すいそいどうの英語

このとき、層間構造を有する伝導性無機物には、水素イオン伝導性を有するスルホン酸官能基が導入されていて、高分子ナノ複合膜の水素イオン伝導度を高める効果が共に得られる。例文帳に追加

A sulfonic acid functional group having proton conductivity is introduced into the conducting inorganic material having the layered structure to attain effect to increase the proton conductivity of the polymer nano-composite membrane. - 特許庁

重水素或いは軽水素を吸蔵させた水素イオン伝導体からなる伝導体２の両端にカソード電極４，及びアノード電極５を装着して電池３により電圧を印可すると，重水素イオン（重陽子）或いは軽水素イオン（陽子）がカソート電極５に移動する。例文帳に追加

By installing a cathode 4 and an node 5 at both ends of a conductor 2 consisting of hydrogen ion conductor occluded by heavy hydrogen or light hydrogen, voltage is impressed from a battery 3 and heavy hydrogen ion (deuteron) or light hydrogen ion (proton) move to the cathode 5. - 特許庁

前記一の時分割スイッチは、第１の画素１１の駆動が開始された後、第２の画素１１の駆動が終了するまで、ターンオフされない。例文帳に追加

The one time-division switch is not turned off after driving of the 1st pixel 11 is started until driving of the 2nd pixel 11 is ended. - 特許庁

次に、画素位置と関連付けられる方向が水平方向又は垂直方向のいずれかどうか判定される。例文帳に追加

Then, it is determined whether a direction associated with the pixel location is either a horizontal direction or a vertical direction. - 特許庁

このエリミネータＥによって、水素移動時の水素流が減速され、水素流に含まれる水素吸蔵合金の粉末が落とされる。例文帳に追加

A hydrogen flow at the time of moving the hydrogen is decelerated, and powder of the alloys contained in the flow is dropped. - 特許庁

本発明は、水道配水管が細いことを要因とした給水補助ポンプの吸込圧力の低下を防げる給水補助加圧装置を提供する。例文帳に追加

To provide an auxiliary pressure device for feedwater which prevents a drop in the suction pressure of a feedwater auxiliary pump caused by a narrow diameter of a water service pipe. - 特許庁

水素排出通路１３から水素導入口２９を経て水素導入空間２３の水素入口側空間２３ａに流入した水分を含む水素は、壁部２１に衝突して気水分離する。例文帳に追加

Hydrogen containing moisture and having entered into a hydrogen entrance-side space 23a of a hydrogen introduction space 23 via a hydrogen introduction port 29 from the hydrogen exhaust passage 13 collides with a wall part 21 to separate moisture from hydrogen. - 特許庁

注入した水素イオンの拡散を抑制しながら水素イオンを活性化することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the diffusion of implanted hydrogen ions while activating the hydrogen ions. - 特許庁