zinc impurityとは 意味・読み方・使い方

The p-type cladding layer contains a p-type impurity with a diffusion coefficient lower than that of zinc, for example, beryllium.例文帳に追加

上記ｐ型クラッド層は、亜鉛より拡散係数が低いｐ型不純物、例えば、ベリリウムを含有する。 - 特許庁

To provide a method for purifying slag, which reduces impurity elements such as zinc, lead and arsenic contained in slag in a smelting furnace for smelting copper.例文帳に追加

銅製錬熔錬炉スラグ中に含まれる亜鉛、鉛、ヒ素等の不純物元素を低減させるスラグの浄化方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the damage at a meniscus part in a mold for casting molten steel containing zinc as impurity, related to the mold for continuous casting, used for production of the steel.例文帳に追加

亜鉛を不純物として含む溶鋼を鋳造する鋳型のメニスカス部損傷を防止する。 - 特許庁

To obtain multi spectrum hyaline zinc sulfide with improved quality, which does not substantially contain impurity that causes discoloration in the hyaline zinc sulfide and drops its performance.例文帳に追加

無色透明硫化亜鉛の変色を生じさせそしてその性能を低下させる不純物を実質的に含まない向上した品質の多スペクトル無色透明硫化亜鉛を得る。 - 特許庁

Impurity semiconductor films 12 and 13 of the transistors 4 are formed by film-depositing an impurity doped metallic oxide film wherein a metallic oxide (zinc oxide, magnesium zinc oxide, cadmium zinc oxide, cadmium oxide, etc.) to be a transparent semiconductor contains impurities in one film and then etching the film by using a mask to the film.例文帳に追加

そのトランジスタ４の不純物半導体膜１２，１３は、透明な半導体である金属酸化物（酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム等）に不純物を含んだ不純物ドープ金属酸化物膜をべた一面に成膜した後、その膜にマスクを施した状態でエッチングすることによって形成する。 - 特許庁

A transmission spectrum of calcium fluoride singe crystal is measured, an absorption wavelength that is a reference transmittance for evaluating a zinc impurity concentration in the transmission spectrum is determined from within an absorption wavelength range of 120 to 200 nm in the transmission spectrum, and the zinc impurity concentration in the calcium fluoride singe crystal is determined using a change in the absorption wavelength.例文帳に追加

フッ化カルシウム単結晶の透過スペクトルを測定し、前記透過スペクトルにおける、亜鉛不純物濃度を評価するための基準透過率となる吸収波長を、該透過スペクトルにおける吸収波長が１２０〜２００ｎｍの範囲から決定し、該吸収波長の変化により、前記フッ化カルシウム単結晶中の亜鉛不純物濃度を決決定する。 - 特許庁

The electroluminescent element is formed by laminating a semiconductor layer which uses zinc sulfide as a base material and has iridium added thereto as an impurity element in a range of 0.00001 to 1 wt.%, and a light emitting layer composed of zinc sulfide-selenide.例文帳に追加

母体材料として硫化亜鉛を用い、これに不純物元素として０．００００１重量％〜１重量％の範囲内のイリジウムを添加した半導体層と、セレン化硫化亜鉛からなる発光層を積層したエレクトロルミネッセンス素子に使用する。 - 特許庁

The aluminum-added zinc oxide-based transparent conductive film is deposited on a substrate by a vacuum vapor deposition method while a zinc oxide sintered body containing at least 0.01-10 wt.% aluminum fluoride as impurity dopant is a target material.例文帳に追加

不純物ドーパントとして少なくともフッ化アルミニウムを０．０１〜１０重量％の割合で含む酸化亜鉛焼結体をターゲット材料とした真空蒸着法により、基板上に成膜されることを特徴とするアルミニウム添加酸化亜鉛系透明導電膜。 - 特許庁