閾下縁の英語

電界効果型トランジスタ１０ｙの閾値電圧の調整を行うためのチャネルドープを行う際、下地絶縁層１２を介してチャネル領域１ｘに不純物を導入する。例文帳に追加

In the case of carrying out channel dope for adjusting the threshold voltage of the electric field effect transistor 10y, impurity is introduced through the base insulating layer 12 to a channel region 1x. - 特許庁

連続鋳造で得た金属鋳片の縁部の傾斜を、断面視で水平を基準にして測定し、該測定値を表皮下欠陥の存在を判定する閾値と比較する。例文帳に追加

An inclination of the edge part of the metal cast slab obtained by the continuous casting is measured with a cross sectional view by using the horizontal line as a standard, and the measured value is compared with a threshold value for judging whether the defect exists under the surface skin. - 特許庁

溝分離に用いる絶縁膜が溝端部でえぐれた形状になることに起因する耐圧劣化や閾値電圧の低下、及びコンタクト部でのリークという現象を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the production method of a semiconductor device with which a phenomenon such as pressure resistance degradation, threshold voltage reduction and leakage at a concrete part caused by recessing an insulating film to be used for groove separation at a groove end can be suppressed. - 特許庁

また、トランジスタ１０１のゲート端子とソース端子の電位差が、トランジスタ１０１の閾値電圧以上であり、且つトランジスタ１０１の絶縁耐圧以下である。例文帳に追加

A difference of voltage in between the gate terminal and the source terminal of the transistor 101 is not lower than the threshold voltage of the transistor 101, and not higher than the breakdown voltage of the transistor 101. - 特許庁

高誘電率材料からなるゲート絶縁膜、多結晶シリコンからなるゲート電極を備えるＰチャネルＭＯＳ型トランジスタにおいて、フェルミピニングを解消し、閾値電圧の安定的な低下を提供する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for eliminating Fermi pinning and stably decreasing the threshold voltage in a p-channel MOS transistor provided with a gate insulated film consisting or a high dielectric constant material and a gate electrode consisting of polycrystalline silicon. - 特許庁

高誘電率ゲート絶縁膜やメタルゲート電極を採用する場合に、仕事関数の変動を抑えて閾値電圧の変動量を低く抑えることができるようにし、ゲートリーク電流の増大を抑えて、信頼性の低下を招かないようにする。例文帳に追加

To suppress low the amount of variation of threshold voltage by suppressing variation of a work function when adopting a high dielectric gate insulating film and a metal gate electrode, and hence restrain the increase of a gate leak current for preventing reliability from being lowered. - 特許庁

ワイドバンドギャップ半導体を用いた絶縁ゲート型半導体装置において、チャネル抵抗を抑制した上で、高温下における動作時にゲート電極に高電界を印加しても、閾値電圧が経時的に変動しない安定したSiC-ＭＯＳFETを提供する。例文帳に追加

To provide a stable SiC-MOSFET having a threshold voltage not being temporally varied even when channel resistance is restrained and thereafter a high electric field is applied to a gate electrode during operation at high temperature, in an insulated gate type semiconductor device using a wideband gap semiconductor. - 特許庁

ＴＦＴのゲート絶縁膜の厚さを薄くしてＴＦＴの書き込み特性（オン電流増大及び閾値電圧の低下）を良好となしながらもＴＦＴの静電破壊に対する信頼性を大きくした電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrooptical device which is increased in reliability against electrostatic discharge of a TFT though write characteristics (an increase in ON current and a decrease in threshold voltage) of the TFT are improved by reducing the thickness of a gate insulating film of the TFT. - 特許庁