「zinc impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a crystalline zinc complex of L-carnosin containing less impurity.例文帳に追加

不純物の含有量が少ない結晶性Ｌ−カルノシン亜鉛錯体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the zinc selenide polycrystal wherein the acceptor impurity is doped is synthesized when the zinc selenide polycrystal is synthesized by the reaction of a zinc vapor and the hydrogen selenide in the reaction chamber 12.例文帳に追加

そうすると、反応室１２において、亜鉛蒸気とセレン化水素との反応により、セレン化亜鉛多結晶が合成される際に、セレン化亜鉛多結晶内にアクセプター不純物がドープされたセレン化亜鉛多結晶が合成される。 - 特許庁

The p-type cladding layer contains a p-type impurity with a diffusion coefficient lower than that of zinc, for example, beryllium.例文帳に追加

上記ｐ型クラッド層は、亜鉛より拡散係数が低いｐ型不純物、例えば、ベリリウムを含有する。 - 特許庁

To provide a method for purifying slag, which reduces impurity elements such as zinc, lead and arsenic contained in slag in a smelting furnace for smelting copper.例文帳に追加

銅製錬熔錬炉スラグ中に含まれる亜鉛、鉛、ヒ素等の不純物元素を低減させるスラグの浄化方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the damage at a meniscus part in a mold for casting molten steel containing zinc as impurity, related to the mold for continuous casting, used for production of the steel.例文帳に追加

亜鉛を不純物として含む溶鋼を鋳造する鋳型のメニスカス部損傷を防止する。 - 特許庁

To obtain multi spectrum hyaline zinc sulfide with improved quality, which does not substantially contain impurity that causes discoloration in the hyaline zinc sulfide and drops its performance.例文帳に追加

無色透明硫化亜鉛の変色を生じさせそしてその性能を低下させる不純物を実質的に含まない向上した品質の多スペクトル無色透明硫化亜鉛を得る。 - 特許庁

Impurity semiconductor films 12 and 13 of the transistors 4 are formed by film-depositing an impurity doped metallic oxide film wherein a metallic oxide (zinc oxide, magnesium zinc oxide, cadmium zinc oxide, cadmium oxide, etc.) to be a transparent semiconductor contains impurities in one film and then etching the film by using a mask to the film.例文帳に追加

そのトランジスタ４の不純物半導体膜１２，１３は、透明な半導体である金属酸化物（酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム等）に不純物を含んだ不純物ドープ金属酸化物膜をべた一面に成膜した後、その膜にマスクを施した状態でエッチングすることによって形成する。 - 特許庁

A transmission spectrum of calcium fluoride singe crystal is measured, an absorption wavelength that is a reference transmittance for evaluating a zinc impurity concentration in the transmission spectrum is determined from within an absorption wavelength range of 120 to 200 nm in the transmission spectrum, and the zinc impurity concentration in the calcium fluoride singe crystal is determined using a change in the absorption wavelength.例文帳に追加

フッ化カルシウム単結晶の透過スペクトルを測定し、前記透過スペクトルにおける、亜鉛不純物濃度を評価するための基準透過率となる吸収波長を、該透過スペクトルにおける吸収波長が１２０〜２００ｎｍの範囲から決定し、該吸収波長の変化により、前記フッ化カルシウム単結晶中の亜鉛不純物濃度を決決定する。 - 特許庁

The electroluminescent element is formed by laminating a semiconductor layer which uses zinc sulfide as a base material and has iridium added thereto as an impurity element in a range of 0.00001 to 1 wt.%, and a light emitting layer composed of zinc sulfide-selenide.例文帳に追加

母体材料として硫化亜鉛を用い、これに不純物元素として０．００００１重量％〜１重量％の範囲内のイリジウムを添加した半導体層と、セレン化硫化亜鉛からなる発光層を積層したエレクトロルミネッセンス素子に使用する。 - 特許庁

The aluminum-added zinc oxide-based transparent conductive film is deposited on a substrate by a vacuum vapor deposition method while a zinc oxide sintered body containing at least 0.01-10 wt.% aluminum fluoride as impurity dopant is a target material.例文帳に追加

不純物ドーパントとして少なくともフッ化アルミニウムを０．０１〜１０重量％の割合で含む酸化亜鉛焼結体をターゲット材料とした真空蒸着法により、基板上に成膜されることを特徴とするアルミニウム添加酸化亜鉛系透明導電膜。 - 特許庁

The zinc-plated steel sheet is enumerated with a zinc-plated steel sheet, or a plated steel sheet having a plated layer containing one kind or more of 22% or less of Al, 10% or less of Mg, 2% or less of Si, 0.1% or less of B and 0.1% or less of Ti, and comprising a residual part of Zn and an inevitable impurity.例文帳に追加

前記亜鉛系めっき鋼板としては、亜鉛めっき鋼板、または質量％でＡｌ：２２％以下、Ｍｇ：１０％以下、Ｓｉ：２％以下、Ｂ：０.１％以下、Ｔｉ：０.１％以下の１種以上を含有し、残部Ｚｎおよび不可避的不純物からなるめっき層を有するめっき鋼板が挙げられる。 - 特許庁

Consequently, zinc as a p-type impurity can be prevented from being activated and diffused up to an active layer 15 to make the active layer 15 operate as a non-luminescence center, and the dosage of zinc can be increased to 2×10^18/cm^3 to 3×10^18/cm^3.例文帳に追加

これにより、ｐ型不純物である亜鉛が活性化されて活性層１５にまで拡散して活性層１５が非発光センター化するのを防ぐことができると共に、亜鉛のドープ量を２×１０^18／ｃｍ^3 以上３×１０^18／ｃｍ^3 以下の範囲まで増加させることができる。 - 特許庁

This negative electrode current collector is made of a copper- zinc alloy foil having the element composition containing zinc 5-40 wt.%, elements selected from a group of nickel, iron and titanium 0-50 wt.% in all, obligatory impurity elements 0.01 wt.% or below and copper for the rest.例文帳に追加

この負極集電体は、亜鉛５重量％を超え４０重量％以下、ニッケル，鉄及びチタンよりなる群から選ばれた元素の合計０〜５０重量％、その他不可避の不純物元素０．０１重量％以下、残りが銅、よりなる元素組成を持つ銅亜鉛合金箔よりなるものである。 - 特許庁

To provide a regeneration treatment method of an electroless nickel plating solution capable of selectively and simply removing impurity metal ions of zinc ions, aluminum ions, and iron ions, etc. accumulated in the electroless nickel plating solution.例文帳に追加

無電解ニッケルめっき液に蓄積した亜鉛イオン、アルミニウムイオン、鉄イオン等の不純物金属イオンを選択的に、しかも簡便な操作で除去することができる無電解ニッケルめっき液の再生処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing high purity nickel by which not only copper, iron and cobalt but impurity elements such as lead and zinc and a gas component such as hydrogen can be eliminated.例文帳に追加

銅、鉄、及びコバルトのほかに、鉛、亜鉛等の不純物元素や水素のようなガス成分を除去することができる高純度ニッケルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently removing impurity elements included in a nickel chloride aqueous solution and forming a chlorine complex particularly, zinc with simple equipment at a low cost.例文帳に追加

塩化ニッケル水溶液中に含まれる、塩素錯体を形成する不純物元素、特に亜鉛を、簡便な設備でかつ低コストで効率的に除去する方法を提供する。 - 特許庁

To suppress generation of hydrogen gas, based on a trace impurity such as iron, nickel or the like contained in a battery in a mercury-free alkaline battery, using zinc as a negative electrode active material.例文帳に追加

亜鉛を負極活物質とする無水銀のアルカリ電池において、電池内に含まれる鉄、ニッケルなどの微量不純物に基づく水素ガスの発生を抑制する。 - 特許庁

A reactive gas with a halogenated group II metal gas containing at least zinc and an oxygen-containing gas mixed with each other is introduced onto a substrate 1, and a group V hydrogenated gas is introduced onto the substrate 1 as a p-type impurity material gas.例文帳に追加

基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。 - 特許庁

The second semiconductor is a compound semiconductor of 3- and 5-Group elements, and the second-impurity atoms may be atoms of at least one element selected from a group consisting of beryllium, boron, carbon, magnesium and zinc.例文帳に追加

第２半導体は３−５族化合物半導体であり、第２不純物原子が、ベリリウム、ボロン、炭素、マグネシウム、および亜鉛からなる群から選択された少なくとも１つであってもよい。 - 特許庁

The zinc oxide-based substrate 2 is characterized in that the impurity concentration of Si, C, Ge, Sn, and Pb as group IV elements satisfies a condition of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 - 特許庁

More preferably, the zinc oxide-based substrate 2 is characterized in that the impurity concentration of Li, Na, K, Rb, and Fr as group I elements satisfies a condition of ≤1×10^16 cm^-3.例文帳に追加

より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 - 特許庁

To evaluate, with a simpler operation and high accuracy, a zinc impurity concentration in a calcium fluoride singe crystal to be used for a lens, a prism, a window material or the like which is used for an optical system in a lithography device for semiconductor and to be used by transmitting a vacuum ultraviolet light.例文帳に追加

半導体リソグラフィー装置の光学系に用いるレンズ、プリズム、窓材等の真空紫外光を透過させて使用するフッ化カルシウム単結晶中の亜鉛不純物濃度を簡便に高精度で評価する。 - 特許庁

This method enables the zinc impurity concentration to be evaluated in a non-destructive manner in a shorter period of time with a simpler operation, as compared with a precision chemical analysis such as ICP-MS (Inductively Coupled Plasma-Mass Spectroscopy) requiring an advanced analysis technology.例文帳に追加

この方法により高度な分析技術の必要なＩＣＰ質量分析等の精密化学分析に比べて、非破壊で、短時間かつ簡便に亜鉛不純物濃度を評価することができる。 - 特許庁

To improve the low-noise characteristics of a semiconductor laser element and to reduce its operating current and improve its temperature characteristics and reliability, by adding silicon, selenium, zinc, beryllium, sulphur or carbon into an active layer as an impurity at a predetermined concentration.例文帳に追加

低雑音特性が向上され、動作電流が低減されるとともに、温度特性および信頼性が向上された半導体レーザ素子、それを備えた投受光ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a photoconductive member having high photoresponsiveness by controlling the carrier concentration in a zinc oxide thin film to a prescribed value by doping the thin film with a group I element as an impurity, and to provide a method of manufacturing the member.例文帳に追加

酸化亜鉛薄膜に第Ｉ族元素を不純物としてドーピングして所定のキャリア濃度のコントロールを行い、光応答特性のよい光導電部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, proper impurity control can be facilitated and material synthesis based on the theoretical prediction can be done, and the zinc oxide type transparent conductive film of low resistivity can be synthesized.例文帳に追加

この結果、適切な不純物制御が行ないやすくなり、理論的な予測に基づく物質合成ができ、低比抵抗の酸化亜鉛系の透明導電幕が合成できる。 - 特許庁

In the method, the peptides (e.g. insulins) including the one or more impurities (e.g. zinc ions) are entrapped in diketopiperazine to form a precipitate of peptide/diketopiperazine/impurity, which is then washed with a solvent for the impurity to be removed (this is a nonsolvent for the diketopiperazine and a nonsolvent for the peptide).例文帳に追加

１つ以上の不純物（例えば、亜鉛イオン）を含むペプチド（例えば、インスリン）が、ジケトピペラジン中にトラップされ、ペプチド／ジケトピペラジン／不純物の沈殿物を形成し、次いでそれが、除去されるべき不純物についての溶媒（これは、ジケトピペラジンについて非溶媒であり、かつペプチドについて非溶媒である）を用いて洗浄される方法。 - 特許庁

To provide a method for refining a nickel sulfate aqueous solution in which impurity elements are removed as deposits by adjusting pH while blowing air into a crude nickel sulfate aqueous solution, wherein the method can remove impurity elements such as iron, aluminium, chromium, zinc, arsenic, phosphorus or the like in the crude nickel sulfate aqueous solution, and can reduce the produced amount of deposits.例文帳に追加

粗硫酸ニッケル水溶液に空気を吹込みながらｐＨを調整して不純物元素を澱物として除去する方法において、粗硫酸ニッケル水溶液中の鉄、アルミニウム、クロム、亜鉛、ヒ素、リン等の不純物元素を除去するとともに、澱物の生成物量を減少させることができる硫酸ニッケル水溶液の精製方法を提供する。 - 特許庁

Using a brass made ring formed of a tinned metallic ring using for the inside of resin molding body inserted into a lower opening in a cylindrical air electrode, hydrogen gas generation by melting of zinc made negative electrode stuck to the ring and corrosion of zinc due to impurity contained in the ring is suppressed, thereby providing the battery having high liquid leakage resistance.例文帳に追加

円筒状空気極の下部開口部に挿入する樹脂成形体の内部に用いる金属製リングにスズめっきを施した真鍮製リングを用いて、リングに付着した亜鉛負極の溶解やリングに含まれる不純物による亜鉛の腐食による水素ガス発生を抑制し、耐漏液性に優れた電池を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method which provides dust containing zinc and lead and having low arsenic and antimony contents and slag stably satisfying soil environmental standards, and realizes reutilization of a copper alloy and a mat including iron, lead, arsenic and other impurity metals which are simultaneously formed as copper sources for a copper fused body, when the method is used for subjecting slag produced from a smelting furnace for zinc and/or lead smelting to slag fuming.例文帳に追加

亜鉛及び／又は鉛製錬の熔錬炉から産出されるスラグをスラグフューミングする際に、ヒ素及びアンチモン含有量が少ない亜鉛と鉛を含むダストと安定的に土壌環境基準を満足するスラグとを得るとともに、同時に形成される鉄、鉛、ヒ素その他の不純物金属を含む銅合金とマットを、該銅融体の銅源として再利用する方法を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction.例文帳に追加

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Further, an environment-friendly recycle process of waste batteries can be provided without using additional chemical substances for neutralization correctitude and impurity removal since manganese sulfate and zinc sulfate are recovered by leaching waste battery powder.例文帳に追加

また、廃電池粉末を浸出させて硫酸マンガン及び硫酸亜鉛を回収するので、中和適正や不純物除去をするための付加的な化学物質を使うことなく親環境的の廃電池のリサイクル工程を提供することができる。 - 特許庁

The regeneration treatment method of an electroless nickel plating solution is characterized in removing the impurity metal ions in the electroless nickel plating solution by contacting the electroless nickel plating solution including at least one kind of the impurity metal ion selected from the group consisting of zinc ions, aluminum ions, and iron ions with micro capsules involving at least one kind of the extractant selected from the group consisting of phosphate system extractants, carboxylic acid system extractants, and chelate system extractants.例文帳に追加

本発明は、亜鉛イオン、アルミニウムイオン及び鉄イオンからなる群から選択される少なくとも１種の不純物金属イオンを含む無電解ニッケルめっき液を、リン酸系抽出剤、カルボン酸系抽出剤及びキレート系抽出剤からなる群から選択される少なくとも１種の抽出剤を内包させたマイクロカプセルと接触させて、該無電解ニッケルめっき液中の不純物金属イオンを除去することを特徴とする無電解ニッケルめっき液の再生処理方法に関する。 - 特許庁

Tungsten hexafluoride containing molybdenum hexafluoride as an impurity is brought into contact with a layer filled with metal or alloy containing at least one metal selected from molybdenum, tungsten, copper, nickel, iron, cobalt, zinc, titanium, aluminum, calcium and magnesium at 0-100°C.例文帳に追加

不純物として六フッ化モリブデンを含有する六フッ化タングステンを、モリブデン、タングステン、銅、ニッケル、鉄、コバルト、亜鉛、チタン、アルミニウム、カルシウム、及びマグネシウムのうち、少なくとも一つを含む金属または合金を充填した層に０〜１００℃の温度で接触させることを特徴とする高純度六フッ化タングステンの精製方法。 - 特許庁

A capacitor element is formed by laminating a first electrode with at least the upper surface comprising a first metal nitride, a capacitance insulating film comprising a zirconium oxide film, a first barrier film comprising a zinc oxide film doped with one of boron, aluminum and gallium as an impurity, and a second electrode with at least the lower surface comprising a second metal nitride in this order.例文帳に追加

本発明のキャパシタ素子は、少なくとも上面が第一の窒化金属からなる第一電極と、酸化ジルコニウム膜からなる容量絶縁膜と、ボロン、アルミニウム、ガリウムのいずれかが不純物としてドープされた酸化亜鉛膜からなる第一のバリア膜と、少なくとも下面が第二の窒化金属からなる第二電極と、がこの順で積層されてなることを特徴とする。 - 特許庁

An Li-added ZnO thin film 2 having increased resistivity and improved photoresponsiveness can be formed under such a condition that the doped amount of the impurity and the carrier concentration in the thin film 2 can be controlled easily, by forming the thin film 2 by the atmospheric- pressure metal organic CVD method by using zinc acetylacetonato complex, oxygen gas, and Li (DPM) as raw materials.例文帳に追加

亜鉛アセチルアセトナートと酸素ガスとＬｉ（ＤＰＭ）とを原料に用い、常圧の有機金属化学気相成長法によりＬｉ添加ＺｎＯ薄膜２を形成することで、ドーピング量及びキャリア濃度の制御が容易な条件下に、抵抗率が増加しかつ光応答特性が向上するＬｉ添加ＺｎＯ薄膜２を作成できる。 - 特許庁

The (Zn, Al)O-based transparent electrode layer constituting the solar cell is formed by sputter deposition using a ZnO-Al_2O_3-based sputtering target consisting of a pressurized and molded sintered compact having a blended composition of 0.1-5 mass% aluminum oxide, 0.1-5 mass% metal Al, the residual of zinc oxide (wherein ≤0.1% inevitable impurity content).例文帳に追加

太陽電池を構成する（Ｚｎ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を、質量％で、 酸化アルミニウム：０．１〜５％、金属Ａｌ：０．１〜５％、酸化亜鉛：残り、からなる配合組成（ただし、不可避不純物含有量：０．１％以下）を有する加圧成形体の焼結体で構成されたＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３系スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜する。 - 特許庁

The step (β) includes: adding zinc dust to the leachate in an amount of 2 to 5 equivalent weight with respect to an amount of tin in the leachate by stoichiometry in a substitutional reduction reaction, producing a suspension of spongy indium (1) and a solid content of reductively precipitated impurity metals which are nobler than indium, and separating and collecting the spongy indium (1) to obtain an aqueous solution of indium chloride.例文帳に追加

工程（ロ）：前記浸出液に、該浸出液中のスズに対し置換還元反応の化学量論量で２〜５当量に当たる亜鉛末を添加し、スポンジインジウム（１）と還元析出された、インジウムより貴な不純物金属固形分の懸濁液とを形成し、スポンジインジウム（１）を分離回収した後、塩化インジウム水溶液を得る。 - 特許庁

A mask material formed of an insulating film is formed on a first nitride semiconductor layer to coat a control electrode formation region, and a second nitride semiconductor layer which consists of a nitride semiconductor layer comprising at least one of iron, carbon, zinc or magnesium as impurity and does not comprise aluminum is selectively formed on the exposed first nitride semiconductor layer.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第１の窒化物半導体層上に、不純物として鉄、炭素、亜鉛あるいはマグネシウムの少なくとも１つを含む窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない第２の窒化物半導体層を選択的に形成する。 - 特許庁