ぬまずえがわの英語

第１副成分としてＳｉをＳｉＯ_2換算で０．００５〜１．２００ｗｔ％含有させるとともに、かつ、第２副成分としてＮａをＮａ_2Ｏ換算で０〜０．６ｗｔ％（但し、０は含まず）及び／又はＫをＫ_2Ｏ換算で０〜０．６ｗｔ％（但し、０は含まず）含有させるようにした。例文帳に追加

This magnetic ferrite sintered compact contains as a first subcomponent 0.005-1.200 wt% Si as SiO_2 equivalent, and as a second subcomponent 0-0.6 wt% Na as Na_2O equivalent (0 is not contained) and/or 0-0.6 wt% K as K_2O equivalent (0 is not contained). - 特許庁

まず、コラムドライバに供給されている基準電圧ＧＮＤｃおよびロウドライバに供給されている基準電圧ＧＮＤｒの電圧値は、ＧＮＤ（０Ｖ）であり、ロウ電極Ｘ１乃至Ｘ３にはＧＮＤｒが接続され、コラム電極Ｙ１乃至Ｙ３にはＧＮＤｃが接続される。例文帳に追加

At first, the voltage values of reference voltage GNDc supplied to a column driver and reference voltage GNDr supplied to a row driver are GND (0V), the GNDr is connected to row electrodes X1 to X3 and the GNDc is connected to column electrodes Y1 to Y3. - 特許庁

まず、ｎ^-型半導体基板４５のシリコン熱酸化膜２１ａのカソード面側に所望のパターンのレジスト２２を設ける(Ｓ１ａ)。例文帳に追加

A resist pattern 22 in required shape is formed on the cathode surface side of a silicon thermal oxide film 21a of an N--type semiconductor substrate 45 (S1a). - 特許庁

サファイア基板とＧａＮ厚膜との間で発生するストレスを和らげる中間層のＧａＮ中間層をサファイア基板上にまず成長させ、その上に続いてＧａＮ厚膜を成長させることによって無クラックＧａＮ厚膜が得られ、これより基板を分離してＧａＮウェーハを得る。例文帳に追加

A GaN intermediate layer relaxing stress generated between a sapphire substrate and a GaN thick film is first grown on the sapphire substrate, and successively, the GaN thick film is grown thereon to obtain a crack- free GaN thick film, and the substrate is separated therefrom, by which a GaN wafer is obtained. - 特許庁

受光部１１から本体側マイコン１２にこの温度変更信号が入力されると、タイマーをスタートさせ、まずメモリＮに１を設定する。例文帳に追加

When the temperature changing signal is input into a body-side microcomputer 12 from a light receiving portion 11, a timer is started; and firstly, 1 is set in a memory N. - 特許庁

まず、Ｎ枚の画像に対して特徴抽出を行い、その結果に基づいてＮ枚の画像をＣ個の階層に分け、Ｎ×Ｃ枚の画像を得る（Ｃは２以上の自然数）。例文帳に追加

Firstly, feature extraction is performed on N sheets of images, and based on the result, N sheets of images are divided into C levels of hierarchies to obtain N×C sheets of images (C is a natural number of two or greater). - 特許庁

まず、繰出部２１から供給された第一のシート１３の情報記録層側の表面上に、塗工部２３で擬似接着層形成用塗工液を塗工して塗工層を形成する。例文帳に追加

At first, a coating layer is formed on the surface at the side of an information recording layer of a first sheet 13 supplied from a delivery part 21 by coating a coating liquid for forming a false adhesive layer in a coating part 23. - 特許庁

まず、半導体基板１１上の全面にわたって、例えば、それぞれが、シリコンに対してエッチング選択性を有する、膜厚が５０ｎｍのＨＤＰ−ＮＳＧからなる基板保護膜１３と、膜厚が２００ｎｍのＢＰＳＧからなる第１のマスク膜１４とを順次堆積する。例文帳に追加

Over the entire surface of a semiconductor substrate 11, a substrate protective film 13 which, for example, comprises HDP-NSG of film- thickness 50 nm with an etching selectivity to a silicon, and a first mask film 14 comprising BPSG of film-thickness 200 nm, are sequentially deposited. - 特許庁