p-blockとは 意味・読み方・使い方

At least one block B among the plurality of blocks B includes a pixel P which is adjacent to one pixel P of a block B adjacent to the block B in the X direction and a pixel P which is adjacent in the Y direction.例文帳に追加

複数のブロックＢのうち少なくともひとつのブロックＢは、当該ブロックＢに隣接する他のブロックＢのひとつの画素Ｐに対してＸ方向に隣接する画素ＰとＹ方向に隣接する画素Ｐとを含む。 - 特許庁

The p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 includes, for example, a p-type AlGAn electron block layer and a p-type GaN contact layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体層３７は、例えばｐ型ＡｌＧＡｎ電子ブロック層及びｐ型ＧａＮコンタクト層を含む。 - 特許庁

The M types of reference signals (P#1-P#4) in the first resource block are transmitted from the physical antennas (#1, #3, #5, #7) in the first group.例文帳に追加

第１のリソースブロック中のM種類のリファレンス信号(P#1〜P#4)は、第１グループの物理アンテナ(#1，#3，#5，#7)から送信される。 - 特許庁

The end part of the selected block B (sectioning position for adjacent block) is dragged with the pointer P, to vary the length of the selected block (section).例文帳に追加

選択したブロックＢの端部（隣接するブロックとの区切り位置）をポインタＰでドラッグして、選択したブロック（区間）の長さを変更する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁

A block histogram calculation unit 201 calculates block histogram which forms the histogram for each space block obtained by dividing a luminance image composed of luminance value L(nl)(p) into a space direction.例文帳に追加

ブロックヒストグラム算出部２０１は、輝度値L(nl)(p)からなる輝度画像を空間方向に分割して得られる空間ブロック毎の輝度値のヒストグラムであるブロックヒストグラムを算出する。 - 特許庁

In the thermoelement block manufacturing step, a p-type thermoelement block 15 and an n-type thermoelement block 16 are manufactured wherein electrodes 14 are bonded to the both surfaces of the p-type thermoelement 12 and the n-type thermoelement 13.例文帳に追加

熱電素子ブロック製造工程では、Ｐ型の熱電素子12及びＮ型の熱電素子13の両面に電極14が接合されたＰ型熱電素子ブロック15及びＮ型熱電素子ブロック16が製造される。 - 特許庁

An echo 9 from the flat surface 6, an echo 11 from a flat surface 7 opposite to the flat surface 6, and another echo 10 arising according to circumstances are detected, and positions x_p, y_p and z_p of the mechanical defect 4 of the ingot block 1 are obtained from the another echo 10.例文帳に追加

平坦面６のエコー９と、この面とは反対側の平坦面７のエコー１１と、場合によっては生じる別のエコー１０が検出され、この別のエコー１０から、インゴットブロック１における機械的欠陥４のポジションｘ_p，ｙ_p，ｚ_pが求められる。 - 特許庁