「オンゲー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

本発明は、イオンゲージ収集器に到達する汚染物質を削減する方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for reducing contaminants which reach an ion gauge collector. - 特許庁

スパッタ処理装置の処理容器内に、イオンゲージから二次電子を導入し、前記処理容器内におけるプラズマの着火を促進する。例文帳に追加

This film-forming method includes introducing secondary electrons from an ion gauge into a treatment vessel of a sputter treatment apparatus to promote the ignition of plasma in the treatment vessel. - 特許庁

電界効果トランジスタの周波数特性の低下を抑制し、かつ、オンゲートリーク電流及びオフゲートリーク電流の抑制を行う。例文帳に追加

To restrain the deterioration of the frequency characteristic of a field effect transistor and to control the on-gate and off-gate leak currents. - 特許庁

そのためには、同素子及びゲートドライバを含むループのインダクタンスを従来の１／３に低減させると共に、ゲートドライバ内のオンゲート電流発生部分のコンデンサ容量を必要な値にまで強化させる。例文帳に追加

The inductance of a loop including the element and a gate driver is reduced to 1/3 of the inductance of the conventional element and the capacitance of a capacitor of a part generating an on-gate current in the gate driver is enhanced to be a required capacitance to attain the above. - 特許庁

そのために、水素ガスが真空チャンバ５６側へ漏れ出して、Ｂ−Ａゲージやイオンゲージ等の真空計５７に触れて爆発することを防止できる。例文帳に追加

This constitution thereby can prevent hydrogen gas from leaking out to the side of a vacuum chamber 56, and also prevent it from being brought into contact with a vacuum meter 57 such as a B-A guage, an ion guage and the like so as to be exploded. - 特許庁

Ｃ_S オンゲート構造の補助容量を持つ画像表示装置に対しても支障なく適用し得る拡大表示または縮小表示機能を有する表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device having a magnified display function or a reduced display function capable of being smoothly adopted even with respect to a picture display device having auxiliary capacitances of Cs on-gate structure. - 特許庁

例えば、主回路内のアノードリアクトルを従来の場合よりも半減させて主電流上昇率を１０００Ａ／μｓに上昇させる場合には、オンゲート電流上昇率を８００Ａ／μｓ以上の値に制御する。例文帳に追加

For example, when an anode reactor in a main circuit is decreased to a half of that of a conventional switching element to rise a main current increasing rate to be 1000 A/μs, the on-gate current rate of rise is controlled to be 800/μs or over. - 特許庁

Ｃ_S オンゲート構造の補助容量を持つ画像表示装置に対しても支障なく適用し得る拡大表示または縮小表示機能を有する表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device having a magnified or reduced display function applicable to the image display device having auxiliary capacitance of a CS on-gate structure without trouble. - 特許庁

Ｓｉ−ＩＧＢＴとＳｉＣのダイオードを組合せたモジュールとオンゲート抵抗をオフゲート抵抗より小さくしたパワー半導体素子のスイッチング回路及びインバータ回路とする。例文帳に追加

The present invention provides a switching circuit and an inverter circuit of a power semiconductor element, wherein a module includes a combination of Si-IGBT and SiC diodes and the on-gate resistance is set smaller than the off-gate resistance. - 特許庁

液晶パネルにポリシリコン薄膜トランジスタを用いて小さい面積にゲートオン、ゲートオフ電圧発生回路を集積して高効率及び高収率の液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device which has high efficiency and high manufacturing yield by integrating a gate-on voltage generation circuit and a gate-off voltage generation circuit on a liquid crystal display panel in a small area by using polysilicon thin film transistors. - 特許庁

オンゲート回路８内に存在する温度検出回路１５は、ＧＴＯサイリスタ１に定電流が流れるモニタ期間において、ゲート端子２，カソード端子３ａより得られるゲート−カソード間電圧ＶＧＥに基づき、ＧＴＯサイリスタ１の温度を検出する。例文帳に追加

A temperature detecting circuit 15 existing in an ON gate circuit 8 detects the temperature of the GTO thyristor 1 on the basis of gate-cathode voltage VGE obtained from the gate terminal 2 and the cathode terminal 3a in a monitoring period when a constant current flows to the GTO thyristor 1. - 特許庁

使用時、ゲートパルスＴ_ｇｄの幅と等しい又は比例する時間幅をもって且つ正しい公称質量のイオンを通過させることができるようにイオンゲートを開放する必要がある時間位置で１つの低電圧トリガパルスが生成される。例文帳に追加

During use, one low-voltage trigger pulse is generated at a time position at which an ion gate is needed to be opened so as to pass thorough ions with time width equal to or proportional to a width of a gate pulse T_gd and also with correct nominal mass. - 特許庁

複数の積層電場で構成されたらせん軌道を用いてイオンの質量電荷比を測定する飛行時間型質量分析方法において、検出器の上流に置かれたイオンゲートにより、所定の質量電荷比を有するイオンのみを選択的に排除するようにした。例文帳に追加

In the time-of-flight mass spectrograph method in which an ion mass electric charge ratio is measured by using a spiral orbit composed of a plurality of laminated electric fields, an ion gate arranged at an upper stream of a detecting unit rejects selectively only the ion having a predetermined mass electric charge ratio. - 特許庁

補助容量ＰＣＳ１が走査線ＷＬｎ上に形成されるいわゆるＣＳオンゲート構造において、スイッチング素子であるトランジスタＮＴｒ１の導電性は、補助容量ＰＣＳ１の半導体膜からなる電極の導電性とは異なる。例文帳に追加

The apparatus has a so-called CS on-gate structure having an auxiliary capacitor PCS1 formed on a scan line WLn, wherein the conductivity of a transistor NTr1 as a switching element is different from the conductivity of an electrode comprising a semiconductor film of the auxiliary capacitor PCS1. - 特許庁

又、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を、イオン源の後工程に配置される、アークチャンバ１２ａと連通するチャンバに設けられるイオンゲージを用いて計測することにより、通電加熱、デガス状態を監視する。例文帳に追加

Furthermore, a pressure information in the arc-chamber 12a during a conduction heating is measured by an ion gage provided in a chamber which is arranged in a subsequent process of the ion source and connected with the arc-chamber 12a, and a conduction heating and degassing status is monitored. - 特許庁

補助容量ＰＣＳ１が走査線ＷＬｎ上に形成されるいわゆるＣＳオンゲート構造において、スイッチング素子であるトランジスタＮＴｒ１の導電性は、補助容量ＰＣＳ１の半導体膜からなる電極の導電性と異なる。例文帳に追加

In what is called a CS on-gate structure where auxiliary capacitance PCS1 is formed on a scanning line WLn, the conductivity of a switching element transistor NTr1 is different from that of the electrode made of the semiconductor film of the auxiliary capacitance PCS1. - 特許庁

成膜装置１のプロセスコントローラ１１は、イオンゲージ１０に搬送ガスのみを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）_0 と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）との差と、成膜速度Ｄ／Ｒとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。例文帳に追加

A process controller 11 in a film forming apparatus 1 produces a calibration curve of a film formation rate which shows relation between: the difference between (Ii/Ie)_0 when only delivery gas is conducted to an ion gauge 10 and (Ii/Ie) when organic material and delivery gas are conducted to the same; and a film formation rate D/R. - 特許庁

短絡故障検出部１７は半導体素子１２のゲート駆動回路１３からゲートＧに流れ込むオンゲート電流または半導体素子１２のゲートＧよりゲート駆動回路１３へ流れ込むオフゲート電流を健全時の電流と比較して短絡故障を検出する。例文帳に追加

In the failure detector, a short-circuit failure detecting section 17 detects the short-circuit failure by comparing an on-gate current flowing from a gate driving circuit 13 of the semiconductor element 12 to a gate G or an off-gate current flowing from the gate G to the gate driving circuit 13 of the semiconductor element 12 with a normal current. - 特許庁

本発明はプロダクトイオンスペクトル作成方法及び装置に関し、イオンゲートにて各同位体ピークを選択し、ＭＳ／ＭＳ測定をすることができ、主要な同位体ピークを選択したＭＳ／ＭＳスペクトルを再構成し、１つのプロダクトイオンスペクトルを作成することにより、モノアイソトピックイオンのみを選択する場合と比較して、質量精度を落とすことなく、感度のよいスペクトルを得ることができるプロダクトイオンスペクトル作成方法及び装置を提供することを目的としている。例文帳に追加

To provide a product ion spectrum creating method and apparatus, selecting each isotope peak at an ion gate to perform MS/MS measurement, and obtaining spectrum with good sensitivity without lowering the mass accuracy by reconfiguring MS/MS spectrum where the principal isotope peak is selected, and creating one product ion spectrum and comparing with the case of selecting only monoisotopic ions. - 特許庁