「wdl」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An input buffer 11 makes transmit the write-in data DI to a data bus DB only for a period of a 'H' level of the signal WDL.例文帳に追加

入力バッファ１１は、信号ＷＤＬが「Ｈ」レベルの期間だけ書込データＤＩをデータバスＤＢに伝達させる。 - 特許庁

The digit line DL has a width WDL at the intersection part, and the bit line BL has a width WBL at the intersection part.例文帳に追加

ディジット線ＤＬはこの交差部分において幅ＷＤＬを有しており、かつビット線ＢＬはこの交差部分において幅ＷＢＬを有している。 - 特許庁

When it is determined that Vwd<Vws in S5 and either one of α_wdl or α_wdr is α_ws or more in S6 and S7, it is judged that there is noise intrusion in Vwdl or Vwdr.例文帳に追加

S５でVwd＜Vwsと判定し、S６，S７でαwdl，αwdrの１つでもαws以上と判定する時、Vwdl，Vwdrにノイズ混入と判断する。 - 特許庁

A write digit line WDL is connected to a power supply wiring 90 when the data writing current is supplied.例文帳に追加

ライトディジット線ＷＤＬは、データ書込電流の供給時に電源配線９０と接続される。 - 特許庁

The width WDL is larger than the width WMM1 of the magnetic memory element MM, and the width WBL is smaller than the width WMM2 of the magnetic memory element MM.例文帳に追加

幅ＷＤＬは磁気記憶素子ＭＭの幅ＷＭＭ１よりも大きく、かつ幅ＷＢＬは磁気記憶素子ＭＭの幅ＷＭＭ２よりも小さい。 - 特許庁

A write digit line WDL is divided for each memory cell line independently for each memory cell block.例文帳に追加

ライトディジット線ＷＤＬは、各メモリセルブロックごとに独立に、各メモリセル行ごとに分割される。 - 特許庁

Each write digit line WDL is selectively activated hierarchically with the write digit lines WDL according to the information transmitted by a main word line MWL and a segment decode line SGDL arranged in common to a plurality of sub- blocks adjacent in the direction of rows.例文帳に追加

各ライトディジット線ＷＤＬは、ライトディジット線ＷＤＬと階層的に、行方向に隣接する複数のサブブロックに対して共通に配置されるメインワード線ＭＷＬおよびセグメントデコード線ＳＧＤＬによって伝達される情報に応じて、選択的に活性化される。 - 特許庁

In a DRAM, bit lines/BL, BL are connected respectively to gates of N-channel MOS transistors 17, 18 of a read-gate 15, write-data bit lines WDL,/WDL are connected respectively to gates of N-channel MOS transistors 23, 24 of a write-gate 16.例文帳に追加

ＤＲＡＭにおいて、リードゲート１５のＮチャネルＭＯＳトランジスタ１７，１８のゲートにそれぞれビット線／ＢＬ,ＢＬを接続し、ライトゲート１６のＮチャネルＭＯＳトランジスタ２３，２４のゲートにそれぞれライトデータ線ＷＤＬ，／ＷＤＬを接続する。 - 特許庁

Additionally, an activated write digit line WDL is driven by a power supply voltage Vcc1, which is higher than a power supply voltage Vcc2 of other peripheral circuits that include a data reading circuit system.例文帳に追加

さらに、活性化されたライトディジット線ＷＤＬは、データ読出回路系を含む他の周辺回路の電源電圧Ｖｃｃ２よりも高い、電源電圧Ｖｃｃ１によって駆動される。 - 特許庁

The write digit line WDL, corresponding to the memory cell row including the memory cell targeted for writing data, is selectively activated, when writing the data.例文帳に追加

データ書込時には、データ書込対象のメモリせルが含まれるメモリセル行に対応するライトディジット線ＷＤＬが選択的に活性化される。 - 特許庁

A multi-election circuits 320 and 330 activate more write digit lines WDL in parallel than in the case of normal data writing, by responding to the multi selection signals MSLa and MSLb when a disturbing test is carried out.例文帳に追加

マルチセレクション回路３２０，３３０は、ディスターブ試験時には、マルチセレクション信号ＭＳＬａ，ＭＳＬｂに応答して、通常のデータ書込時よりも多い本数のライトディジット線ＷＤＬを並列に活性化する。 - 特許庁

When it is determined that Vwd is a set wheel speed Vws or more in S5 or when it is determined that neither of left nor right driving wheel accelerations α_wdl or α_wdr is a set acceleration α_ws or more in S6 and S7, S8 is executed since there is no noise intrusion in Vwdl or Vwdr.例文帳に追加

S５でVwd≧設定車輪速Vws以上と判定する時、またはS６，S７で左右駆動輪加速度αwdl，αwdrが何れも設定加速度αws以上でないと判定する時、Vwdl，Vwdrへのノイズ混入がないからS８を実行する。 - 特許庁

In the vicinity of a terminal portion of the power supply wiring 90 side, the write digit line WDL has a reinforcing portion 95 in which a cross sectional area is increased compared to a stationary portion 93 corresponding to a position where an MTJ memory cell is disposed.例文帳に追加

ライトディジット線ＷＤＬは、電源配線９０側の末端付近に、ＭＴＪメモリセルの配置位置に対応する定常部分９３と比較して断面積を増大ざせた強化部分９５を有する。 - 特許庁

Meanwhile corresponding to each row of the MTJ memory cell, a word line WL operating as a readout selective line and a write digit line WDL operating as a writing selective line are provided.例文帳に追加

一方、ＭＴＪメモリセルの各行に対応して、読出選択線として作用するワード線ＷＬおよび書込選択線として作用するライトディジット線ＷＤＬが設けられる。 - 特許庁

In a SRAM, a timing generator 20 generates a signal WDL which rises to a 'H' level responding to a transition point of write-in data DI and falls to a 'L' level before an external control signal /ME rises to a 'H' level.例文帳に追加

ＳＲＡＭにおいて、タイミングジェネレータ２０は、書込データＤＩの遷移点に応答して「Ｈ」レベルに立上がり、外部制御信号／ＷＥが「Ｈ」レベルに立上がる前に「Ｌ」レベルに立下がる信号ＷＤＬを生成する。 - 特許庁

Further, on the write digit line WDL, a strengthening region 95 having a larger interconnection sectional area than a regular region 93 is provided between the regular region 93 corresponding to a layout region of a memory cell and a power source interconnection 90.例文帳に追加

さらに、ライトディジット線ＷＤＬ上において、メモリセルの配置領域に対応する定常部分９３と電源配線９０との間に、定常部分９３よりも配線断面積の大きい強化部分９５が設けられる。 - 特許庁

With such a layout, a chip area is reduced by avoiding an enlargement of a layout pitch of the memory cell depending on a dimension of the driver transistor, and also the operation reliability can be enhanced by avoiding an increase in a local current density on the write digit line WDL.例文帳に追加

このような配置とすることにより、ドライバトランジスタの寸法に依存したメモリセルの配置ピッチの拡大を回避してチップ面積を小型化するとともに、ライトディジット線ＷＤＬ上での局部的な電流密度の増大を回避して動作信頼性を向上できる。 - 特許庁

In accordance with a readout address ADDr inputted to a readout port 2, a word line decoder 20r for selectively activating the word line WL is provided independently of a digit line decoder 20w for selectively activating the WDL in accordance with a writing address ADDw inputted to a writing port 3.例文帳に追加

読出ポート２に入力された読出アドレスＡＤＤｒに応じて、ワード線ＷＬを選択的に活性化するワード線デコーダ２０ｒと、書込ポート３に入力された書込アドレスＡＤＤｗに応じて、ライトディジット線ＷＤＬを選択的に活性化するディジット線デコーダ２０ｗとは、独立に設けられる。 - 特許庁