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single layer typeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 358



例文

To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors.例文帳に追加

内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。 - 特許庁

Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.例文帳に追加

エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層18からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層18の上部と下部に形成されたn型拡散領域14、23からなるソース・ドレイン領域と、ワード線21からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタTr1、Tr2、Tr3が形成される。 - 特許庁

It is possible to form a waveguide of an effective refractive index type or a loss type excellent in confinement of light due to properties of light absorption and a low refractive index of the current constriction layer 24, and therefore, it is possible to obtain a GaN based semiconductor laser of a single transverse mode type by the refractive index waveguide stable in low-threshold current density.例文帳に追加

前記電流狭窄層24の光吸収や低屈折率の性質によって光閉じ込めの良好な実屈折率導波型や損失導波型の導波路を形成することができ、低しきい値電流密度で安定した屈折率導波による単一横モード型GaN系半導体レーザを実現できる。 - 特許庁

The plane size of the light-emitting device can be made smaller than an n-type electrode 9 is formed on the n-type contact layer 3 because the n-type electrode 9 is formed on the substrate 11 by imparting a conductivity to the substrate 11 composed of the ZnO single crystal in this case.例文帳に追加

このとき、ZnO単結晶の基板11に導電性を持たせることで、基板11にn型電極9を形成することができるため、n型コンタクト層3上に、n型電極9を形成する場合より、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の平面サイズを小さくすることができる。 - 特許庁

例文

On the SiC substrate 102 of the light emitting diode element 100, a porous layer 124 composed of porous single-crystal 6H type SiC to which B and N are added is formed, and when the porous layer 124 is excited with ultraviolet light emitted from a nitride semiconductor layer, visible light of blue to green can be obtained.例文帳に追加

発光ダイオード素子100のSiC基板102に、B及びNが添加されたポーラス状の単結晶6H型SiCからなるポーラス層124を形成し、窒化物半導体層から発せられる紫外光によりポーラス層124が励起されると、青色から緑色の可視光が得られるようにした。 - 特許庁


例文

To provide a single layer type spread style surface treatment method, which has a sufficient durablility in highly severe conditions in such places as curves, intersections and sloping roads, and which builds an excecellently durable surface treatment layer as well as rare peeling of aggregates, and a pavement body having a surface treatment layer acquired from the method.例文帳に追加

カーブや交差点、坂道など過酷な条件に晒される場所においても十分に耐えることのできる、骨材の剥離が少なく耐久性に優れた表面処理層を構築する単層型散布式表面処理工法と、それによって得られる表面処理層を有する舗装体を提供することを課題とする。 - 特許庁

The photovoltaic element 1 includes semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10), including an n-type single crystal silicon substrate 2, and a ZnO layer 7 formed on the semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10) and comprising an optically transparent material, and having, on an incidence side of light, a through-hole 7a that extends in the film thickness direction.例文帳に追加

この光起電力素子1では、n型単結晶シリコン基板2を含む半導体各層(2〜4、9および10)と、半導体各層(2〜4、9および10)上に形成され、光が入射する側に、膜厚方向に延びる貫通孔7aを有する透光性材料からなるZnO層7とを備えている。 - 特許庁

A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.例文帳に追加

半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第1の金属薄膜を形成し、更に第2のレジストを塗布し、T型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁

To provide a single-layer type electrophotographic photoreceptor, capable of stably retaining a sensitivity characteristic by effectively exhibiting superior charge transportability of a cyclohepto derivative having a specific structure, and to provide an image forming apparatus.例文帳に追加

特定の構造を有するシクロヘプト誘導体の優れた電荷輸送能を有効に発揮させて、感度特性を安定的に保持することができる単層型電子写真感光体及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

例文

To provide the chip-type electronic component of the structure that extending of plating in the electroplating of terminal electrode can be prevented, without forming an insulator layer on the surface of a single material formed of a ceramics semiconductor.例文帳に追加

セラミックス半導体でなる素体表面に絶縁体層を形成することなく端子電極における電気めっきの際のめっき伸びを防止することができる構造のチップ型電子部品を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a single-sided multilayer phase transition type information recording medium wherein suitable initialization is made possible to any information layer, to provide its initialization method and to provide its recording and reproducing method.例文帳に追加

多層相変化型情報記録媒体において、どの情報層に対しても好適な初期化が可能な片面多層相変化型情報記録媒体、その初期化方法、及びその記録再生方法を提供する。 - 特許庁

A sandwiching type cell is formed by forming an NTCDA single crystal 2 having a thickness of 167 μm as a photocurrent multiplying layer and forming Au thin films on both surfaces as electrodes 4 and 6 by a vapor depositing method in a thickness of 20 nm of each.例文帳に追加

厚さが167μmのNTCDA単結晶2を光電流増倍層とし、その両面に電極4,6として蒸着法によりAu薄膜を20nmの厚さに形成して、サンドイッチ型セルとした。 - 特許庁

To provide a single layer type electrophotographic photoreceptor excellent in sensitivity characteristics and capable of effectively suppressing filming and the generation of black spots attributed to filming and an image forming apparatus including the photoreceptor.例文帳に追加

感度特性に優れるとともに、フィルミングの発生及びそれに起因した黒点の発生を効果的に抑制することができる単層型電子写真感光体及びそれを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of single-or multiple-layer bar arrangement spacers are arranged on a foundation S, a screen type erection bar formed by connecting a plurality of bars together by flexible bars is laid on the spacers assemble the reinforced bars.例文帳に追加

基礎S上に複数の単層或は複層配筋用スペーサを複数列に配置し、多数本の鉄筋を可撓性の条材で連結したスダレ式組鉄筋をスペーサ上に震張し、補強鉄筋を組上げる。 - 特許庁

Since only the contact layer 6 is formed in the form of the inclined stripe, the diode can maintain a single transverse mode even in a high injection area as a gain-guiding type diode and can make high outputs as an SLD in a high-injection area.例文帳に追加

この様に、コンタクト層のみを傾斜型ストライプとして形成しており、高注入領域においても利得導波型として、単一横モ−ドが保持できSLDとして高出力化が可能となった。 - 特許庁

The adhesion layer has a thickness of 30 to 75 μm by stacking the thin single wood plate in a half-setting state, and comprises an adhesive on the base material side having30° of hardness measured with a type A durometer.例文帳に追加

接着層は、半硬化状態において木質薄単板が積層されることで、厚みが30μm以上でかつ75μm以下であり、硬度がタイプAデュロメーターで30°以下となる基材側接着剤で構成する。 - 特許庁

The polyolefinic resin laminated foam is formed by laminating a synthetic resin layer on at least the single surface of a polyolefinic resin foamed sheet and the synthetic resin layer has a polyolefinic resin layer as an outermost layer, and a polymer type antistatic agent is added to the polyolefinic resin layer so that surface resistivity becomes10^13 (Ω/(square)) or less.例文帳に追加

本発明のポリオレフィン系樹脂積層発泡体は、ポリオレフィン系樹脂発泡シートの少なくとも片面に合成樹脂層が積層されてなる積層発泡体において、該合成樹脂層が最外層にポリオレフィン系樹脂層を有する1層以上のものであり、該ポリオレフィン系樹脂層には表面固有抵抗が1×10^13(Ω/□)以下となるようにポリマータイプの帯電防止剤が含有されていることを特徴とする - 特許庁

Crystal plane orientations of single crystal semiconductor layer that become a channel region of an N conductivity type thin film transistor and a channel region of a P conductivity type thin film transistor both formed on the same substrate flat surface are formed to be optimum crystal plane orientations in the respective thin film transistors.例文帳に追加

同一基板平面上に形成されたN導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とP導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。 - 特許庁

It is preferable that the acoustic component is a small-sized microphone 1 having concentric electrodes, the conductive part 7 of the zebra type connector 6 is a single layer of the conductive layer, and that the acoustic component is an acoustic component holder with a five-layered structure having the conductive part 7 at both ends and at the center.例文帳に追加

前記音響部品が、同心円形式の電極を有する小型マイクロフォン1であり、前記ゼブラ型コネクタ6の前記導電部分7が導電層の単一層であり、両端と中央に導電部分7を有する5層構造を有する音響部品用ホルダであることが好ましい。 - 特許庁

A needle type inorganic pigment whose axial ratio of a long axis and to a short axis is more than 10 is contained in a polishing layer as a polishing material on the polishing sheet at least on one single surface of a support body 1 of which the polishing layer 2 is formed to remove the foreign matter attached to the thermal head for thermosensitive recording.例文帳に追加

感熱記録用サーマルヘッドに付着した異物を除去するための、支持体1の少なくとも片面に研磨層2が形成されている研磨シートにおいて、研磨層に、研磨材として長軸と短軸の軸比が10以上の針状の無機顔料を含有させる。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a single layer type or multilayer type photosensitive layer containing a hole transport agent and a binder resin on a conductive substrate, wherein a first polycarbonate resin and a second polycarbonate resin having mutually different molecular structures are contained as the binder resin, and the photosensitive layer contains a triphenylamine compound represented by formula (1) as an additive.例文帳に追加

導電性基体上に、正孔輸送剤、及び結着樹脂を含有する単層型あるいは積層型の感光層を備えた電子写真感光体であって、結着樹脂としてそれぞれ分子構造が異なる第1のポリカーボネート樹脂及び第2のポリカーボネート樹脂を含むとともに、感光層が、添加剤として、下記一般式(1)で表されるトリフェニルアミン化合物を含有する電子写真感光体。 - 特許庁

The single layer or multilayer-type data carrier used for an identification card, a banking card, or the like is provided with at least one plastic layer which is constituted of a polyester not recrystallizable with heat, particularly non-recrystallizing polyethylene terephthalate, where an antiblocking agent is incorporated in at least partial area in the volume of the plastic layer.例文帳に追加

身分証明カードや銀行カード等の単層あるいは多層型データ媒体であって、少なくとも一つのプラスチック層を備え、当該プラスチック層を熱で再結晶しないポリエステル、特には再結晶しないポリエチレンテレフタレート、で構成し、当該プラスチック層の体積中の少なくとも部分的な領域にアンチブロッキング剤を含めたことを特徴とするデータ媒体。 - 特許庁

The low-carbon steel plate is a clad type which has a plate-thickness center layer of a ferrite mixed structure including one or two kinds among a perlite phase, a bainite phase and a martensitic phase containing 1.0 mass% Si, and a surface layer of a ferrite single-phase structure containing 3 to 5 mass% Si, the surface layer having 70 to 160 MPa in-plane tensile stress as internal stress.例文帳に追加

低炭素鋼板であって、Si:1.0 質量%以下であるパーライト相、ベイナイト相およびマルテンサイト相のうちいずれか1種また2種以上を含むフェライト混合組織の板厚中央層と、Si:3〜5質量%を含むフェライト単相組織の表層とをクラッド型に有し、内部応力として、表層に70〜160MPaの面内引張応力を有する。 - 特許庁

A reflective layer 12 containing at least one of aluminum, silver, and alloy containing silver has a small number of pinholes and a high reflectivity of80% in a visible light range even when formed as a single layer, and further can absorb light by carbon particles contained in a resin layer 13 when light incident on a transmission type liquid crystal panel leaks from pinholes.例文帳に追加

アルミニウム、銀または銀を含む合金のうちいずれか1つを含む反射層12は単層で形成してもピンホールが少なく、反射率が可視光領域で80%以上と高いことに加えて、透過型液晶パネルへ入射する光のピンホールからの漏れに対しても樹脂層13に含まれた炭素粒子によって光を吸収できる。 - 特許庁

A composite barrier film 1 is constituted by laminating a heat sealable resin layer 40 on a gas barrier film 21, wherein a composite coating film layer 20 containing a polyvinyl alcohol type synthetic resin and an inorg. laminar compd. such as montmorillonite or the like is formed on the single surface of a substrate film 10, through a cured resin layer 30 obtained from an unsaturated acid and a polyamine derivative.例文帳に追加

基材フィルム10の片面にポリビニルアルコール系の合成樹脂とモンモリロナイト等である無機層状化合物とを含む複合被膜層20が形成されているガスバリアーフィルム21に不飽和酸とポリアミン誘導体から得られる硬化樹脂層30を介してヒートシール性樹脂層40が積層されている複合バリアーフィルム1とするものである。 - 特許庁

This non volatile semiconductor memory device is provided with a floating gate 29 constituted of a single polysilicon layer, two source/drain areas 23 and 24, a control gate 30 constituted of an impurity area formed in a p-type well 21 and a voltage supply circuit.例文帳に追加

単一ポリシリコン層からなるフローティングゲート29と、2つのソース・ドレイン領域23および24と、P型ウェル21に形成された不純物領域からなるコントロールゲート30と、電圧供給回路(不図示)とを有している。 - 特許庁

In this thin film inorganic light emitting device, a luminescence center contains a dispersion of zinc sulfide and an water-compatible p-type semiconductor polymer, for which a polythiophene/polymeric polyanion complex is desirable, contained as a dopant in the state of a single/double layer.例文帳に追加

本デバイスは、発光中心がドーパントとして添加されている硫化亜鉛の分散液と水相溶性p型半導体ポリマー、好適にはポリチオフェン/高分子量ポリアニオン錯体を一層の状態または二層の状態で含有する。 - 特許庁

In the equipment for the treatment of waste water containing gallium fine particles, a ceramic membrane having a single-layer honeycomb structure made of a columnar β-type crystal is used for the solid-liquid separation of the waste water.例文帳に追加

ガリウム微粒子を含有する廃水の処理装置において、廃水の固液分離に柱形のβ型結晶からなる単層ハニカム構造のセラミック膜を用いることを特徴とするガリウム微粒子含有廃水の処理装置。 - 特許庁

To instantaneously change recording and reproducing conditions, for example, a recording pulse strategy, recording power and reproducing power, in accordance with a recording layer for recording or reproducing information in a single-sided incident type optical recording medium.例文帳に追加

片面入射型光記録媒体において、情報の記録又は再生を行なう記録層に応じて、例えば記録パルスストラテジ,記録パワー,再生パワー等の記録再生条件を瞬時に切り替えることができるようにする。 - 特許庁

To improve the solvent resistance of an organic photoreceptor, particularly a single layer type organic photoreceptor without deteriorating the properties of the photoreceptor, and also to provide a liquid developer for the organic photoreceptor effectively performing wet development.例文帳に追加

有機感光体、特に単層型有機感光体の特性低下を生じさせることなく、有機感光体の耐溶剤性を向上し、有効に湿式現像を行うことが可能な有機感光体用液体現像を提供する。 - 特許庁

A rubber laminated metal plate is obtained by laminating a vulcanizate layer of a nitrile rubber containing a non-fibrous inorg. filler and a fibrous filler on the single surface or both surfaces of a surface-treated metal plate through a phenol resin type adhesive.例文帳に追加

表面処理された金属板の片面または両面に、フェノール樹脂系の接着剤を介して、非繊維状無機充填剤および繊維状充填剤を含有するニトリルゴムの加硫物層を積層させたゴム積層金属板。 - 特許庁

To provide a display device and a manufacturing method therefor in which microcapsules can be arrayed regularly in a single layer, therefore, the manufactured microcapsules can effectively be used, in a microcapsule type electrophoresis display device.例文帳に追加

マイクロカプセル型電気泳動表示装置において、マイクロカプセルを基板上に単層かつ規則的に配列でき、したがって作製したマイクロカプセルを効率的に使用することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The diaphragm 300 is composed of Si single crystal containing P type impurities and functions as a layer for stopping erosion due to etching in a process for obtaining an ink chamber substrate by performing etching.例文帳に追加

振動板300は、Si単結晶中にP型不純物を含んでなるものであり、エッチングを施すことにより、インク室基板を得る工程において、エッチングによる侵食の進行を停止させるストッパ層として機能する。 - 特許庁

To obtain an image forming method with which uniform electrostatic charge is performed without the occurrence of fogging in an initial stage as well even when a positive charge type organic photoreceptor having a single photoconductive layer is subjected to, for example, brush electrostatic charge.例文帳に追加

単一の光導電層を有する正帯電型有機感光体に対して例えばブラシ帯電を行った場合でも、初期の段階においてもかぶりを発生させることなく均一な帯電を行う画像形成方法を得る。 - 特許庁

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light.例文帳に追加

基板1の上面に、GaAs系化合物半導体の単結晶薄膜から成るn型クラッド層3、活性層4及びp型クラッド層5を積層してなる発光素子2を備え、該発光素子2に通電しながら活性層4内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子2を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子2の活性層4に、Znを不純物として1×10^19個/cm^3〜2×10^20個/cm^3の密度でドーピングする。 - 特許庁

The photovoltaic device is constituted by (a) a plurality of elongated semiconductor nanostructures (nanowire is one of these), having first type doping, in which a plurality of the elongated semiconductor nanostructures are arranged on a substrate, and (b) a single amorphous layer of a semiconductor material, having second type doping, in which the layer is provided on the elongated semiconductor nanostructures in a conformal manner.例文帳に追加

光起電力デバイスを、(a)基板上に配設された複数の細長い半導体ナノ構造であって、第1のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造(ナノワイヤーはその1種である)と、b)細長い半導体ナノ構造上にコンフォーマルに設けられ、第2のタイプのドーピングを有する半導体材料の単一の非晶質層、により構成する。 - 特許庁

In the flexible type belt-like electrophotographic photoreceptor constituted by forming the single-layer type photoreceptive layer containing at least a charge generating agent, a hole transfer agent, an electron transfer agent and a binder resin on a supporting body, the hole transfer agent is a compound which does not have polymer structure whose molecular weight is ≥900.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも電荷発生剤、正孔輸送剤、電子輸送剤およびバインダ樹脂を含有した単層型の感光層を形成してなるフレキシブル型のベルト状電子写真感光体において、前記正孔輸送剤は、分子量が900以上のポリマー構造を有しない化合物であることを特徴とするフレキシブル型ベルト状電子写真感光体である。 - 特許庁

In a polyester type resin laminated film having a base material film comprising a polyester type resin and the heat bonding layer provided on at least the single surface of the base material film, the ratio of the stress of the base material film at a time of 50% elongation to that thereof at a time of 10% elogation is 1.2 or less.例文帳に追加

ポリエステル系樹脂からなる基材フィルムと、基材フィルムの少なくとも片面に設けられた熱接着層とを有するポリエステル系樹脂積層フィルムであって、基材フィルムの10%伸長時の応力に対する50%伸長時の応力の比が1.2以下であるポリエステル系樹脂積層フィルム。 - 特許庁

In the case that resistance elements or MOSFET elements which are formed by single conduction type adjoin on a half-insulating substrate, a guard layer of the same or an inverse conduction type is formed between adjoining both of the elements, and variation of electrical property is restrained under impact of a generated electric field when potential difference generates.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、単一の導電型で形成された抵抗素子または電界効果トランジスタ素子が隣接している場合、隣接する両素子間に同じまたは逆の導電型のガード層を形成し、電位差が生じた場合に発生する電界の影響による電気的特性の変動を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor for achieving both mechanical durability and electrostatic durability, and having a single layer type photoreception layer for outputting an image of high quality even when used repeatedly for a long period, and to provide the electrophotographic photoreceptor manufactured by the method, and an image forming device and a process cartridge using the same.例文帳に追加

機械的耐久性と静電的耐久性を両立し、長期繰り返し使用でも高画質画像が出力可能な単層型感光層を有する電子写真感光体の製造方法、及びそれによって製造される電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To improve reliability and production yield of a thin film transistor for a flat-type display unit by preventing a silicon layer from becoming easily aggregated in a melting step, by thickly vapor depositing an amorphous silicon layer in a predeter mined range from existing ones, when a single crystal silicon is formed by utilizing SLS crystallization technology.例文帳に追加

SLS結晶化技術を利用して単結晶シリコンを形成する際に、既存より非晶質シリコン層を一定範囲内で厚く蒸着して、シリコン層が熔融過程で容易に凝集することを防止して、平板表示装置用薄膜トランジスタの信頼性及び生産収率を向上させる。 - 特許庁

This photovoltaic device includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which the light is incident from a surface side, a transparent conductive film 4 made of an ITO film formed on the photoelectric conversion layer, and a collector electrode 5 formed on a predetermined region on the transparent conductive film 4.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるn型単結晶シリコン基板1からなる光電変換層と、光電変換層上に形成されたITO膜からなる透明導電膜4と、透明導電膜4上の所定領域に形成された集電極5とを備えている。 - 特許庁

To suppress the fluctuation of output waveform, read noise and Barkhausen noise (generically called as waveform fluctuation) by giving the shape condition of a magnetic domain control film generating a magnetic do main controlling magnetic field that a free magnetic layer becomes a single magnetic domain even in a spin-valve type giant magneto-resistive head having any width of the free magnetic layer.例文帳に追加

如何なる自由磁性層幅を持つスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果ヘッド於いても、自由磁性層が単磁区になる様な磁区制御磁界を生じる磁区制御膜の形状条件を与え、出力波形変動、リードノイズ、バルクハウゼンノイズ(総称して波形変動と呼ぶ)を抑制すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrophotographic photoreceptor having a single layer type photosensitive layer capable of attaining both mechanical durability and electrostatic durability and outputting an image of high image quality even after repeated use for a long term, to provide the eletrophotographic photoreceptor manufactured by the method, and to provide an image forming apparatus and a process cartridge using the photoreceptor.例文帳に追加

機械的耐久性と静電的耐久性を両立し、長期繰り返し使用でも高画質画像が出力可能な単層型感光層を有する電子写真感光体の製造方法、及びそれにより製造される電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

The total film thickness of the SiO film 4 and the SiN film 5 being the insulation films formed on the surface of the dispersed resistance layer 7 of the n-type silicon single crystal region 2 is thinner than the film thickness of the SiON film 3 of the insulation film of the rear surface.例文帳に追加

n型シリコン単結晶領域2の、拡散抵抗層7が形成された表面上の絶縁膜であるSiO膜4とSiN膜5の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるSiON膜3の膜厚より薄い。 - 特許庁

To provide an electromagnet type actuator which has large average thrust force although having a single-layer structure, has the stacking effect that the average thrust force increases even in a stacked state, and also has cooling effect, and to provide a flat motor using the same.例文帳に追加

一層構造においても平均推力が大きく、かつ、積層化した場合にも平均推力が増大するという積層効果があり、また、冷却効果がある電磁石形アクチュエータ及びこれを用いた平面モータを提供することにある。 - 特許庁

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したn形ZnOバルク単結晶基板10上に、p形層11として窒素をドープしたZnO系化合物からなる半導体薄膜を形成してpn接合させている。 - 特許庁

In the single-layer type electrophotographic photoreceptor, a hole transport agent is a fluorene compound having specific structure, and an electron transport agent has a solubility with respect to tetrahydrofuran (measurement temperature: 25°C) in a range of 27 to 50 wt.%.例文帳に追加

単層型電子写真感光体であって、正孔輸送剤が、特定の構造を有するフルオレン化合物であり、かつ、電子輸送剤が、テトラヒドロフランに対する溶解度(測定温度:25℃)として、27〜50重量%の範囲内の値を有する。 - 特許庁

In the single-layer type electrophotographic photoreceptor, a hole transport agent is a cyclohepto derivative which is represented by general formula (1), and the electron transport agent has a solubility with respect to tetrahydrofuran (measurement temperature: 25°C) in a range of 27 to 50 wt.%.例文帳に追加

単層型電子写真感光体であって、正孔輸送剤が、下記一般式(1)で表されるシクロヘプト誘導体であり、かつ、電子輸送剤が、テトラヒドロフランに対する溶解度(測定温度:25℃)として、27〜50重量%の範囲内の値を有する。 - 特許庁

例文

To provide a magneto-resistance effect type thin film magnetic head for improving a reproduction output by obtaining the single magnetic domain of the free layer of an SV/GMR element, and for improving the reproduction output by increasing the resistance change ratio of the SV/GMR element.例文帳に追加

SV-GMR素子の自由層の単磁区化を図り再生出力を向上させることができ、さらにSV-GMR素子の抵抗変化率を増加させて再生出力を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁




  
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