正孔電流の英語

の方法では、第１の電極が正、正孔輸送層が負となるように電圧を印加した状態で、第１の電極と正孔輸送層との間での短絡電流を測定する。例文帳に追加

In the method (4), while a voltage is applied so as to make the first electrode positive and the hole transport layer negative, short- circuiting currents are measured between the first electrode and the hole transport layer. - 特許庁

該トランジスタは、オープンベース素子であって、入射する光子によって発生する正孔により、ベース領域への電流注入が生じる。例文帳に追加

This transistor is an open base device, where current injection into a base region occurs due to holes generated by incident photons. - 特許庁

上面発光素子としての有機ＥＬ素子の正孔電流の増大による発光特性の向上を図る。例文帳に追加

To aim improvement in luminescence characteristics by increasing the electron hole current of an organic EL element as an upper surface luminescence element. - 特許庁

よって、隣接する受光素子に到達する正孔が減少し、結果として隣接する受光素子への漏れ電流は抑圧される。例文帳に追加

Holes reaching an adjacent light receiving element decrease, so that a leakage current to the adjacent light receiving element is suppressed. - 特許庁

正孔濃度の高いｐ型金属酸化物半導体膜１２はノーマリオフ特性に寄与し且つゲートリーク電流の低減に寄与する。例文帳に追加

The p-type metal oxide semiconductor film 12, having concentration of holes which is h igh contributes to normally-off characteristics and a decrease in the gate leak current. - 特許庁

該トランジスタは、オープンベース素子であって、入射する光子によって発生する正孔により、ベース領域への電流注入が生じる。例文帳に追加

The transistor is an open base transistor in which a current is injected into a base region by holes generated by incident photons. - 特許庁

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。例文帳に追加

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer. - 特許庁

分子量が４００以上の正孔阻止材料であって、サイクリックボルタンメトリー測定によって得られる第一還元波の還元電流値（Ｉｐｃ）と酸化電流値（Ｉｐａ）の比（Ｉｐａ／Ｉｐｃ）が０．１以上である正孔阻止材料。例文帳に追加

A hole blocking material has a molecular weight of 400 or higher, and its ratio (Ipa/Ipc) of the oxidation current value (Ipa) to the reduction current value (Ipc) of a first reduction wave obtained by cyclic voltammetric measurement is 0.1 or larger. - 特許庁