こうばいちょう２ちょうめの英語

11系統（木津南循環バス）：木津駅東口→州見台4丁目→州見橋東→州見台8丁目→州見橋東→木津南ソレイユ→梅見台小学校→梅見台5丁目→梅見台3丁目→梅見台2丁目→木津駅東口例文帳に追加

Route 11 (Kizuminami loop bus): East entrance of Kizu Station - Kunimidai 4-chome - Kunimibashi-Higashi - Kunimidai 8-chome - Kunimibashi-Higashi - Kizu-minami Soleil -Umemidai Elementary School - Umemidai 5-chome - Umemidai 3-chome - Umemidai 2 -chome - East entrance of Kizu Station発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

一方、各ストライプの間に位置する幅Ｌの結晶成長面では、良好なオフ角θ（：θ^2 ＝θ_1 ^2 ＋θ_2 ^2 ）の設定によりステップフロー成長が順調進むため、良質かつ平坦な成長層２が得られる。例文帳に追加

On the other hand, a step flow growth is smoothly developed on the crystal growth surface with a width L located between the stripes thanks to setting of an appropriate off angle θ(:θ^2=θ_1^2+θ_2^2), thereby permitting a high-quality and flat growth layer 2. - 特許庁

現金自動取引装置１０の通帳吸入／排出口部１より通帳５を吸入し、通帳印刷機構部２にて金融取引記録を印刷中に通帳繰越しが発生した場合、届出印読取部３にて通帳５の届出印を読取り、その通帳５を通帳吸入／排出口部１より排出後、新規ホルダー部４より新通帳６を通帳印刷機構部２へ送り、通帳印刷機構部２にて届出印、および氏名、口座番号等印刷後、金融取引記録を印刷し、通帳吸入／排出口部１より新通帳６を排出する。例文帳に追加

A bankbook 6 is inserted through a bankbook insertion/ejection hole part 1 of an automatic teller machine 10, and financial transaction records are printed on the bankbook by a bankbook print mechanism part 2. - 特許庁

2004年11月には健康美事業部を立ち上げ、2年目の売上伸び率は4倍超となっている。例文帳に追加

Fukumitsuya Sake Brewery established a Health & Beauty Department in November 2004and had a more than fourfold sales growth rate in its second year. - 経済産業省

発光装置１の各ＬＥＤチップ２は、それぞれ結晶成長用基板２４の主表面側に積層構造膜からなる発光層２２をエピタキシャル成長法により成長させてなるＬＥＤ基材を用いて形成される。例文帳に追加

Each LED chip 2 of a light-emitting device 1 is formed using an LED substrate formed by epitaxially growing a light-emitting layer 22 composed of a laminated structure film on the main surface side of a substrate for crystal growth 24. - 特許庁

半導体素子が、部分的に内部に後退した凹部８が表面に形成された結晶成長面を有する基板１と、上記結晶成長面上に成長された、窒化物半導体からなる単層または複数層の半導体層２とを備えてなり、上記結晶成長面において、上記結晶成長面の原子配列構造と上記半導体層２の原子配列構造が同じである。例文帳に追加

The semiconductor element comprises a substrate 1 having a crystal grown face in which partial setback recesses 8 are formed, and a single or a plurality of nitride semiconductor layers 2 grown on the crystal grown face wherein the atomic arrangement structure is identical to that of the semiconductor layer 2 on the crystal grown face. - 特許庁

これは、半導体結晶２の成長に伴って半導体結晶２の結晶成長面２ａが結晶成長基板１の結晶成長面１ａ付近から上方に移動する間にも、半導体結晶２はＥＬＯマスク３の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。例文帳に追加

This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1. - 特許庁