螺旋転位の英語

LACBEDは、刀状転位を螺旋転位と区別できる。例文帳に追加

LACBED can distinguish edge and screw dislocations.発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

該製造方法においては、周囲よりも高密度で螺旋転位１９を発生させることができる螺旋転位発生可能領域１５を有する転位制御種結晶１を準備する（種結晶準備工程）。例文帳に追加

In the method, the dislocation controlling seed crystal 1 having an area 15 for allowing the spiral dislocations 19 to occur in a density higher than its periphery is prepared (seed crystal preparing process). - 特許庁

（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。例文帳に追加

(3) The growing face includes a high quality region 12 having a low screw dislocation density and a screw dislocation region 14 having an area of not more than 50% of the growing face. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal. - 特許庁

螺旋転位が少なく、かつ異種多形結晶や異方位結晶の混入がほとんどない炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a silicon carbide single crystal almost free from spiral dislocations and from mixing of a different polymorphic crystal and a different orientation crystal. - 特許庁

演算装置２２は、スペーサの種別を選別し、螺旋溝の溝ピッチを演算するとともに、回転角度および回転方向判別信号を受けて、螺旋溝の反転位置を判別し、隣接する反転位置間での前記速度パルス発生器のパルスおよび回転角度信号を計数して、螺旋溝の溝ピッチと溝角度とを演算する。例文帳に追加

A calculation device 22 selects a type of spacer and calculates a groove pitch of the spiral groove, and also receives the rotary angle and rotation direction discriminating signal and discriminates reversing positions of the spiral groove, and counts a pulse and a rotary angle signal of the speed pulse generator between the neighboring reversing positions, and calculates the groove pitch and a groove angle of the spiral groove. - 特許庁

基底面転位、螺旋転位などの特定の転位欠陥を低減させることができる炭化ケイ素単結晶基板の改質方法、及び炭化ケイ素単結晶基板の改質装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for modifying a silicon carbide single crystal substrate, by which the specific dislocation defect such as basal plane dislocation or spiral dislocation is reduced, and to provide an apparatus for modifying a silicon carbide single crystal substrate. - 特許庁