「p-block」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An MB_P selection circuit 61 selects a macro block pair p to be processed.例文帳に追加

ＭＢ＿Ｐ選択回路６１が、処理対象となるマクロブロックペアｐを選択する。 - 特許庁

Each frame P-GOB has an image block subjected to in-frame compression as a key GOB.例文帳に追加

各フレームP-GOBは、フレーム内圧縮された画像ブロックを、キーＧＯＢとして有する。 - 特許庁

At least one block B among the plurality of blocks B includes a pixel P which is adjacent to one pixel P of a block B adjacent to the block B in the X direction and a pixel P which is adjacent in the Y direction.例文帳に追加

複数のブロックＢのうち少なくともひとつのブロックＢは、当該ブロックＢに隣接する他のブロックＢのひとつの画素Ｐに対してＸ方向に隣接する画素ＰとＹ方向に隣接する画素Ｐとを含む。 - 特許庁

The p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 includes, for example, a p-type AlGAn electron block layer and a p-type GaN contact layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体層３７は、例えばｐ型ＡｌＧＡｎ電子ブロック層及びｐ型ＧａＮコンタクト層を含む。 - 特許庁

The M types of reference signals (P#1-P#4) in the first resource block are transmitted from the physical antennas (#1, #3, #5, #7) in the first group.例文帳に追加

第１のリソースブロック中のM種類のリファレンス信号(P#1〜P#4)は、第１グループの物理アンテナ(#1，#3，#5，#7)から送信される。 - 特許庁

The end part of the selected block B (sectioning position for adjacent block) is dragged with the pointer P, to vary the length of the selected block (section).例文帳に追加

選択したブロックＢの端部（隣接するブロックとの区切り位置）をポインタＰでドラッグして、選択したブロック（区間）の長さを変更する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁

A block histogram calculation unit 201 calculates block histogram which forms the histogram for each space block obtained by dividing a luminance image composed of luminance value L(nl)(p) into a space direction.例文帳に追加

ブロックヒストグラム算出部２０１は、輝度値L(nl)(p)からなる輝度画像を空間方向に分割して得られる空間ブロック毎の輝度値のヒストグラムであるブロックヒストグラムを算出する。 - 特許庁

In the thermoelement block manufacturing step, a p-type thermoelement block 15 and an n-type thermoelement block 16 are manufactured wherein electrodes 14 are bonded to the both surfaces of the p-type thermoelement 12 and the n-type thermoelement 13.例文帳に追加

熱電素子ブロック製造工程では、Ｐ型の熱電素子12及びＮ型の熱電素子13の両面に電極14が接合されたＰ型熱電素子ブロック15及びＮ型熱電素子ブロック16が製造される。 - 特許庁

An echo 9 from the flat surface 6, an echo 11 from a flat surface 7 opposite to the flat surface 6, and another echo 10 arising according to circumstances are detected, and positions x_p, y_p and z_p of the mechanical defect 4 of the ingot block 1 are obtained from the another echo 10.例文帳に追加

平坦面６のエコー９と、この面とは反対側の平坦面７のエコー１１と、場合によっては生じる別のエコー１０が検出され、この別のエコー１０から、インゴットブロック１における機械的欠陥４のポジションｘ_p，ｙ_p，ｚ_pが求められる。 - 特許庁

A p-InP clad layer 36 and p-cap layer 38 are laminated on the mesa and the n-current block layer 34.例文帳に追加

メサ及びｎ−電流ブロック層上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層３６、ｐ−キャップ層３８が積層されている。 - 特許庁

Data packets P(1)-P(9) transmitted from a root station 1 contain data block B(101) or others.例文帳に追加

ルート局１から送信されるデータパケットＰ（１）〜Ｐ（９）は、誤り訂正符号を個々に有するデータブロックＢ（１０１）などを含んでいる。 - 特許庁

An n-SLS layer 20, an active layer 22, a p-block layer 24, and a p-SLS layer 26 are sequentially laminated on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ｎ−ＳＬＳ層２０、活性層２２、ｐ−ブロック層２４、ｐ−ＳＬＳ層２６を積層する。 - 特許庁

The connector holding block 1 has an opening and closing structure and, when being open, makes the plug P attachable and detachable and, when being close, covers the plug P therewith.例文帳に追加

コネクタ保持ブロック１は、開閉する構造を有し、開いた状態ではプラグＰを着脱可能とし、閉じた状態ではプラグＰを覆う。 - 特許庁

A bypass capacitor C1 is formed by a P-N junction between an N-type well region 2e and a P-type substrate 2, on the side of an analog circuit block 20.例文帳に追加

アナログ回路ブロック２０側では、Ｎウェル領域２ｅとＰ基板２との間のＰＮ接合によりバイパスコンデンサＣ１を形成する。 - 特許庁

The prediction circuit P controls the power condition of the circuit block K by the circuit D on the basis of information of input I to the circuit block K.例文帳に追加

予測回路Ｐは、回路ブロックＫへの入力Ｉの情報に基づいて、回路ブロックＫの電力状態を回路Ｄによって制御する。 - 特許庁

This U-shaped side ditch block 1 is a concrete U-shaped side ditch block opening upward over the total length in the longitudinal direction P.例文帳に追加

Ｕ字型側溝ブロック１は、長手方向Ｐの全長に渡って上方に開口するコンクリート製のＵ字型側溝ブロックである。 - 特許庁

Concrete C is placed into the form block K to integrate the form block K, the posts P and the ground concrete G with one another.例文帳に追加

型枠ブロックＫ内にコンクリートＣを打設し、型枠ブロックＫ及び支柱材Ｐを基礎コンクリートＧと一体化させる。 - 特許庁

The wire-inserting jig comprises: a connector holding block 1 connected to a plug P of the optical connector; and a block 2 to be pulled connected to the wire-inserting tool.例文帳に追加

光コネクタのプラグＰに結合するコネクタ保持ブロック１と、通線工具に結合する被牽引ブロック２とを有する。 - 特許庁

A user data block D is divided into groups 120 and a check block P is inserted after each of the groups.例文帳に追加

ユーザ・データ・ブロックＤはグループ１２０に分けられ、チェック・ブロックＰは各グループの後に挿入される。 - 特許庁

A lower limb L of a subject P is mounted on a proximal supporting block 26 disposed on a rotary base 24 and a distal supporting block 28.例文帳に追加

被検者Ｐの下腿Ｌを、回動ベース２４上に設けられた近位支持ブロック２６と、遠位支持ブロック２８上に載置する。 - 特許庁

PHOTOCATALYST USING OXIDE CONTAINING p-BLOCK METAL ION IN d10-d10 ELECTRONIC STATE例文帳に追加

ｄ１０−ｄ１０電子状態のｐ−ブロック金属イオンを含む酸化物を用いた光触媒 - 特許庁

In this state, the piston P is press-inserted from the top into a cylindrical hole of an engine block.例文帳に追加

この状態でエンジンブロックの筒穴にピストンＰを頂部から加力して挿入する。 - 特許庁

A p-type clad layer 17 consists of AlGaN, and the electron block layer 23 consists of AlGaN.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１７はＡｌＧａＮからなり、電子ブロック層２３はＡｌＧａＮからなる。 - 特許庁

A placing block 3 moves back and forth to alternately divide two pallets P at changing positions.例文帳に追加

載置台３は前後方向に移動して、２枚のパレットＰを交換位置に交互に割り出す。 - 特許庁

The block 21 is protrusively provided with an external thread part screwed into an internally threaded hole formed in the connecting pin P.例文帳に追加

ブロック２１に、連結ピンＰに形成された雌ねじ孔に螺合する雄ねじ部を突設する。 - 特許庁

Here, p(w) is a prediction factor expressed by a block factor of a general space frequency.例文帳に追加

ここで、ｐ（ｗ）は一般的な空間周波数の遮断関数の形式で表現した予測関数である。 - 特許庁

The base plate 1 is formed in a length disposed in a shorter side length direction of the supporting block P.例文帳に追加

基板１は、支持用ブロックＰの短手方向に沿って配される長さに形成される。 - 特許庁

Then, after a p-type InP block layer 7 and an n-type InP block layer 8 are formed on both the sides of a ridge 6, the n-type InP block layer 8 formed on the (111) B surface of the p-type InP block layer 7 is removed by a second dry etching process.例文帳に追加

次に、リッジ部６の両側に、ｐ型ＩｎＰブロック層７およびｎ型ＩｎＰブロック層８を形成した後、ｐ型ＩｎＰブロック層７の（１１１）Ｂ面の上に形成されたｎ型ＩｎＰブロック層８を第２のドライエッチングによって除去する。 - 特許庁

To the macro block pair p selected by the MB_P selection circuit 61, the motion compensation data MCD of adjacent macro block pairs a, b, c and d are read out from a memory 62.例文帳に追加

ＭＢ＿Ｐ選択回路６１が選択したマクロブロックペアｐに対して、隣接するマクロブロックペアａ，ｂ，ｃ，ｄの動き補償データＭＣＤをメモリ６２から読み出す。 - 特許庁

Fine groove processing is carried out at a fine pitch for n-type and p-type thermo-semiconductors each, and an n-type groove block 21 and a p-type grooved block 22 are formed.例文帳に追加

ｎ型とｐ型の熱電半導体にそれぞれ細かいピッチで細い溝加工を施しｎ型溝入ブロック２１とｐ型溝入ブロック２２を形成する。 - 特許庁

A p- type hole block layer 5 made of AlGaSb is formed on the light absorption layer 3, and a p- type electron emission layer 6 made of GaSb is formed on the hole block layer 5.例文帳に追加

光吸収層３の上には、ＡｌＧａＳｂからなるｐ^−型の正孔ブロック層５が形成されており、正孔ブロック層５の上にはＧａＳｂからなるｐ^−型の電子放出層６が形成されている。 - 特許庁

Both the sides of the mesa structure 28 are buried with a p type InP burial layer 32, an n type InP current block layer 34, a p type InP current block layer 36 and an n type InP burial layer (burial layer) 38.例文帳に追加

メサ構造２８の両側をｐ型ＩｎＰ埋込層３２、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３４、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層３６及びｎ型ＩｎＰ埋込層３８（埋込層）で埋め込む。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層２、ｎ型導波層３、ｎ型キャリアブロック層４、活性層５、ｐ型キャリアブロック層６、ｐ型導波層７が順次積層されている。 - 特許庁

The projection part P is generated on the cylinder block 4 side from the load center position S of the ball bearing 10, and thus the moving force to an opposite side to the cylinder block 4 is generated on the ball bearing 10.例文帳に追加

この凸部Pは玉軸受10の荷重中心位置Sよりシリンダブロック4側に生じるので玉軸受10にはシリンダブロック4とは反対側への移動力が生じる。 - 特許庁

In the element cutting step, a p-type thermoelement unit 17 and an n-type thermoelement unit 18 are cut from the p-type thermoelement block 15 and the n-type thermoelement block 16.例文帳に追加

素子切出し工程では、Ｐ型熱電素子ブロック15及びＮ型熱電素子ブロック16からＰ型熱電素子ユニット17及びＮ型熱電素子ユニット18が切り出される。 - 特許庁

The truck for cremation includes a table 40 for mounting a dead body P, a block 43 protruding from the table 40 toward the shoulder blade of the dead body P or retracting therefrom, and a protrusion-retraction drive mechanism 44 for protruding and retracting the block 43 from the table 40.例文帳に追加

遺体Ｐを載置するテーブル４０と、このテーブル４０から遺体Ｐの肩甲骨に向けて突出又は没入するブロック４３と、このブロック４３をテーブル４０から出没させる出没駆動機構４４とを備える。 - 特許庁

Push-out members P are inserted into the cylindrical holes of the cylindrical projections 3 from the rear surface of the plate 1 and the block members 7 for display are pushed up by the top ends of the push-out members P, by which the block members can be detached from the cylindrical projections 3 of the plate 1.例文帳に追加

プレート１の裏面から筒状突起３の筒孔内に押出し部材Ｐを差し込み押出し部材Ｐの上端で表示用ブロック部材７を押し上げてプレート１の筒状突起３から離脱可能に構成してある。 - 特許庁

The carrier concentration at a p-type current block layer of the spot size conversion part of the semiconductor laser, where the spot size conversion part is integrated, is made lower than that at a p-type current block layer of the laser part.例文帳に追加

スポットサイズ変換部を集積化した半導体レーザにおけるスポットサイズ変換部のｐ型電流ブロック層のキャリア濃度を、レーザ部のｐ型電流ブロック層のキャリア濃度よりも低くする。 - 特許庁

The precharge voltage is supplied to a voltage supply point of the precharge line provided so that the load up to a (p)th source output block end and the load up to a (p+1)th source output block end become equal to each other.例文帳に追加

第ｐのソース出力ブロック端までの負荷と第（ｐ＋１）のソース出力ブロック端までの負荷とが等しくなるように設けられたプリチャージ線の電圧供給点に、プリチャージ電圧が供給される。 - 特許庁

A block noise amount prediction part 19 predicts the amount of the block noise included in a decoded image P based on an average quantization parameter QP (P') being an average value of a quantization parameter consulted for generating a decoded image P', and an average code amount B (P') being a code amount per unit region size of encoding data consulted for generating a decoded image P.例文帳に追加

ブロックノイズ量予測部１９は、復号画像Ｐ’を生成するために参照される量子化パラメータの平均値である平均量子化パラメータＱＰ（Ｐ’）、及び、復号画像Ｐを生成するために参照される符号化データの単位領域サイズあたりの符号量である平均符号量Ｂ（Ｐ’）に基づいて、復号画像Ｐに含まれるブロックノイズの量を予測する。 - 特許庁

A p-InP clad layer and high dope GaInAs contact layer are successively laminated on the p-InP buried layer and the carrier block layers applied to both sides of the p-InP buried layer.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰ埋め込み層及びその両側のキャリアブロック層上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層及び高ドープＧａＩｎＡｓコンタクト層が、順次、積層されている。 - 特許庁

A second p-type clad layer 16 is formed in the laser on the first p-type clad layer 13, and has higher carrier concentration than the p-type current block layer 14.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１６は、第１ｐ型クラッド層１３上のレーザ部に形成され、ｐ型電流ブロック層１４よりも高いキャリア濃度を有する。 - 特許庁

A p-second clad layer 7 and a p-contact layer 8 are successively formed on the n-current block layer 6 and the p-first clad layer 5 within the opening part 20.例文帳に追加

ｎ−電流ブロック層６上およびストライプ状開口部２０内のｐ−第１クラッド層５上にはｐ−第２クラッド層７およびｐ−コンタクト層８が順に形成される。 - 特許庁

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

ｐ型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるｐｎヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層１３を介したｐｎ接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁