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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > trimethylsilaneの意味・解説 > trimethylsilaneに関連した英語例文

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trimethylsilaneを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 20



例文

METHOD FOR REFINING TRIMETHYLSILANE例文帳に追加

トリメチルシランの精製方法 - 特許庁

METHOD FOR SIMULTANEOUSLY PRODUCING TRIMETHYLSILANE AND TRIALKYLCHLOROSILANE例文帳に追加

トリメチルシランとトリアルキルクロロシランの併産方法 - 特許庁

This silicon carbide layer is formed on a dielectric layer by vapor deposition including trimethylsilane.例文帳に追加

この炭化ケイ素層は、トリメチルシランを含む蒸着処理を用いて、誘電体層上に形成される。 - 特許庁

A trimethylsilane, since containing methyl groups, has a molecular structure bulkier than that of a monosilane or the like.例文帳に追加

トリメチルシランは、メチル基を有するため、モノシラン等と比較して嵩高い分子構造を有する。 - 特許庁

例文

Trimethylsilane containing the impurity is brought into contact with an absorbing solution having pH 2-4 to absorb and remove the chlorine-containing compound in trimethylsilane.例文帳に追加

不純物を含むトリメチルシランをpH2からpH4の吸収溶液に接触させることによりトリメチルシラン中の含塩素化合物を吸収除去する。 - 特許庁


例文

As the material of the organic silane gas 15, monomethylsilane, dimethylsilane, trimethylsilane, and tetramethylsilane can be used.例文帳に追加

また、上記有機シランガス15の原料には、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシランを用いることができる。 - 特許庁

The method for reducing a photoresist contamination from a silicon carbide film comprises a step of precoating a vapor deposition chamber using trimethylsilane and oxygen before forming a silicon carbide layer.例文帳に追加

この方法は、炭化ケイ素層を形成する前に、トリメチルシランと酸素とを含む蒸着室プレコート処理を実施することを含んでいる。 - 特許庁

By increasing the flow rate of the trimethylsilane gas step by step, the density of the SiOC film 203 declines gradually.例文帳に追加

ここで、トリメチルシランガスの流量を段階的に増加させることにより、SiOC膜203の膜密度が次第に低下する。 - 特許庁

Because of this, the density of the SiOC film 203 declines as the content of trimethylsilane in the gas is increased.例文帳に追加

このため、原料ガス中のトリメチルシラン量を増加させることにより、膜密度が減少するのである。 - 特許庁

例文

In the semiconductor device, an SiOC film 203 of 300 nm in thickness is formed by a plasma CVD method according to which the flow rate of a trimethylsilane gas is increased step by step.例文帳に追加

トリメチルシランガスの流量を段階的に増加させたプラズマCVD法によりSiOC膜203を300nm成膜する。 - 特許庁

例文

The hydrophobing of the surface of the SOG film is performed by using a hydrophobing agent containing TMSDMA (trimethylsilane dimethylamine) or TMHD(DPM) (tetramethylheptane-dione).例文帳に追加

SOG膜の表面の疎水化は、TMSDMA(トリメチルシランジメチルアミン)又はTMHD(DPM)(テトラメチルヘプタンジオン)を含む疎水化剤を用いて行われる。 - 特許庁

The trimethylsilane and the trialkylchlorosilane can simultaneously be produced from the trimethylchlorosilane and the trialkylhydrosilane compound without being accompanied by the formation of dimethylsilane or tetramethylsilane as by-products.例文帳に追加

本発明によれば、トリメチルクロロシランとトリアルキルヒドロシラン化合物から、ジメチルシランやテトラメチルシランの副生を伴わないでトリメチルシランとトリアルキルクロロシランを併産することができる。 - 特許庁

The organosilicon compound preferably contains two or three carbon atoms bonded to respective silicon atoms, such as a trimethylsilane (CH3)3SiH.例文帳に追加

有機シリコン化合物は、好ましくは各シリコン原子に結合された2個または3個の炭素原子を有するもの、例えばトリメチルシラン、(CH_3)_3SiHである。 - 特許庁

To provide a refining method for simply removing a chlorine-containing compound which is an impurity contained in trimethylsilane useful as a film-forming raw material in semiconductor production in high yield.例文帳に追加

半導体製造における成膜原料として有用なトリメチルシランに含まれる不純物である含塩素化合物を簡便に高収率で除去する精製方法を提供する。 - 特許庁

An organic silicon compound comprised of trimethylsilane is introduced without continuously destroying vacuum, a SiCN film 130 is formed by a plasma process and further, a SiC film 132 is continuously deposited.例文帳に追加

連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりSiCN膜130を形成し、さらに連続してSiC膜132を堆積する。 - 特許庁

As the silylation agent, N, N-dimethylamino trimethylsilane (DMATMS) is preferable, and as the hydrocarbon-based nonpolar solvent, a hydrocarbon-based solvent in a straight chain shape or a branch chain shape of carbon numbers 6-12 or a terpene solvent is preferable.例文帳に追加

シリル化剤としてはN,N−ジメチルアミノトリメチルシラン(DMATMS)が好ましく、炭化水素系非極性溶剤としては炭素数6〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素系溶剤、又はテルペン系溶剤が好ましい。 - 特許庁

To provide a production method for a fluorine-containing lactic acid derivative, characterized by reacting an α-ketoester compound with trifluoromethyl trimethylsilane in a reaction solvent by using a reaction catalyst easy in handling where the reaction solvent can be recovered in a recyclable form.例文帳に追加

取り扱いが容易な反応触媒を用いて、反応溶媒中でα−ケトエステル化合物をトリフルオロメチルトリメチルシランと反応させて、反応溶媒は循環使用可能な形で回収することができることを特徴とする含フッ素乳酸誘導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A water repelling film Q is formed on the surface opposite to the surface having the conductive patterns 62, 64 formed thereto of the nozzle plate 60 by a high frequency plasma CVD method using an organosilicon compd. being either one of trimethylsilane, trimethylmethoxysilane and fluoroalkylsilane as raw material gas.例文帳に追加

ノズルプレート60の導電パターン62,64が配置された側とは反対側の面には、原料ガスとしてトリメチルシラン,トリメチルメトキシシラン,フロロアルキルシランのいずれかの有機シリコン化合物を用いて高周波プラズマCVD法にて形成された撥水膜Qが形成されている。 - 特許庁

Thus, owing to the silylation, this oily cosmetic is soluble to oil and becomes stable even at higher pH, suppressing irritancy to the skin, and the oily compound is stabilized by substituting the hydroxy group with trimethylsilane or the like and blended as an ingredient hard to be oxidizable and stable with time.例文帳に追加

レチノールもしくはオキシ酸または両化合物がシリル化されることにより、低いpHでなくとも油分に溶けて安定するようになり、皮膚に対する刺激が抑制され、しかも水酸基がトリメチルシランなどで置換されて安定化し、酸化し難く経時的に安定した成分として配合されたものになる。 - 特許庁

例文

This method for surface-treating is provided by bringing a surface-treating agent containing a reducing substance such as sodium hypophosphite, sodium sulfite, sodium nitrite, triethylsilane, tri-isopropylsilane, trimethylsilane, hydrogen or the like in contact with the inner surface of the producing device made from an iron alloy or a preservation container having their inner surfaces soiled with the Cl component in the production of the organosilane which is the semiconductor material gas.例文帳に追加

半導体材料ガスであるオルガノシランの製造において、内部表面をCl成分で汚染された鉄合金製の製造装置、または保存容器の内部表面に、次亜リン酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、トリエチルシラン、トリイソプロピルシラン、トリメチルシラン、または水素等の還元性物質を含む表面処理剤を接触させる表面処理方法。 - 特許庁

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