a of the base substance 42.例文帳に追加

基体４２の表層部４２ａには、ｐ型単結晶シリコンからなる受光部４３が形成されている。 - 特許庁

To provide a single layer-type electrophotographic photoreceptor which restrains the occurrence of fogging.例文帳に追加

かぶりの発生を抑制することができる単層型電子写真感光体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a negatively charged single layer type electrophotographic photoreceptor having high sensitivity and superior photo-responsiveness.例文帳に追加

高感度でしかも光応答性に優れた負帯電単層型電子写真感光体を提供するにある。 - 特許庁

The base body 2 is constituted of a substrate 11, and an epitaxial layer 12 which both consist of an N-type single crystal silicon film.例文帳に追加

基体２は、ともにｎ型単結晶シリコンからなる基板１１とエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

A diaphragm 4 is formed by etching a prescribed amount of a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 3.例文帳に追加

ｎ型単結晶Ｓｉ層３の感圧領域を所定の量だけエッチングしてダイアフラム４を形成する。 - 特許庁

To produce a positive charge type single-layer electrophotographic photoreceptor including a 1, 3, 5-triazine derivative as an electron transport material.例文帳に追加

１，３，５−トリアジン誘導体を電子輸送材とする正帯電単層型電子写真感光体を作製する。 - 特許庁

To form a semiconductor element having good ohmic electrode on a p type ZnO single crystal layer.例文帳に追加

ｐ型ＺｎＯ系単結晶層に対して良好なオーミック電極を有する半導体素子を形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, an epitaxial layer 7 is formed on a P type single-crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にエピタキシャル層７が形成されている。 - 特許庁

SINGLE LAYER TYPE ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, ELECTROPHOTOGRAPHIC METHOD, ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE AND PROCESS CARTRIDGE FOR ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE例文帳に追加

単層型電子写真感光体、電子写真方法、電子写真装置及び電子写真装置用プロセスカートリッジ - 特許庁

On a single-crystal substrate 1, a buffer layer 2 and an optical waveguide layer 3 are formed and in the optical waveguide layer 3, a ridge type channel optical waveguide 4 is formed along the length of the single-crystal substrate 1.例文帳に追加

単結晶基板１上にはバッファ層２及び光導波路層３が形成され、光導波路層３には単結晶基板１の長手方向に沿ってリッジ型のチャンネル光導波路４が形成されている。 - 特許庁

An isolation layer 4 is composed of p-type single-crystalline silicon, and is formed in a specified position of the epitaxial layer 12 piercing from the surface of the layer 12 to the substrate 11.例文帳に追加

アイソレーション層４は、Ｐ型単結晶シリコンからなり、エピタキシャル層１２の所定箇所において、同層１２の表面から基板１１に連通して形成されている。 - 特許庁

A plurality of n-type first semiconductor regions 9 are formed, by providing a plurality of trenches 13 in an n-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

ｎ型の複数の第１半導体領域９は、ｎ型の単結晶シリコン層に複数のトレンチ１３を設けることにより形成される。 - 特許庁

To improve a fault that a gate forward current cannot be controlled in an MIS type FET formed of a single layer Si_3N_4 insulating layer.例文帳に追加

単一層のＳｉ_３Ｎ_４絶縁層からなるＭＩＳ型ＦＥＴにおけるゲート順方向電流を抑制できないという欠点を改善する。 - 特許庁

To provide a single-sided recording and reproducing type optical recording medium capable of obtaining proper recording signal properties not only from a first information layer but also from a second information recording layer.例文帳に追加

第２の情報記録層からも良好な記録信号特性が得られる、片面記録再生タイプの光記録媒体の提供。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor in which stability of a coating liquid for forming a photosensitive layer is stable, and also, which has satisfactory electric properties.例文帳に追加

感光層を形成するための塗布液の安定性に優れ、且つ、電気特性の良好な単層型の電子写真感光体を提供する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 2 and a p-type amorphous silicon layer 3 are formed on the light-receiving surface of an n-type single-crystal silicon board 1, and a transparent conductive film 4 is formed on the p-type amorphous silicon layer 3, thus constituting a photoelectric converter 101.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面上にｉ型非晶質シリコン層２およびｐ型非晶質シリコン層３が形成され、ｐ型非晶質シリコン層３上に透明導電膜４が形成されて、光電変換部１０１が構成される。 - 特許庁