ばんだいちょう５ちょうめの英語

回路基板１には、一の方向に長い長方形状の４つの貫通孔２〜５を形成し、シールドケース１０の４つの脚部１５〜１８を貫通孔２〜５に挿通し、回路基板１の裏面に半田付けする。例文帳に追加

The circuit board 1 is formed therein with four through holes 2 to 5 of a rectangular shape elongated in one direction, the four legs 15 to 18 of the shield case 10 are inserted into the through holes 2 to 5 and then soldered to the rear surface of the circuit board 1. - 特許庁

５　第三項の検査役は、必要な調査を行い、当該調査の結果を記載し、又は記録した書面又は電磁的記録（法務省令で定めるものに限る。）を裁判所に提供して報告をしなければならない。例文帳に追加

(5) The inspector set forth in paragraph (3) shall conduct necessary investigation and shall report the court by submitting the document or Electromagnetic Records (limited to those prescribed by the applicable Ordinance of the Ministry of Justice) which specifies or records the result of such investigation.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

５　第二項の検査役は、必要な調査を行い、当該調査の結果を記載し、又は記録した書面又は電磁的記録（法務省令で定めるものに限る。）を裁判所に提供して報告をしなければならない。例文帳に追加

(5) The inspector referred to in paragraph (2) shall conduct necessary investigation and shall report the court by submitting the documents or Electromagnetic Records (limited to those prescribed by the applicable Ordinance of the Ministry of Justice) which specifies or records the result of such investigation.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

本発明の窒化物半導体基板は、４Ｈ−ＳｉＣ製の第１の基板または６Ｈ−ＳｉＣ製の第１の基板上にＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた第２の基板であって、第１の基板のｃ軸と窒化物半導体の成長方向とのなす角θが５°以上８５°以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor substrate is a second substrate obtained by growing the group III nitride semiconductor on a first substrate made of 4H-SiC or a first substrate made of 6H-SiC, and is characterized in that the angle θ between the c-axis of the first substrate and the growth direction of the nitride semiconductor is not less than 5° and not more than 85°. - 特許庁

そのため、第１半導体層３上に第２半導体層５を成長させる際に、第２基板４と第１半導体層３の界面において、第１半導体層３に発生するクラックを抑制することができる。例文帳に追加

Accordingly, cracks occurring at the first semiconductor layer 3 can be inhibited at the boundary surface of the first semiconductor layer 3 with the second substrate 4 when causing the growth of the second semiconductor layer 5 on the first semiconductor layer 3. - 特許庁

装置１００は、第１の面１１に触媒粒子２１が担持された基板１０の第１の面１１側に原料ガスを供給してカーボンナノチューブ５を成長させるとともに、第２の面１２側に酸素を供給する。例文帳に追加

In the apparatus 100, a raw material gas is supplied on a first surface 11 side of a substrate 10 having a catalyst particles 21 supported on the first surface 11 to grow the carbon nanotube 5 and oxygen is supplied on a second surface 12 side. - 特許庁

そして、同一階調データの印字データに係わる印字素子を、印字タイミングを順次１印字タイミングずつずらせて駆動する（図に示す例では破線で囲んだ階調データ「２」の画素を印字する番号２、５、１２、１５、１６、１９、２３、２４の印字素子の印字ドットを参照）。例文帳に追加

Print elements pertaining to print data of the same gray scale data are driven while shifting the print timing sequentially by one print timing (in the example shown on the drawing, refer to print dots 2, 5, 12, 15, 16, 19, 23, 24 for printing the pixels of gray scale data '2' surrounded by a dash line). - 特許庁

基板１上に形成された配線３の断線箇所Ｄを含む基板１の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層５を成膜する。例文帳に追加

A wettability adjusting layer 5 using a material that is changed in wettability with irradiation of light is formed within an exposed surface region of a circuit board 1 including a disconnection point D of the wiring 3 formed on the circuit board 1. - 特許庁