うぬまはばちょう７ちょうめの英語

温度特性調整機構４０により、サファイア基板７の対向面の反応炉壁面を５００〜７００Ｋ（より望ましくは５５０〜６５０Ｋ）に制御すると基板上流からの距離に対するＧａＮ成長レートの特性が最も線形に近く基板面内均一性を保つことができる。例文帳に追加

When the wall surface of a reactor facing a sapphire substrate 7 is controlled to a temperature of 500-700K (more preferably, 550-650K) by a temperature characteristics adjustment mechanism 40, characteristics of GaN growth rate for the distance from the upstream of a substrate is the closest to linearity, and in-plane uniformity of a substrate can be maintained. - 特許庁

流量調整板７の引き抜き枚数を増減させれば、ホッパ２の排出口２ａの開口面積を任意に変更して流量を調整しうるため、搬送対象物をその流動性の良否にかかわらず適正な速度で搬送できる。例文帳に追加

Since the flow rate can be adjusted by arbitrarily changing the opening area of the discharge port 2a of the hopper 2 if the extraction number of the flow rate adjustment plates 7 is controlled, and the objects can be conveyed at an adequate speed irrespective of acceptance/rejection of fluidity thereof. - 特許庁

上記目的を達成するために、本発明のディスプロジウムホウ炭化窒化物は、一般式がＤｙＢ_２７＋ＸＣ_６＋ＹＮ_２＋Ｚ（−７＜Ｘ＜７，−４＜Ｙ＜４，−２＜Ｚ＜２）で示され、三斜晶系または菱面体系であることを特徴とする構成を採用した。例文帳に追加

A disprosium boron carbonitride whose general formula is shown as DyB_27+XC_6+YN_2+Z (wherein, -7<X<7, -4<Y<4 and -2<Z<2) is constituted of triclinic system or rhombohedron system. - 特許庁

表面安定化膜７は、ＳｉＣと同程度の線膨張係数を有するＳｉＯ_2−Ｂ_2Ｏ_3−ＺｎＯからなる亜鉛系ガラスで構成され、例えば１.５μｍ以上の厚い膜厚を有している。例文帳に追加

The surface stabilizing film 7 is composed of zinc based glass made of SiO_2-B_2O_3-ZnO having a linear expansion factor at the same level as SiC and, for example, has a thick film thickness of ≥ 1.5 μm. - 特許庁

本発明に係る半導体装置は、ｎ型シリコン基板１と、ｎ型シリコン層２と、Ｂｅドープシリコンゲルマニウム層３およびｉ型シリコン層４を積層したシリコン／シリコンゲルマニウム超格子層５と、ｐ型シリコン層６と、ｐ側電極７と、ｎ側電極８とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device is provided with an n-type silicon substrate 1, an n-type silicon layer 2, a silicon/germanium superlattice layer 5 where Be doped silicon germanium layers 3 and i-type silicon layers 4 are laminated, a p-type silicon layer 6, a p-side electrode 7, and an n-side electrode 8. - 特許庁

この脚３は調湿ボックスよりなるものであり、直方体形状の箱体４と、この箱体４の１対の側面に設けられた開口５と、該箱体４内に配置された複数枚の板状調湿材６と、開口５に設けられた不織布７とを備えてなる。例文帳に追加

These legs 3 are composed of humidity control boxes, and comprise a rectangular solid-shaped box body 4, openings 5 arranged on a pair of side surfaces of this box body 4, a plurality of plate-shaped humidity control materials 6 arranged in the box body 4, and nonwoven fabrics 7 arranged in the openings 5. - 特許庁

窒化物半導体基板１は、下地層４上に成長し、厚み方向に沿った断面が略三角形状であって、かつ周期的なストライプ状をなし、ストライプの斜面６１上に凹凸面６２を設けられたＧａＮ系半導体層６と、ＧａＮ系半導体層６上に形成されたＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなる埋め込み層７とを備える。例文帳に追加

The nitride semiconductor substrate 1 comprises: a GaN-based semiconductor layer 6 which is grown on a base layer 4, whose cross section along the thickness direction is roughly triangular and forms a cyclic stripe shape, and for which recessed and projected surfaces 62 are provided on striped slopes 61; and an embedded layer 7 formed on the GaN-based semiconductor layer 6 and composed of AlGaN or InAlGaN. - 特許庁

平均長軸長が２０〜２００ｎｍの範囲内にある針状の酸化鉄粒子からなる粉末であって，ＢＥＴ法による比表面積が３０〜１００ｍ^２／ｇで粉体ｐＨが７以下である塗布型磁気記録媒体の下層用粉末である。例文帳に追加

This powder is composed of acicular iron oxide particles, the average long axial length of which is within a range of 20-200 nm, and is powder for a lower layer of a coating type magnetic recording medium, wherein a specific surface area by a BET is 30-100 m^2/g and powder is ≤pH 7. - 特許庁