オンゲーの英語

電界効果トランジスタの周波数特性の低下を抑制し、かつ、オンゲートリーク電流及びオフゲートリーク電流の抑制を行う。例文帳に追加

To restrain the deterioration of the frequency characteristic of a field effect transistor and to control the on-gate and off-gate leak currents. - 特許庁

そのためには、同素子及びゲートドライバを含むループのインダクタンスを従来の１／３に低減させると共に、ゲートドライバ内のオンゲート電流発生部分のコンデンサ容量を必要な値にまで強化させる。例文帳に追加

The inductance of a loop including the element and a gate driver is reduced to 1/3 of the inductance of the conventional element and the capacitance of a capacitor of a part generating an on-gate current in the gate driver is enhanced to be a required capacitance to attain the above. - 特許庁

そのために、水素ガスが真空チャンバ５６側へ漏れ出して、Ｂ−Ａゲージやイオンゲージ等の真空計５７に触れて爆発することを防止できる。例文帳に追加

This constitution thereby can prevent hydrogen gas from leaking out to the side of a vacuum chamber 56, and also prevent it from being brought into contact with a vacuum meter 57 such as a B-A guage, an ion guage and the like so as to be exploded. - 特許庁

Ｃ_S オンゲート構造の補助容量を持つ画像表示装置に対しても支障なく適用し得る拡大表示または縮小表示機能を有する表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device having a magnified display function or a reduced display function capable of being smoothly adopted even with respect to a picture display device having auxiliary capacitances of Cs on-gate structure. - 特許庁

例えば、主回路内のアノードリアクトルを従来の場合よりも半減させて主電流上昇率を１０００Ａ／μｓに上昇させる場合には、オンゲート電流上昇率を８００Ａ／μｓ以上の値に制御する。例文帳に追加

For example, when an anode reactor in a main circuit is decreased to a half of that of a conventional switching element to rise a main current increasing rate to be 1000 A/μs, the on-gate current rate of rise is controlled to be 800/μs or over. - 特許庁

Ｃ_S オンゲート構造の補助容量を持つ画像表示装置に対しても支障なく適用し得る拡大表示または縮小表示機能を有する表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device having a magnified or reduced display function applicable to the image display device having auxiliary capacitance of a CS on-gate structure without trouble. - 特許庁

Ｓｉ−ＩＧＢＴとＳｉＣのダイオードを組合せたモジュールとオンゲート抵抗をオフゲート抵抗より小さくしたパワー半導体素子のスイッチング回路及びインバータ回路とする。例文帳に追加

The present invention provides a switching circuit and an inverter circuit of a power semiconductor element, wherein a module includes a combination of Si-IGBT and SiC diodes and the on-gate resistance is set smaller than the off-gate resistance. - 特許庁

液晶パネルにポリシリコン薄膜トランジスタを用いて小さい面積にゲートオン、ゲートオフ電圧発生回路を集積して高効率及び高収率の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device which has high efficiency and high manufacturing yield by integrating a gate-on voltage generation circuit and a gate-off voltage generation circuit on a liquid crystal display panel in a small area by using polysilicon thin film transistors. - 特許庁